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采用TRIQUINT CuFlip技术的器件已出货超1亿片

时间：2010-07-15 10:26:34

关键字： TRIQUINT 器件 IP技术 EDGE

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[导读]TRIQUINT半导体公司日前强调了其铜凸倒装晶片互连专利技术（CuFlip）的成功，采用其铜凸倒装晶片技术的器件出货量已突破1亿大关。CuFlip(读作CopperFlip)具有优异的射频性能和设计灵活性，可加快生产和组装速度。Tri

TRIQUINT半导体公司日前强调了其铜凸倒装晶片互连专利技术（CuFlip）的成功，采用其铜凸倒装晶片技术的器件出货量已突破1亿大关。CuFlip(读作CopperFlip)具有优异的射频性能和设计灵活性，可加快生产和组装速度。TriQuint产量最高的CuFlip™产品是TQM7M5012（HADRONIIPAModule™功放模块），助力于全球各种主流的消费电子设备。

TQM7M5012的设计灵活性，在其支持的广泛产品随处可见。30多家客户采用这一器件用于数据卡、上网本和电子阅读器、M2M设备以及许多业界最流行的3G智能手机上，如：

•全球五大手机原始设备制造商（OEM）中的四家

•全球三大数据卡提供商

•全球五大智能手机制造商中的三家

•全球最流行的无线阅读设备

TQM7M5012是一种5x5mmHADRONIIPolarEDGE功率放大器模块（PAM），其尺寸比前代产品减少50%。这个高度集成的模块包含了功率放大器，适用于GSM/EDGE无线手机和GSM850/900/1800/1900波段数据传输设备，同时支持class12GPRS模式和E2开环极性EDGE模式，在临界GMSK模式下，其耗电量和噪声性能达到最佳水平。从而显著提高了手机电池使用寿命和散热率。

TQM7M5012设计灵活性部分得益于TriQuint独特的CuFlip™互连技术。CuFlip采用统一的的铜凸点提高了产品性能、可靠性和生产扩展性。凸点封装与丝焊不同，由于不需经过环氧体和背面镀金电路铜，因此有助于提高散热率和导电性，让更直接的的信号传输和更好的散热路径传送至器件。此外，CuFlip可以极大地降低z向高度，与同类产品相比整体尺寸更小，高度更低，支持超薄的设备设计。

CuFlip技术可以简化标准贴装技术(SMT)器件组装工艺的装配过程，有助于缩短生产周期，提高组装线产量。铜柱一致性可以确保精确的制造公差，提高参数成品率和产能利用率。

TriQuint半导体的中国区总经理熊挺指出：“CuFlip技术使TriQuint具备战略差异化的优势。CuFlip技术具有优异的射频性能和设计灵活性，可以加快产品组装速度，从而帮助我们的客户节省成本。”

TriQuint的CuFlip技术将用于即将推出的多种产品线，包括支持双波段和四波段、GSM/GPRS(2G)和GSM/GPRS/EDGE(2.5G)应用的QUANTUMTxModule系列，以及支持WCDMA/HSUPA应用的TRITONPAModule™系列。两种系列产品专门满足业界领先收发器芯片组供应商的需求。