43纳米NAND闪存问世 三季度投入量产

    2008年2月19日硅谷动力资讯中心获悉：近日，东芝宣布成功开发出专用于16-Gigabit (Gb)NAND闪存芯片的新技术。 

　　据悉，此款闪存采用43纳米工艺技术制造，由东芝与美国SanDisk公司共同开发。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）上崭露头角。 

　　新型16Gb产品的芯片大小约为120平方毫米，比东芝和SanDisk共同开发、采用56纳米工艺技术制造的同密度NAND闪存小30%左右。这款新品的存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56纳米产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。这种技术有助于减少选择栅的数量并且提高存储区的效率。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量，其对外围电路设计的改进可减小芯片体积。这款产品的接地总线排布在存储单元阵列上。 

　　另悉，东芝已从2月7日开始出货16Gb单芯片、多层单元（MLC）NAND闪存的样品，预计今年三季度开始量产。 

　　结合先进工艺和MLC技术，不断提高生产效率，东芝希望以此增强其成本竞争力，满足NAND闪存市场的需求。