Gate-first HKMG工艺不行了？IBM技术联盟成员辟谣忙
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以IBM公司为首的芯片制造技术联盟，即GlobalFoundries，三星等公司组成的团体最近驳斥了有关该联盟在开发high-k+金属栅极(HKMG)工艺时遇到困难的传言。
风波的起因在于近日Barclays的分析师Andrew Lu的一份报告，这份报告指出：“HKMG技术的目的在于减小栅极尺寸变小时的栅漏电量。”文章指出，在如何实现HKMG技术方面，业界分为两大流派，其一是Intel，台积电为首的Gate-last派，Gate last工艺将生成金属栅极的工步放在漏源极高温退火工步之后。Intel已经在其45nm制程上启用了这种工艺，目前的32nm则已经开始采用第二代HKMG技术。不过台积电则还没有采用HKMG工艺的产品上市。
相比之下，以IBM公司为首的芯片制造技术联盟则固守Gate-first工艺，这种工艺坚持采用常规方法，即栅极生成工步放在漏源极高温退火工步之前。不过目前为止该技术联盟仍未有HKMG产品大量上市。不过AMD计划于明年上半年推出采用Gate-first工艺制作的HKMG产品，AMD的处理器目前由GlobalFoundries代工。
不过这份报告同时宣称：“Gate-first阵营最近在开发HKMG工艺过程中似乎遇到了一些问题。由于Gate-first工艺中金属栅极需经受高温工步，因此这种工艺对栅极材料的热稳定性有较高要求，很容易出现管子门限电压增大的问题。”报告同时还称：“我们认为台积电在28nm HKMG工艺节点将取得领先。”
有关Gate-first与Gate-last工艺的详细差别，有兴趣的读者可阅读这个链接。
不过，IBM技术联盟的成员之一GlobalFoundries随后很快对这份报告进行了反驳。他们表示：“看来有些人似乎还没有完全搞清楚Gate-first HKMG技术。由于我们是私有企业，因此我们一般不和像Barclay这样的公司有过多的接触，所以这类公司一般无法从我们这里得到有关新技术的最新动向。实际上，我们在32nm HKMG工艺上的进展相当顺利，有关产品的门限电压值也没有如这份报告所说的与Gate-last有很大的差异。我们今年晚些时候会开始在Fab1工厂试产有关的产品。”大有斥责对方“不懂不要乱喷”的意味。
三星电子也辟谣称：“如果大家都还记得的话，我们早在今年6月份便宣布了我们的32nm低功耗HKMG工艺已经通过了全面验证，验证的过程包括1000小时的高温耐久测试，经过测试后我们的产品没有发现任何问题。”
这场风波中的双方究竟孰对孰错，看来只有留待实际上市产品的性能来证明了。
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