联电推SRAM 80纳米SDDI制程，攻智能型手机市场

联电(2303)推出具备竞争力的SRAM 80纳米SDDI晶圆专工制程，此技术将赋予次世代智能型手机屏幕高画质优势。此制程现已准备量产，并与数家主要客户针对HD720/WXGA画质的智能型手机产品合作中。
联电宣布，推出新一代80纳米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)制程，此制程特色在于具备了晶圆专工业界最富竞争力的SRAM储存单元。此低耗电的尖端SRAM解决方案采用了先进的设计规则，以缩小储存单元尺寸到0.714平方微米，将比现有80纳米SDDI制程中使用的一般0.81平方微米更加微缩，使智能型手机得以更小芯片尺寸实现HD720/WXGA高画质。

联电12寸特殊技术开发处资深处长许尧凯表示，随着现在智能型手机的快速兴起，联电在特殊技术开发上位居领先地位，使客户推动功能更强的产品问世。联电现有的80纳米与即将推出的55纳米SDDI制程，可协助客户推出耗电更低且画质更高的尖端智能型手机屏幕驱动芯片。
联电已于0.13微米制程平台出货逾3亿颗SDDI芯片，运用于WVGA与qHD画质的主流智能型手机。除了0.13微米与80纳米SDDI制程技术之外，联电也针对配备Full-HD屏幕的次世代智能型手机，推出业界第一个55纳米SDDI制程，将于本季开放接受客户SDDI芯片设计开发使用。