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[导读]全球手机芯片龙头高通面临产能吃紧,且竞争对手英特尔来势汹汹,竞争压力颇大,近期不得不思考寻找第2家晶圆代工厂合作,也因此在今年MWC,继上回辉达(NVIDIA)执行长黄仁勋暗指是台积电28纳米制程良率问题之后,再

全球手机芯片龙头高通面临产能吃紧,且竞争对手英特尔来势汹汹,竞争压力颇大,近期不得不思考寻找第2家晶圆代工厂合作,也因此在今年MWC,继上回辉达(NVIDIA)执行长黄仁勋暗指是台积电28纳米制程良率问题之后,再度成为客户讨论的对象。

至于今年积极挺入40、28纳米的联电,能否因此受惠?也备受关注。

全球绘图芯片大厂辉达(NVIDIA)执行长黄仁勋日前在电话会议上直言,本季度毛利率下滑几乎都是因为28纳米良率低于预期所导致。一语点出台积电28纳米良率偏低问题。

无独有偶,全球手机芯片龙头厂高通新产品,包括MWC上宣布新推出的新芯片Snapdragon S4 MSM8960处理器、第3代LTE芯片组新一代Gobi调制解调器芯片组MDM8225、MDM9225、与MDM9625,皆采用台积电28纳米制程,但面临台积电28纳米产能吃紧,即便短期内不会转单,但未来产品规划上稳定供应考量,寻找第2家晶圆代工厂已不得不进行。

联电强调,今年是深耕的一年,预计资本支出增加至20亿美元,并在法说会上明言,乐观看待未来移动通信与运算市场的高阶芯片需求,将完整布建28与40纳米解决方案,联电将把握窜起的机会。



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