中芯国际:中芯与灿芯成功流片

上海和英国剑桥2012年2月27日电 /美通社亚洲/ 国际领先的 IC 设计公司及一站式服务供应商 灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK）及 ARM 今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的 ARM? Cortex?-A9 MPCore? 双核测试芯片首次成功流片。

该测试芯片基于 ARM Cortex-A9 双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集 32K I-Cache 和 32K D-Cache，128 TLB entries，NEON? 技术，以及包括调试和追踪技术的 CoreSight? 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到 900MHz（WC），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。