IBM联盟否认在Gate-first高k工艺上遇到了问题

IBM技术联盟成员GlobalFoundries和Samsung否认了近期联盟在高k/金属栅技术上遇到了麻烦。

在高k/金属栅上IBM集团采用Gate-first工艺，而Intel和台积电等大厂则采用Gate-last工艺。

Barclay银行分析师Andrew Lu称，IBM集团在采用Gate-first工艺的过程中遇到了热稳定性、阈值电压漂移和栅堆叠层再生长等问题，这对于PMOS来说是非常严重的问题。

Lu还表示，预计台积电有望凭借Gate-last工艺在28nm转移战中占得先机。

但IBM集团成员否认这一说法。GlobalFoundries称，在Gate-first问题上存在着一些误区。“我们和金融分析师的联系不是很紧密，因为我们不是一家上市公司，所以他们得到的并非最新信息。”三星则称：“大家都知道我们在6月就认证了32nm高k/金属栅工艺，并未遇到这种问题。”

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http://www.eetimes.com/electronics-news/4208861/IBM--fab-club--denies-problems-with-high-k-semiconductor