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[导读]由于DRAM厂新制程转换速度加快,7月以来DRAM产出量明显放大,虽然价格持续缓跌,但对后段封测厂来说,订单仍然持续涌入,包括力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)、泰林(5466)等业者均表示,订单能见度已达

由于DRAM厂新制程转换速度加快,7月以来DRAM产出量明显放大,虽然价格持续缓跌,但对后段封测厂来说,订单仍然持续涌入,包括力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)、泰林(5466)等业者均表示,订单能见度已达年底,产能供不应求情况在年底前也难获得纾解,将有助于平均价格(ASP)持稳,降低DRAM价格波动造成的负面影响。

虽然计算机业者出货量维持高档,第3季又是计算机销售旺季,理论上DRAM价格应有上涨空间,DRAM价格虽自4月后开始走跌,但2GB DDR2模块仍维持40美元价格,2GB DDR3价格约达45美元,占计算机成本仍在8%至10%高档,所以在ODM/OEM厂将计算机搭载率由4GB降至2GB情况下,导致第3季DRAM价格难有起色。

对DRAM厂来说,转进50奈米世代先进制程后,1Gb DDR3颗粒总制造成本可降至接近1.2美元左右,若以现在平均2.2-2.4美元价格来计算,每卖出一颗就可赚进约1美元的获利。所以,DRAM厂第2 季加速50奈米制程微缩,第3季产能开出后,虽对现货价造成跌价压力,但因产出量放大,反而有助于封测厂接单。

业者表示,以60奈米制程生产出的1Gb DDR3颗粒数约介于910-950颗,但若微缩到50奈米后,每片12吋晶圆可切割的颗粒数可达1,400-1,700颗,位成长率高达50%至 70%,所以对以量计价的封测厂来说是项利多消息。再者,50奈米投产初期,测试时间需要拉长,虽然随着良率提升后,测试时间会开始下滑,但下滑时间点最快也要在今年第4季中下旬才会见到,因此封测厂现在正面临产能不足压力。

包括力成、华东、福懋科等业者来说,因为DRAM厂今年扩产积极,订单已经看到年底,而封测设备交期仍维持在3-4个月,下半年能够增加的产能,仍追不上DRAM厂的位成长速度。业者表示,下半年DRAM封测产能仍供不应求,所以封测代工价格虽无上涨空间,但也没有下跌空间,随着产能持续扩大,对提升毛利率仍有明显帮助。



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