三星成功试产14奈米FinFET技术芯片

韩国联合通讯社(Yonhap)、EETimes报导，三星电子(Samsung Electronics Co.)21日宣布，该公司已成功试产出旗下第一颗采用鳍式场效电晶体(FinFET)技术的14奈米制程测试晶片。
三星表示，这款测试晶片是和安谋(ARM)、Cadence、Mentor Graphics以及Synopsis共同开发出来的成果。FinFET技术可让电源运用更有效率。
三星表示，该公司计划与上述四家夥伴共同推出采用14奈米FinFET制程技术的产品。三星系统大规模集成电路(System Large Scale Integrated Circuit)部门主管Choi Kyu-myung表示，14奈米FinFET制程技术可提升装置效能并降低耗电量，进一步改善行动环境。

这是过去一个月以来第二款采用14奈米FinFET制程技术的测试晶片获得发表。Cadence甫于11月推出一款搭载安谋Cortex-M0处理器架构的14奈米测试晶片，采用的是IBM的FinFET制程技术。
台积电(2330)技术长孙元成曾在11月23日指出，该公司的20奈米系统单晶片(SoC)解决方案预计今年Q4即可试产(risk production)，而明(2013)年11月则预计推出16奈米FinFET制程(技术水准相当于竞争者的14奈米)的试产。至于再下一个世代的10奈米FinFET制程，台积电则预计于2015年底推出。
孙元成当时表示，跨入16奈米制程后则是FinFET架构的天下，而台积电将使用安谋首款64位元处理器v8来测试16奈米FinFET制程，并可望在明年11月推出首款测试晶片。