电源
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东芝推出业界最低电容的高速数据线专用ESD保护二极管
东京-东芝公司（TOKYO:6502）日前宣布推出一款ESD[1]保护二极管“DF2B7M3SC”,其电容为同类[2]最低的0.1pF,可保护USB3.0/2.0、HDMI®、eSATA、DisplayPort、Thunderbolt
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并联ADP1763 LDO稳压器以支持高输出电流应用
许多高性能混合信号产品，如高速模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)、捷变射频(RF)收发器、时钟、专用集成电路(ASIC)和现场可编程门阵列(FPGA)等，需要超低噪声、低压差(LDO
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PI新推CAPZero X电容自动放电IC
导读：日前，Power Integrations公司（简称“PI”）对外宣布推出CAPZero X电容自动放电IC,CAPZero IC经认证符合IEC CTL DSH 1080标准，可以自动实现X电容放电功能。日前，P
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电容降压原理的简单概述
电容降压的工作原理并不复杂。他的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流例如,在50Hz的工频条件下,一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆
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正确理解A/D转换器的输入
许多嵌入式应用都会用到A/D转换器。然而，如果错误连接了A/D转换器输入端的电路，就会无意识的破坏A/D转换的测量。 图1是A/D转换器和集成采样保持(S/H)电路的典型应用实
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多倍压整流电路
附图所示的科克罗夫特-沃尔顿(Cochcroft&Walton)电路是典型的多倍压整流电路。当将几个由二极管和电容器组成的半波倍压整流电路作几级串联连接时，交流电压经二极管D1～Dn在
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滁州惠科第8.6代TFT-LCD线主体厂房正式封顶 达产后产值不低于220亿元
8月30日上午，滁州惠科光电液晶面板第8.6代项目主体厂房正式在滁州经开区正式封顶，从2017年10月中旬打桩到2018年8月底主体厂房封顶，历时11个月。该项目是惠科的第二座液晶面板厂，达产后年产值不低于220亿元。
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创维未来几年可能会布局OLED面板研发
这段时间又进入一年一度的“秋季彩电新品发布季”，梳理已经亮相的新品的彩电企业，OLED电视、激光电视等偏高端显示属性的产品成为大家的重点布局方向。尤其在OLED电视上更是成为多个厂商的发力点，包括康佳、创维、索尼等都接连抱团发力出击OLED电视，再加上传闻海信这个原来OLED电视的“保守派”也将在今年IFA展入局。可以说，眼下OLED电视已经到了一个行业“新沸点”期。
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传苹果密访友达与晶电 这是要布局MicroLED面板技术？
业界传出，苹果近期派员来台密访友达与晶电，为下世代iPhone搭载的显示器新技术做准备。若友达或晶电能获苹果青睐，供应苹果Mini LED或Micro LED，将打破目前苹果面板供应链由韩、日等业者主导、独缺台厂的局面。最新技术，各大厂关注对手技术进展之际，会场也传出，苹果趁这次会展派员来台，除了看展之外，还特别拜访友达与晶电。
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光伏价格评析：MIP终止！欧洲市场订单将洗牌
本周硅料市场如预期般进入僵持，尽管九月已经来到眼前，但由于买卖双方对于价格还是有不小的差异，因此本周几乎没有成交。目前观察，不管在硅料或硅片企业端几乎都没有硅料的库存，因此谁先松手卖料或买料将决定价格的变化，但由于预期九月硅料的供给可以逐渐增加，加上下游的需求状况不佳，单晶致密料一旦开始成交，价格将会比目前的均价为低，但预期九月价格仍会在每公斤90元人民币之上。菜花料则是受到多晶硅片价格再度下降的压力，势必也要下修，但主要的变化将视多晶硅片企业的开工率来决定，如九月中下旬多晶硅片企业大幅度调整开工率，则菜
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三种在IGBT当中的错误解决方案
IGBT经常被应用在各类大功率电源当中，其好坏关系到电路的性能。本文将为大家介绍在IGBT中应用会遇见的一些问题，以及解决方法。 选用有效的过流保护驱动电路 在IGBT的
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直接数字频率合成器DDS的优化设计
新一代的直接数字频率合成器DDS，采用全数字的方式实现频率合成。与传统的频率合成技术相比DDS具有以下特点：（1）频率转换快。直接数字频率合成是一个开环系统，无任何反馈
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电容容量测试仪
这是一个比较复杂的电路|0">电路，但当你做出来以后，你就有了一个可以用来测量收音机中最大容量电容|0">电容的测试仪。电容不像电阻|0">电阻把阻值标在外壳上。很多电容的
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数字控制挑战传统电源设计理念VMC、CMC
电源设计之初所要求的基本决定之一是：采用电压模式控制(VMC)还是采用电流模式控制(CMC)。对任何设计而言，交易存在于两个执行方法之间。然而，由于数字控制方法的引入，这
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电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常
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