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东电电子与田中贵金属开发成功钌回收技术
时间：2010-11-29 06:31:00
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[导读]东电电子（TEL）与田中贵金属工业宣布，两公司共同开发的钌（Ru）回收技术已成功确立。该技术可在使用CVD装置形成作为铜（Cu）布线的下层膜（Liner膜）的Ru膜时，对CVD用Ru材料（钌前驱体）中未用于成膜而废弃的Ru进
东电电子（TEL）与田中贵金属工业宣布，两公司共同开发的钌（Ru）回收技术已成功确立。该技术可在使用CVD装置形成作为铜（Cu）布线的下层膜（Liner膜）的Ru膜时，对CVD用Ru材料（钌前驱体）中未用于成膜而废弃的Ru进行回收提炼，并加以循环再利用。据称，由此不仅可以有效利用贵金属Ru，而且还能削减二氧化碳（CO2）排放量。
在此次的共同开发中，东电电子开发了在Ru-CVD装置内对没有沉积到晶圆上的残留物进行回收的装置，而田中贵金属工业则开发了提炼已回收的残留物并加以再利用的技术。据称，由此次的技术，Ru前驱体成本可削减约20％。另外，提炼Ru前驱体时新生成的CO2等也能够削减约30％。
东电电子目前已涉足应用范围不断扩大的Cu布线相关制造装置市场。手握Ru-CVD技术是这一举动的关键。该公司设想支持3X～2Xnm的Cu布线工艺，首先利用溅镀机使厚约5nm的势垒金属（钽或钛类）成膜，然后利用CVD形成厚约2nm的Ru Liner膜。接着利用溅镀机使厚约10nm的Cu籽晶层成膜，最后镀铜。其中，Cu籽晶层形成之前的工艺利用8腔构成的装置连续处理。该工艺中势垒金属、 Liner膜及籽晶层的膜厚合计不到20nm，比现有溅镀机法所需要的40nm左右减少了一半。作为该技术的一环，东电电子与田中贵金属工业共同开发出了此次的Ru回收技术。另外，此次的技术还预定在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出。（记者：长广 恭明）
在此次的共同开发中，东电电子开发了在Ru-CVD装置内对没有沉积到晶圆上的残留物进行回收的装置，而田中贵金属工业则开发了提炼已回收的残留物并加以再利用的技术。据称，由此次的技术，Ru前驱体成本可削减约20％。另外，提炼Ru前驱体时新生成的CO2等也能够削减约30％。
东电电子目前已涉足应用范围不断扩大的Cu布线相关制造装置市场。手握Ru-CVD技术是这一举动的关键。该公司设想支持3X～2Xnm的Cu布线工艺，首先利用溅镀机使厚约5nm的势垒金属（钽或钛类）成膜，然后利用CVD形成厚约2nm的Ru Liner膜。接着利用溅镀机使厚约10nm的Cu籽晶层成膜，最后镀铜。其中，Cu籽晶层形成之前的工艺利用8腔构成的装置连续处理。该工艺中势垒金属、 Liner膜及籽晶层的膜厚合计不到20nm，比现有溅镀机法所需要的40nm左右减少了一半。作为该技术的一环，东电电子与田中贵金属工业共同开发出了此次的Ru回收技术。另外，此次的技术还预定在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出。（记者：长广 恭明）
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