台积资本支出 估将上调

顾能研究副总裁王端昨天指出，晶圆代工龙头台积电面临三星和格罗方德直接跨入14纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程，可能上修资本支出，加速16纳米FinFET制程量产脚步，推估今年资本支出恐逾百亿美元。
王端推测，台积电董事长张忠谋最快会在美国时间9日举行的台积电年度技术论坛揭露这项重大布局。台积电法人关系处兼发言人孙又文表示，资本支出是董事会重大决策，一切以董事长正式对外公布的数字为准，不对预测做回应。

王端强调，台积电在28纳米制程领先三星和格罗方德长达一年半时间，20纳米制程也将比原订时程提前在明年量产，但三星和格罗方德紧追在后，双方都宣称将直接跳过20纳米制程，切入14纳米FinFET制程。三星和格罗方德采用的14纳米制FinFET技术是采取前段14纳米、后段20纳米的混合版，与台积电前后段都采16纳米不同，但其实二者差异不大。


图／经济日报提供
王端强调，英特尔日前宣布同意采用14纳米FinFET制程，为台积电大客户阿尔特拉（Altera）代工生产可编程逻辑闸阵列（FPGA）芯片，加上三星和格罗方德决定跳过20纳米直接跨入，预料不出二年，FinFET将成为晶圆代工主流制程。

王端分析，台积电原本宣称16纳米FinFET可在2015年量产，但从近期台积电多次释放包括与安谋合作等，透露台积电将提前这项先进制程技术量产脚步，甚至可能在台积电技术论坛就对外宣布。