台积电 启动新一波高成长

台积电董事长张忠谋昨（18）日宣布，今年资本支出从90亿美元（约新台币2,700亿元）调高到95亿至100亿美元（约新台币2,850亿元至3,000亿元），调高幅度约5.5%至11%，再写新高。
张忠谋表示，台积电2009年开始启动高资本支出、高研发政策，过去四年来，台积电每年营收缔造新猷，四年来的年获利也有三次创新高。这次调高资本支出，意味着台积电将启动另一波高成长，未来三至五年的获利年复合成长率将超过一成。

台积电也调高今年产能的年增目标，总产能从原先预估年增10%上升至11%，12寸总产能年增目标从15%提高到17%。

上修后的资本支出，有90%将用于28、20、16纳米以下的产能扩建，5%用于研发支出，包含10纳米与7纳米以下设计，2%用于特殊制程需求。



台积电今年的主要成长动能为28纳米，张忠谋说，28纳米市占居高不下，主要是因为台积电低耗能制程（LP）良率优于同业，加上Gate-Last为主的金属闸极（HKMG）制程，有别于同业的Gate-First制程，大幅帮助客户产品提升效能，客户反应相当好。
台积电28纳米占第1季营收24%，已是营收最高制程来源，今年不只28纳米总产能要比去年大增三倍，营收也会比去年成长三倍，等于从去年615亿元大增到1,845亿元，占全年营收将超越三成。

台积电调高资本支出，主要投入20纳米与16纳米鳍式晶体管（Finfet）的前期投资，20纳米已有20个产品设计定案（Tape out）。张忠谋说，20纳米从2014年开始量产，预期20纳米第一年与第二年的产出，会比28纳米的前两年产出来得大。



图／经济日报提供
新闻辞典》20纳米、3D Finfet

随着摩尔定律的演进，以前IC是「微电子」技术，因为晶体管的大小是在微米（百万分之1米，也就是1／1,000,000）等级；2001年起，摩尔定律进到IC小于0.1微米，也就是小于100纳米，宣告步入纳米时代。

在半导体中，20纳米指的是「线宽」的粗细，20纳米是28纳米的下一世代技术，16奈半或14纳米则是20纳米的下一世代技术。

越小的线宽，代表晶体管的尺寸越小；线宽越细，元件就越小，每个芯片上所能储存的资料量就越大，速度也越快。越小的芯片，越适合行动运算等各种装置，符合轻薄短小、省电、高效能需求。

此外，进入16纳米以下的先进制程后，半导体将全面进入3D鳍式晶体管（Finfet）技术，这是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。

相较于传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一侧来控制，属于平面式的结构；3D Finfet的闸门，是类似鱼鳍般的三面立体式设计，能大幅改善电路控制，减少因通道贯穿所产生的漏电问题。

利用3D Finfet，将能顺利让芯片发展到10纳米以下。这项技术上的突破，未来可让超级计算机设计成只有指甲般大小。