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DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）
时间：2010-10-13 14:09:08
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[导读]Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效
Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
在10V 的VGS电压下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10mΩ 及8.5mΩ。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通损耗降至最低。与此同时，DIOFET集成的肖特基二极管正向电压比同类MOSFET或肖特基二极管低25%，比典型MOSFET的本征体二极管低48%，从而最大限度地降低了开关损耗，提高了效率。DIOFET 集成的肖特基二极管拥有低反向恢复电荷，以及更软性的反向恢复特性，能进一步降低体二极管的开关损耗。
在基准测试中，DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载点转换器的可靠性。
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