东芝采用硅上氮化镓工艺打造白光LED产品
时间：2013-08-14 10:09:47
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[导读]21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)最近推出采用硅上氮化镓(GaN-on-Si)工艺打造的白色LED产品。LED可降低正向电压(VF)，属于亚瓦型低功耗产品。该产品将以两种封装推出：采用3.0 x 1.4mm封装的TL2FK系列以及采用
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)最近推出采用硅上氮化镓(GaN-on-Si)工艺打造的白色LED产品。LED可降低正向电压(VF)，属于亚瓦型低功耗产品。该产品将以两种封装推出：采用3.0 x 1.4mm封装的TL2FK系列以及采用3.0 x 3.0mm封装的TL3GA系列。该产品计划于2013年8月投入量产。
应用
一般照明光源，包括直管灯、灯泡、衬底灯光和天花灯
特性
1. 采用硅上氮化镓工艺打造
2. 两个系列产品分别以3.0 x 1.4mm和3.0 x 3.0mm两种不同封装推出
3. 低功耗
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