根据@北京亦庄(北京经济技术开发区)官微消息,11月27日,北京经济技术开发区管委会与小米科技签约仪式举行,随着双方签订《合作协议》,正式宣告小米汽车落户北京经开区。小米集团董事长雷军、总裁王翔等均出席签约仪式。据介绍,小米汽车项目将建设小米汽车总部基地和销售总部、研发总部,将分...
(A)为什么要将模拟地和数字地分开,如何分开?Answer:模拟信号和数字信号都要回流到地,因为数字信号变化速度快,从而在数字地上引起的噪声就会很大,而模拟信号是需要一个干净的地参考工作的。如果模拟地和数字地混在一起,噪声就会影响到模拟信号。一般来说,模拟地和数字地要分开处理,然...
近日,IDC(国际数据公司)表示,随着量子计算机的兴起,经典计算机将在未来十年内面临巨大的调整,并最终失去活力。IDC的全球研究主管PeterRutten认为,在性能密集型计算领域,量子计算机将会在未来十年间取代经典计算机,成为这一领域的支柱。根据Rutten的说法,在未来量子计...
去年9月份NVIDIA宣布斥资400亿美元收购ARM公司,当时他们雄心壮志,希望通过拿下ARM来扩大数据中心市场的力量,然而一年年后的现在,收购ARM公司面临的审核压力越来越大。根据NVIDIA与ARM母公司软银的协议,收购将在一年半时间内完成,但最多可以扩展到两年时间,也就是最...
LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电源转换器,通常情况下:LED驱动电源的输入包括高压工频交流、低压直流、高压直流、低压高频交流等。而LED驱动电源的输出则大多数为可随LED正向压降值变化而改变电压的恒定电流源。行业市场规模在LED照明应用市场的快速...
01常见LED驱动电源LED电源有很多种类,各类电源的质量、价格差异非常大,这也是影响产品质量及价格的重要因素之一。LED驱动电源通常可以分为三大类,一是开关恒流源,二是线性IC电源,三是阻容降压电源。1 开关恒流源采用变压器将高压变为低压,并进行整流滤波,以便输出稳定的低压直...
创办一所新大学不容易,想把一所新大学办好更难,因此想要把一所大学建设好必须面面俱到,所以从“玻璃大王”曹德旺捐赠100亿计划建立“福耀科技大学”那一刻起,这所福建新大学就备受关注,让人充满期待。12月2日消息,据第一财经报道,曹德旺日前在“2021年复旦管理学论坛暨复旦管理学奖励...
ISP图形处理单元是手机处理器中的重要一部分,是手机拍照、视频好坏的关键,近年来国内多家公司都开始自研ISP芯片,不过高通表示这种情况不会持续多久,很快都会被高通的新技术替代。来自南财的消息,在骁龙技术峰会上,高通回应了国产手机自研ISP的问题。对于中国国内有部分手机终端商自研的...
导读:行业主要上市企业:目前国内汽车芯片行业的上市公司主要有四维图新(002405)、兆易创新(603986)、全志科技(300458)、高鸿股份(000851)、闻泰科技(600745)、中颖电子(300327)、东软载波(300183)、比亚迪(002594)。定义汽车芯片是...
要说LED驱动电源设计并不难,前人的经验往往可以让工程师们少走许多弯路。古人有云:君子性非异也,善假于物也。善于借鉴他人的的经验与技巧不仅能让我们避免错误,还能帮助工程师们找出最快最有效的设计方法,节约时间成本。本文将为大家分享专家们经过大量实验总结出的七个LED驱动电源设计技巧...
苹果正在全力发展自家的桌面处理器,而他们已经在准备M3系列了,当然一同准备的还有M2系列。根据DigiTimes消息,苹果芯片代工合作伙伴台积电TSMC正在试产3nm工艺,也就是N3。台积电计划2022年第四季度开始大规模量产3nm工艺产品。台积电N3工艺的首批客户包括苹果和In...
12月2日消息,今日,集邦咨询公布了2021年第三季度全球十大晶圆代工厂营收排行,报告显示,第三季度晶圆代工产值高达272.8亿美元,季增11.8%,连续九个季度创下历史新高。具体来看,台积电依然坐稳晶圆代工厂的龙头席位,在苹果iPhone新机发布带动下,台积电第三季度营收达14...
首先:断路器要跳闸,需要符合两个条件1、故障电流达到或超过设定的动作电流值2、故障电流持续时间达到设定动作的时间所以要确保断路器不越级跳闸,必须在电流设定值和时间设定值上配合好。假设,第一级断路器过流保护定值是700A,持续时间设定值为0.6秒,那第二级断路器过流保护定值就应该按...
全文框架1.栅极驱动部分常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要...
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JF...