ST二极管专利技术可大幅缩减充电器尺寸 并可加快充电速度

21ic讯 意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系，让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管的前提下满足要求最严格的能效标准。

Energy Star 6.0标准用于测试传统肖特基二极管在充电器和笔记本电脑适配器内达到的性能极限。同步整流二极管虽然性能优异，但是成本却比传统肖特基二极管高出很多。由于符合离线开关式电源节能标准的能效要求，同时成本比同步整流管低大约30%，意法半导体的FERD系列整流二极管引起了市场关注。

输出电流15A至2x30A，输出电压45V至60V， 场效应整流二极管采用意法半导体的单位面积内VF/IR 比最好的专利技术。例如，30A的场效应整流二极管的正向电压降比传统30A肖特基二极管降低大约140mV，同时泄漏电流保持不变。

在特定封装散热性能下，因为正向电压降更低，泄漏电流处理得更好，意法半导体技术提高了封装的输出电流容量。新产品有诸多优点，例如，加快智能手机和平板电脑的充电速度，缩减笔记本电脑充电器的尺寸和重量，因为场效应整流二极管的工作温度更低，有助于延长产品使用寿命。

FERD技术还非常适用于其它设备和系统，例如汽车应用中的续流二极管或电池极性接反保护;电信电源中的OR-ing二极管;工业系统中的整流二极管，为满足不同市场的需求，该系列产品提供各种额定电压和电流的场效应整流二极管。

目前上市的场效应整流二极管共有12款，提供TO-220AB、 D²PAK和PowerFLATTM 5 x 6三种封装。