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[导读]莱迪思半导体公司宣布推出其新的MachXO2™ PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本,低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,与MachXO™ PLD系列相比,Ma

莱迪思半导体公司宣布推出其新的MachXO2™ PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本,低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,与MachXO™ PLD系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器、降低了100倍以上的静态功耗并减少了高达30%的成本。此外,在低密度可编程器件应用中的一些常用的功能,如用户闪存(UFM)、I2C、SPI和定时器/计数器已固化到MachXO2器件中,为设计人员提供了一个适用于大批量、成本敏感设计的“全功能的PLD”。
 
“通过65纳米嵌入式闪存技术的使用,为我们计算机,工业和电信基础设施市场的用户降低了成本,并增加了功能,同时为消费者设备的设计人员大大降低了功耗,”低密度和混合信号解决方案营销总监Gordon Hands说道。 “许多早期用户已经在评估MachXO2器件,并在广泛的应用中用MachXO2器件进行设计。”

三款器件选择提供了最大的设计灵活性
 
MachXO2系列提供了三种最大的灵活性选择。MachXO2 ZE器件拥有256到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为1.2V,并支持高达60MHz的系统性能。可提供低至19uW的功耗和小至2.5mmx2.5mm封装,MachXO ZE器件专为成本敏感、低功耗的消费类应用设计而优化,如智能电话、GPS和PDA等。

MachXO2 HC器件拥有256到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为3.3V或2.5V,并支持高达150MHz的系统性能。提供多达335个用户I/O和强大的设计解决方案(瞬时上电、非易失性、输入迟滞和单芯片),这些器件是控制型可编程逻辑器件应用在终端市场的理想选择,如电信基础设施、计算、工业和医疗设备。

MachXO2 HE器件拥有2K到7K查找表(LUT),工作电源电压标称值为1.2V,并支持高达150MHz的系统性能。这些器件专为功耗敏感的系统应用而优化。

早期客户的反应

 “在过去的两年里,我们已经在我们的CCTV视频光纤多路复用器中使用了MachXO PLD,因为他们提供了令人赞赏的系统集成优势,并将灵活和符合成本效益的架构整合在一起,” Obtelecom工程副总裁Zhu Guangxin先生说道。 “对于我们的下一代产品,MachXO PLD将使我们能够以较低的价格为我们的客户提供更多的功能。”
      
 “我们一直在用MachXO2器件进行设计,并将它们用于我们的CNC(计算机数控)产品,”KND CNC Technique研发经理An Luping先生说道, “MachXO2系列独特的系统集成优点,例如固化的I2C / SPI功能和用户闪存,低功耗和极具吸引力的价格相结合,使我们使用这些器件作为替代高风险和昂贵的分立器件ASIC和ASSP的选择。“

免费设计工具和免费参考设计加速了开发时间 

今天用户可以用Lattice Diamond™ v1.1软件开始设计MachXO2器件设计器件,软件可以从莱迪思网站上免费下载
http://www.latticesemi.com/latticediamond/downloads/

现有ispLEVER ®软件的用户可以选择使用免费的ispLEVER v8.1 SP1 Starter软件,并安装控制包,软件可从莱迪思的网站下载。请访问
http://www.latticesemi.com/starter


为了能够快速、高效地进行设计,并在系统和消费者应用中使用常用的功能,有20多个使用MachXO2器件的参考设计可以从莱迪思网站免费下载。
http://www.latticesemi.com/referencedesigns


此外,莱迪思计划提供两种开发套件,以加快对MachXO2器件的评估。详情可见
http://www.latticesemi.com/machxo2devkits

定价和供货情况

现在提供MachXO2 LCMXO2 - 1200ZE和LCMXO2 - 1200HC器件的Alpha样片,预计在2010年12月可获取工程样片,在2011年3月生产器件。对500KU的批量订购,TQFP100 封装的LCMXO2-256ZE/HC定价为每片0.75美元,TQFP100封装的LCMXO2-1200ZE/HC定价为每片2.00美元。MachXO2系列的所有成员预计将在2011年第三季度末批量发货。
 

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