联电与Synopsys携手加速14奈米FinFET制程开发

晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)与全球半导体设计制造提供软体、IP与服务的领导厂商新思科技(Synopsys)共同宣布两家公司的合作已获得成果，采用新思科技 DesignWare 逻辑库的 IP 组合，和 Galaxy 实作平台的一部分-寄生StarRC萃取方案，成功完成了联电第一个 14奈米 FinFET 制程验证工具的设计定案。
联电表示，由于 FinFET 制程所具备的效能、功耗、晶片内变异性，以及比平面CMOS制程较低的数据保留电压等优势，引起了晶片设计公司高度的兴趣；此制程验证工具将提供初期的数据，让联电得以调整其 14奈米FinFET制程，并且最佳化 Synopsys 的 DesignWare IP 产品组合，藉以得到最佳化的功耗，性能和面积。

它同时也提供了数据，让 FinFET 模拟模型与矽制程结果有更好的关联性。在双方持续进展中的合作关系上，采用新思科技DesignWare矽智财解决方案来认证联华电子14奈米FinFET制程，可视为是双方此次合作的第一座里程碑。