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0.18微米BCD工艺在华虹NEC进入量产
时间：2010-12-30 11:02:34
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[导读]世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.18微米BCD180工艺技术进入量产。该新型BCD180工艺平台是华虹NEC针对数字电源、电机驱动、音频功放、LED驱动、电池保护
世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.18微米BCD180工艺技术进入量产。该新型BCD180工艺平台是华虹NEC针对数字电源、电机驱动、音频功放、LED驱动、电池保护和高端电源管理等新兴应用而开发的，具有高集成度、低功耗、低开启电阻、多样工艺选项和可编程等优点，极大地方便客户选择，为客户提供更多的价值。
作为国内首家提供0.35微米BCD和CDMOS量产工艺平台的代工厂，华虹NEC积累了丰富的BCD工艺技术的开发和生产经验。基于量产五年以上的成熟的0.18微米逻辑CMOS工艺，结合自身积累的BCD技术，华虹NEC进一步开发了具有国际先进水平的0.18微米BCD量产平台，性能指标达到国际先进水平，由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.18微米BCD量产工艺的代工厂之一。
该工艺平台配备了业界标准的1.8V/5V的数模混合CMOS技术，有助于减少设计人员开发和验证逻辑电路的时间，从而减少开发周期。精心设计的高功率LDMOS具有世界先进水平的低导通电阻和栅寄生电容，其最大工作电压可达40V，主要面向模拟和高速开关应用，提高了产品的稳定性和可靠度，开关速度更快，能量转化效率更高，安全工作区更广。
“BCD180提供了垂直的NPN，水平的PNP和衬底PNP三种双极型器件，来简化客户的设计并且更具有灵活性，独特设计的LDMOS提高了客户的竞争力，同时配备了一系列可选器件如高精度的电阻、高密度的电容及一次与多次可编程存储器(OTP/MTP)等供客户选用。”华虹NEC副总裁兼首席技术官梅绍宁博士表示，“为满足日益增长的电源管理芯片市场需求，华虹NEC成功开发了0.18微米BCD技术平台，以期为高端电源管理SOC芯片提供最佳代工解决方案。公司将继续深耕模拟领域，不断提高技术水平，致力成为BCD领域的领航者。”
作为国内首家提供0.35微米BCD和CDMOS量产工艺平台的代工厂，华虹NEC积累了丰富的BCD工艺技术的开发和生产经验。基于量产五年以上的成熟的0.18微米逻辑CMOS工艺，结合自身积累的BCD技术，华虹NEC进一步开发了具有国际先进水平的0.18微米BCD量产平台，性能指标达到国际先进水平，由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.18微米BCD量产工艺的代工厂之一。
该工艺平台配备了业界标准的1.8V/5V的数模混合CMOS技术，有助于减少设计人员开发和验证逻辑电路的时间，从而减少开发周期。精心设计的高功率LDMOS具有世界先进水平的低导通电阻和栅寄生电容，其最大工作电压可达40V，主要面向模拟和高速开关应用，提高了产品的稳定性和可靠度，开关速度更快，能量转化效率更高，安全工作区更广。
“BCD180提供了垂直的NPN，水平的PNP和衬底PNP三种双极型器件，来简化客户的设计并且更具有灵活性，独特设计的LDMOS提高了客户的竞争力，同时配备了一系列可选器件如高精度的电阻、高密度的电容及一次与多次可编程存储器(OTP/MTP)等供客户选用。”华虹NEC副总裁兼首席技术官梅绍宁博士表示，“为满足日益增长的电源管理芯片市场需求，华虹NEC成功开发了0.18微米BCD技术平台，以期为高端电源管理SOC芯片提供最佳代工解决方案。公司将继续深耕模拟领域，不断提高技术水平，致力成为BCD领域的领航者。”
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