全新HEXFET®功率MOSFET系列（IR）
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”
新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品规格
器件编号 | BVDSS | 10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) | 4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) | 典型Qg | |
IRLML9301TRPBF | -30V | 3.6 A | 51 / 64 | 82 / 103 | 4.8 nC |
IRLML9303TRPBF | -30V | 2.3 A | 135 / 165 | 220 / 270 | 2.0 nC |
IRLML0030TRPBF | 30V | 5.2 A | 22 / 27 | 33 / 40 | 2.6 nC |
IRLML2030TRPBF | 30V | 2.7 A | 80 / 100 | 123 / 154 | 1.0 nC |
IRLML0040TRPBF | 40V | 3.6 A | 44 / 56 | 62 / 78 | 2.6 nC |
IRLML0060TRPBF | 60V | 2.7 A | 78 / 92 | 98 / 116 | 2.5 nC |
IRLML2060TRPBF | 60V | 1.2 A | 356 / 460 | 475 / 620 | 0.4 nC |
IRLML0100TRPBF | 100V | 1.6 A | 178 / 220 | 190 / 235 | 2.5 nC |
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