2010决胜年 ASML 主攻38纳米、EUV设备
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全球最大半导体微显影设备业者ASML表示，目前客户订单增加相当多，但主是来自半导体业者制程微缩而非产能扩充的需求，半导体业者仍持续微缩半导体制程，摩尔定律预料将持续延续。以目前ASML最先进的浸润式微显影机种来看，新一代的机种NXT 1950i 也已于2009年下半出货，未来将快速增加出货，同时深紫外光(EUV)也至少囊括5套客户订单，对ASML来说2010年将是极重要的一年。
ASML NXT技术平台资深经理Frank van de Mast指出，XT1900Hi的下一代机种NXT 1950i目前可因应38纳米制程技术，但在叠影技术上可以做到更为精密的程度达2纳米，而且产出速度更快，1小时产出可达175~200片晶圆。外界预测，采用ASML NXT 1950i最精密的浸润式显影机种多半的客户订单应该来自存储器晶圆厂。
此外，在颇受业界瞩目的深紫外光(EUV)方面，ASML所采用的Cymer光源已可以从20瓦提高到75瓦，达到1小时生产60片晶圆不成问题，预计可在2010年达到此目标，并计划在2014年达到每小时180片晶圆的高生产率。
EUV 微显影系统副总Ron Kool指出，EUV平台NXE 3100预期2010年可以做到27纳米，ASML对于EUV有相当完整、积极的技术蓝图规画，预期在NXE 3100之后相继推出NXE3300B等后续机种持续提高生产力，最快预计将在2012年第1季问世，足以因应22~16纳米以下制程所需。
ASML 目前至少已经确保从6家客户端获得来自5套EUV系统订单，包括三星电子(Samsung Electronics)及超微(AMD)晶圆生产部门都采用EUV开发新产品，且ASML与三星的技术蓝图几乎紧密相关。
ASML 研发副总Jos Benschop亦表示，尽管目前业界在双重曝光显影之后也有提出三重曝光(triple patterning)技术，技术上是可行的，不过他认为更重要的是经济规模能否降低成本，以目前深紫外光所能达到的技术突破，在成本上已经可以因应量产，使三重曝光显影技术更有竞争力。
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