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应用材料投身3D IC TSV技术研发
时间：2008-12-14 11:48:14
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[导读]看好未来3D IC市场的发展，应用材料日前宣布将加强投入通孔硅(TSV)技术的研发。由于包括DDR4、DRAM及通信芯片的尺寸要求微缩、但速度要求更快、功能要求更强大，因此3D IC需求飞速提升，也带动了TSV技术未来的发展。
看好未来3D IC市场的发展，应用材料日前宣布将加强投入通孔硅(TSV)技术的研发。由于包括DDR4、DRAM及通信芯片的尺寸要求微缩、但速度要求更快、功能要求更强大，因此3D IC需求飞速提升，也带动了TSV技术未来的发展。应用材料表示，未来除了自身研发外，还将与其他相关设备厂商合作研发高整合度、低成本、产品上市时间快速的系统设备。
应用材料现有12寸晶圆生产系统，包括光刻、刻蚀、薄膜沉积及化学机械抛光等系统，都可以运用在TSV制程当中。例如Centura Silvia就是一项可以提高效能、降低成本，能够应用于TSV的刻蚀系统。应用材料目前也正与Semitool合作开发TSV相关设备。根据设备厂商组成的EMC-3D协会预估，每片晶圆的TSV成本为190美元，但应用材料的目标是降低到150美元以下。
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