Fairchild 推出功率器件解决方案

    飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新Stealth™ II 和 Hyperfast II二极管技术，作为其专为LCD TV开关电源 (SMPS) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的FFP08S60S 和 FFPF08S60S Stealth II二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25nS @ 600V击穿电压)。这些特性非常适合于在CCM (连续电流模式) 功率因数校正 (PFC) 设计中改善EMI 和 MOSFET开关损耗。同时推出的还有FFPF08H60S Hyperfast II二极管，具有很快的反向恢复时间 (trr < 35nS @ 600V击穿电压) 和很低的前向电压降(Vf < 2.1V)，有助于在DCM (不连续电流模式) PFC设计中减小传导损耗及提高能效。新Stealth II 和 Hyperfast II技术的开发是要与飞兆半导体现有的UniFET™ 及 SuperFET™ MOSFET技术系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高LCD TV电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低EMI。 

    LCD TV的SMPS一般工作在两类PFC电流模式下：CCM 和 DCM。为了优化CCM设计，飞兆半导体的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的UniFET MOSFET同用。UniFET器件与新型的Stealth II二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%。同样地，飞兆半导体新推出的FFPF08H60S Hyperfast II二极管也可与相同的UniFET器件共同使用，在DCM PFC工作模式下提高效率和雪崩保护能力。

    现在的LCD TV SMPS必须在开关模式工作中降低功耗，并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的SuperFET快速恢复MOSFET (FRFET) 产品便经过优化以满足这种设计要求。结合SuperFET技术和控制少子寿命的工艺，SuperFET FRFET能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性，以及降低其EMI。

    全新Stealth II和Hyperfast II产品采用采用无铅封装，能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

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