LTE多频多模风潮引爆　手机射频前端设计大改造

手机射频前端(RF Front-end)将转向高整合及薄型封装设计。随着长程演进计划(LTE)多频多模设计热潮兴起，智能手机射频前端不仅面临多天线或多频段干扰，以及设计空间吃紧的挑战，还须支援载波聚合(Carrier Aggregation, CA)增进讯号接收能力，因而牵动相关芯片开发商加紧部署新一代射频制程，并改进单晶微波积体电路(MMIC)、射频开关等元件的功能整合度和占位体积，从而满足手机制造商更加严格的规格要求。

英飞凌应用工程暨技术行销总监Heiss Heinrich表示，随着移动资讯传输量大增，下一代多频多模LTE智能手机将侧重射频前端设计，以提升天线效能，并解决功耗和频段干扰问题，同时也将进一步导入电信商要求的载波聚合功能。因此，射频芯片商亦须精进制程、功能整合度和封装技术，才能因应手机厂对射频相关元件愈来愈严格的要求。

英飞凌应用工程暨技术行销总监Heiss Heinrich提到，英飞凌未来将持续推出更高整合度的射频前端解决方案。

Heinrich也强调，目前英飞凌已成为手机射频暨电路保护装置市场的龙头，为抢占LTE多频多模系统设计先机，近期已采用第八代矽锗碳异质双极电晶体(SiGe:C HBT)技术，分别针对3G/4G及全球卫星定位系统(GPS)等应用，率先开发出高整合度低杂讯放大器滤波器(LNA-Filter)MMIC；同时也发表新的互补式金属氧化物半导体(CMOS)射频开关，全面提升手机在高杂讯环境下的讯号接收和处理能力。

英飞凌亚太区应用工程主管蒋志强补充，智能手机升级LTE多频多模规格，须增加天线、开关和放大器数量才能支援更多频段，因此如何缩减手机射频前端的印刷电路板(PCB)占位空间，已成为芯片商首要克服的议题；再加上手机须兼顾高传输效能、轻薄与长效电力，更使MMIC芯片设计面临极大考验。

双极矽锗碳制程，并逐步导入各种薄型封装方案，确保射频元件达成精巧尺寸和优良的线性度表现。

Heinrich指出，透过该公司第八代双极矽锗碳制程将能提高低杂讯放大器的灵敏度，而薄型封装则可降低射频模组和开关的谐波生成，更进一步改善移动装置内部的多天线和多频段干扰问题。

事实上，双极矽锗碳技术不仅有助打造LTE多频多模系统，亦适用于60GHz以上超高频应用，可实现高效率、Gbit/s以上速度的点对点(Point-to-Point)通讯及资料传输，正逐渐在高阶移动装置的射频应用领域大放异彩；随着各种要求小型、高效能且低功耗的射频前端设计崛起，该技术更可望协助英飞凌持续扩张市场影响力。