英特尔携Tri-Gate技术向ARM发出挑战

IHS iSuppli公司的研究显示，凭借其新型Tri-Gate 3-D晶体管技术，英特尔将得到其所需的低功率微处理器，进军平板与智能手机半导体市场，并击退ARM芯片可能向PC领域发起的进攻。

英特尔将利用其22纳米制程技术生产基于3-D tri-gate晶体管的x86微处理器。这些微处理器的功耗将不到采用32纳米制程和传统平面晶体管的器件的一半，但性能毫不逊色。

功耗下降50%非常可观。电子器件的功耗越小，电池的续航时间就越长，用户就能移动更远的距离。

英特尔的举措，将使其能够再度试图在平板与智能手机芯片组市场建立自己的地盘。现在该市场由基于ARM的应用与基带处理器占据。但是，虽然更小的制程将帮助英特尔渗透移动设备市场，但这只是其中的一个因素，对于这些类型的器件来说，功率效率还要求对处理器进行系统级优化。

ARM势头强劲

Tri-Gate技术也可以充当英特尔的防御手段。在其核心的PC微处理器领域，英特尔正面临来自ARM的新挑战。微软在2011年第一季度宣布，将在下一版Windows操作系统中支持ARM微处理器，这在全球PC市场中是一个重大变化。以前Windows几乎一直是x86的独家操作系统。

凭借历来在功耗方面的优势，ARM可能坚持打入PC领域的x86核心市场，尤其是在笔记本领域。但是，Tri-Gate将使X86能够更好地抗衡ARM。就功耗而言，在笔记本、上网本、平板电脑和智能手机等低功耗设备方面，X86与ARM竞争的能力将变得更强。

值得大批量生产

英特尔的Tri-Gate晶体管技术采用3D结构，可以大大提高功率效率。3D概念在芯片制造方面并不是新东西，台积电和IBM几年来一直在开发这种技术。但是，与台积电/IBM的努力不同，英特尔的Tri-Gate技术已可批量生产，这是重大的技术成就。

投入大批量生产的能力，应该使英特尔比竞争对手具有两到三年的制造优势。

英特尔Tri-Gate技术的其它优势包括制程缩小能力、成本、产品路线图和不必使用特殊晶圆。

当下一代光刻设备问世的时候，Tri-Gate可以缩小到小于20纳米的水平，从而可以进一步提高性能、改善功耗和降低成本。另外，Tri-Gate技术的单位器件制造成本只比传统平面技术高出2-3%左右。

Tri-Gate也为英特尔提供了一个路线图，把它的22纳米半导体制程扩展到Atom平台，这可能促成可以用于手机的低功耗微架构的出现。

最后，转向tri-gate晶体管使得英特尔不必采用绝缘硅(SOI)结构就能够制造全耗尽晶体管。这样就不必使用成本高于普通晶圆的特殊SOI晶圆。

早该如此

英特尔在PC和服务器X86微处理器市场的主要对手AMD，多年来一直在致力于降低芯片功耗，与英特尔相似。

实际上，AMD最近推出了其加速处理器(APU)，把微处理器内核与图形处理器组合在同一个芯片之中。AMD芯片也着眼于在系统层面延长电池续航时间。