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[导读]飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起,于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China2010展会上发表演说,阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。 飞兆半


飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起,于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China2010展会上发表演说,阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。
飞兆半导体技术专家RobertKrause将发表题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪声抑制》的文章,重点阐述大功率MOSFET和IGBT在多相功率转换应用中的运作,以及如何优化抗噪能力,也会探讨使用光耦合MOSFET驱动器来提升栅极驱动电路的抗噪声能力。
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