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尔必达30纳米制程DRAM迈入量产
时间：2010-09-30 10:30:53
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[导读]日厂尔必达(Elpida)将自2010年12月开始导入30纳米前半制程量产DRAM，与同年7月早一步投入30纳米前半制程DRAM量产的三星电子(SamsungElectronics)较劲。据悉，新的制程技术可撙节约30%的生产成本。尔必达另计划2011年
日厂尔必达(Elpida)将自2010年12月开始导入30纳米前半制程量产DRAM，与同年7月早一步投入30纳米前半制程DRAM量产的三星电子(SamsungElectronics)较劲。据悉，新的制程技术可撙节约30%的生产成本。尔必达另计划2011年中技转瑞晶电子。
据悉，相较于尔必达导入的40纳米制程，制程进一步微缩的30纳米制程技术，每片晶圆所产出的芯片数约可增加45%；生产成本则可降低约30%。尔必达欲藉此提高成本竞争力，扩大市占。
日本经济新闻报导指出，尔必达将自12月起先行于广岛厂导入量产；2011年中将生产技术移转至台湾子公司瑞晶电子后投入量产，而加计子公司产能在内，尔必达月产能估计将达21万片(以12寸晶圆计)，预料数年后，尔必达产能中约有7成采30纳米制程技术。
据悉，相较于尔必达导入的40纳米制程，制程进一步微缩的30纳米制程技术，每片晶圆所产出的芯片数约可增加45%；生产成本则可降低约30%。尔必达欲藉此提高成本竞争力，扩大市占。
日本经济新闻报导指出，尔必达将自12月起先行于广岛厂导入量产；2011年中将生产技术移转至台湾子公司瑞晶电子后投入量产，而加计子公司产能在内，尔必达月产能估计将达21万片(以12寸晶圆计)，预料数年后，尔必达产能中约有7成采30纳米制程技术。
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