高通与TSMC携手合作28纳米工艺技术
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小尺寸与低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案之重要特色。奠基于双方长久的合作关系，高通与TSMC正携手将产品从45纳米工艺直接推进至28纳米工艺。
TSMC全球业务暨行销副总经理陈俊圣表示，TSMC一向致力于提供客户先进技术平台及设计生态系统，我们的28纳米工艺平台可以为崭新世代的产品带来更多高效能、低耗电的产品体验。我们很高兴能与全球通讯领导厂商－美商高通公司携手合作，使得更多使用者的新体验得以实现。
高通资深副总裁暨高通通讯科技总经理Jim Clifford表示，高通藉由领先业界的整合、兼具功耗及成本效益的产品，为客户带来「利用最少资源，获得更多效益」的重要优势，其关键在于与TSMC的紧密合作。高通藉由整合式无晶圆制造模式及不断跨入更先进工艺，将持续为全球的移动电话、智能手机、智能笔记本电脑等用户带来最佳的移动通讯体验。
高通与TSMC过去在65纳米与45纳米工艺技术合作十分密切，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28纳米世代进行量产。28纳米工艺密度可较前一代工艺高出一倍，让执行移动运算的半导体元件能在更低耗电下提供更多功能。高通与TSMC目前在28纳米世代的合作包括高介电层／金属闸（high-k metal gate, HKMG）的高效能工艺技术以及具备氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）的低耗电高速工艺技术。此外，高通预计于2010年年中投产首批 28纳米产品。
高通整合无晶圆厂制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的关键，乃是与策略性技术及集成电路制造伙伴密切合作，这不但展现极高的效率，也加速整个产业的技术发展。
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