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美信推出业界第一款大容量、表贴、单片式NV SRAM模块

时间：2007-06-13 10:14:34

关键字： SRAM BSP 器件温度

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[导读]美信(Maxim Integrated Products)的全资子公司Dallas Semiconductor，推出业界第一款大容量、单片式、表贴非易失(NV) SRAM模块：DS2070W+100(2M×8位)以及DS3070W+100(2M×8位，集成RTC)，内置可经受回流焊的电池。

美信(Maxim Integrated Products)的全资子公司Dallas Semiconductor，推出业界第一款大容量、单片式、表贴非易失(NV) SRAM模块：DS2070W+100(2M×8位)以及DS3070W+100(2M×8位，集成RTC)，内置可经受回流焊的电池。

     与目前市面上其他NV SRAM模块不同，DS2070W/DS3070W NV SRAM模块极其简单。该系列器件采用单片式方案，内置可经受回流焊的电池。可以采用标准装配流程很简单的实现该系列器件的安装：可以通过现有的拾取/贴放机从装有器件的卷带上拾取并贴放器件。该系列器件还兼容于标准的SMT工艺，可以承受最长30秒钟的+225℃(+0/-5℃)的峰值回流焊温度。完成回流焊后，该模块可以采用水清洗流程，无需任何附加措施。

     当与竞争对手的传统两片式表贴方案相比，DS2070/DS3070的可回流焊电池就更显其重要性。两片式表贴方案需要额外增加装配工序及成本：安装电池时需要尤其小心，因为当前业界所使用的一次性电池不能采用回流焊。因此，通常都是先采用回流焊工艺将基底(不带电池)焊到的电路板上，然后在装配工序最后阶段才将电池手工安装到基底上。DS2070W/DS3070W免去了这些装配工序，缩短了生产周期并降低了成本。

      DS2070W/DS3070W是一个高度集成的模块，方便使用，器件利用智能电路持续监控VCC，防止意外掉电引起重要数据的丢失。VCC接到模块上时，外部电源对内部的锂锰电池充电，同时为SRAM供电，允许用户修改SRAM的内容。当电源电压超出容限时，器件自动接通电池，并且无条件启动写保护，以防止数据丢失。器件可以无限次执行写操作，与微处理器接口时无需任何附加电路。
      DS2070W/DS3070W单片式NV SRAM模块是全静态存储器，结构和功能上与当前公司现有的单片式NV SRAM模块相类似。该系列模块可以替代SRAM、EEPROM、或闪存，这些器件的容量介于32k×8位至2M×8位之间。不同容量的器件均具有相同的封装形式和引脚排布，方便用户在不改变主体设计的情况下扩展存储器容量。

       DS2070W/DS3070W采用RoHS兼容、27mm×27mm、256焊球BGA封装，与外界环境实现完全隔离。该系列器件规定工作在-40℃至+85℃工业级温度范围。DS2070W+100的起价为$38.41，而DS3070W+100的起价为$42.25(1000片起，美国离岸价)。