联电Q3 EPS 0.16元 第4季本业维持获利
时间:2011-10-26 20:10:00
[导读]联电(2330-TW)(UMC-US)今(26)日公布今年第三季财务报告,营收入为新台币 251.9亿元,与上季的新台币 281.5亿元相比降低 10.5 %,较去年同期的新台币326.5亿元减少约22.9 %。本季毛利率19.8%,季减4.1%,仍优于早先公
联电(2330-TW)(UMC-US)今(26)日公布今年第三季财务报告,营收入为新台币 251.9亿元,与上季的新台币 281.5亿元相比降低 10.5 %,较去年同期的新台币326.5亿元减少约22.9 %。本季毛利率19.8%,季减4.1%,仍优于早先公司预期,营业净利率为6.1%,税后净利新台币19.5亿元,每股普通股获利为新台币0.16元。
联电执行长孙世伟表示,联电2011年第三季表现符合预期,营业收入下降主要是受到单季出货量减少10.5%的影响。第三季出货量约当八寸晶圆103万片,平均销售单价持平,整体产能利用率季减10%,为74%,先进65奈米及以下制程产品营收占第三季营收40%。
孙世伟表示,「公司对半导体市场仍延续前一季的看法:在欧美债信及中国市场通膨未获解决,同时整体供应链库存之分布及去化能见度不高,客户仍保守看待市场需求,半导体市况也将持续趋缓」。
孙世伟强调,将审慎因应市场变化。他预估,「联电第四季营收下降的幅度将缩小,配合经营效率及成本结构的改善,第四季本业仍将维持获利」。
强化开发28奈米技术及IP 28HPM制程在2012年中试产
展望未来,孙世伟信心表示,尽管身处在快速变动的半导体市场,相信客户导向之高阶制程及设计平台的开发是下一波成长的基础,因此除了已经进入量产的40奈米制程,更投入大量资源开发28奈米技术及 IP,包括28奈米 High-K/Metal-Gate 28HPM及28奈米 Poly/SiON 28HLP 制程。
28HPM 制程采用主流的 Gate-Last 架构,适用于先进手持装置、高速网路等需要高效能的产品;28HLP 制程在极具成本竞争优势的 Poly/SiON 基础上采用创新的高效制程技术,进一步提供绝佳的性能/价格比。联电先进的28奈米制程配合客户与 ARM 及 Synopsys 合作建构的 IP 设计平台,提供一个非常完整的 28奈米解决方案。
28HLP及28HPM将为推动成长双引擎
联电目前28HLP制程已进入产品试产阶段,28HPM制程也将在2012年中进入试产阶段,联电乐观预期,28HLP及 28HPM将成为推动联电高阶制程成长的双引擎,在未来数年中强化联电的竞争力并提供客户最适切之晶圆专工解决方案。
联电执行长孙世伟表示,联电2011年第三季表现符合预期,营业收入下降主要是受到单季出货量减少10.5%的影响。第三季出货量约当八寸晶圆103万片,平均销售单价持平,整体产能利用率季减10%,为74%,先进65奈米及以下制程产品营收占第三季营收40%。
孙世伟表示,「公司对半导体市场仍延续前一季的看法:在欧美债信及中国市场通膨未获解决,同时整体供应链库存之分布及去化能见度不高,客户仍保守看待市场需求,半导体市况也将持续趋缓」。
孙世伟强调,将审慎因应市场变化。他预估,「联电第四季营收下降的幅度将缩小,配合经营效率及成本结构的改善,第四季本业仍将维持获利」。
强化开发28奈米技术及IP 28HPM制程在2012年中试产
展望未来,孙世伟信心表示,尽管身处在快速变动的半导体市场,相信客户导向之高阶制程及设计平台的开发是下一波成长的基础,因此除了已经进入量产的40奈米制程,更投入大量资源开发28奈米技术及 IP,包括28奈米 High-K/Metal-Gate 28HPM及28奈米 Poly/SiON 28HLP 制程。
28HPM 制程采用主流的 Gate-Last 架构,适用于先进手持装置、高速网路等需要高效能的产品;28HLP 制程在极具成本竞争优势的 Poly/SiON 基础上采用创新的高效制程技术,进一步提供绝佳的性能/价格比。联电先进的28奈米制程配合客户与 ARM 及 Synopsys 合作建构的 IP 设计平台,提供一个非常完整的 28奈米解决方案。
28HLP及28HPM将为推动成长双引擎
联电目前28HLP制程已进入产品试产阶段,28HPM制程也将在2012年中进入试产阶段,联电乐观预期,28HLP及 28HPM将成为推动联电高阶制程成长的双引擎,在未来数年中强化联电的竞争力并提供客户最适切之晶圆专工解决方案。





