• 降压 - 升压稳压器:提升汽车传导抗扰性的关键组件

    在汽车电子系统日益复杂的当下,传导抗扰性已成为衡量汽车电子设备可靠性的核心指标之一。汽车内部存在着发动机、电机、继电器等大量干扰源,这些设备在运行过程中会产生电压波动、电磁噪声等干扰信号,若电子系统无法有效抵御这些干扰,轻则导致功能异常,重则引发安全事故。而降压 - 升压稳压器作为汽车电源管理系统中的关键组件,凭借其独特的工作原理和性能优势,在提升汽车传导抗扰性方面发挥着不可替代的作用。

  • 探究改变电源管理芯片参考点电压影响输出电压的原理

    在电子设备的供电系统中,电源管理芯片扮演着 “电力调控中枢” 的关键角色,它负责将输入电压稳定、精准地转换为设备各模块所需的输出电压。而参考点电压作为电源管理芯片内部的 “基准标尺”,其数值变化会直接导致输出电压随之改变。这一现象背后,涉及芯片内部的反馈控制机制、基准电压源特性以及功率调节模块的协同作用,本文将从原理层面深入剖析这一过程。

  • Y电容在快充EMI抑制中的安全等级选型:村田B32922C与TDK B32676的漏电流与阻抗实测

    在氮化镓(GaN)快充技术普及的当下,65W及以上功率段产品已占据主流市场。这类设备在实现高功率密度时,EMI(电磁干扰)抑制成为关键挑战。Y电容作为EMI滤波电路的核心元件,其安全等级选型直接影响产品认证通过率与用户安全。本文以村田B32922C系列与TDK B32676系列Y电容为样本,通过漏电流测试、阻抗特性分析及实际应用案例,揭示安全等级选型的核心逻辑。

    电源
    2025-09-23
    EMI Y电容
  • 外置电源EMI设计:差模与共模噪声的源头抑制与滤波器优化

    电力电子技术向高频化、小型化演进,外置电源的电磁兼容性(EMC)问题已成为制约产品可靠性的核心挑战。以车载充电器为例,其工作频率突破MHz级后,电磁干扰(EMI)噪声能量在150kHz-30MHz频段呈现密集分布,导致辐射发射超标成为行业通病。本文基于差模与共模噪声的物理本质,结合工程实践数据,系统阐述源头抑制策略与滤波器优化方法。

    电源
    2025-09-23
    外置电源 EMI
  • 无人机电池管理系统,高倍率充放电与热失控预警的软硬件协同设计

    无人机技术的快速发展对电池管理系统(BMS)提出了更高要求:既要满足高倍率充放电的瞬时功率需求,又要通过热失控预警保障飞行安全。以大疆Matrice 300 RTK和极飞P100 Pro农业无人机为例,其作业场景中频繁的爬升、悬停和快速转向动作,要求电池在10秒内释放峰值功率超过1200W,同时需在-20℃至60℃环境中稳定运行。这种极端工况下,传统BMS的单一保护策略已难以满足需求,软硬件协同设计成为破局关键。

  • 共模扼流圈在电源纹波抑制中的应用,差模与共模噪声的耦合解耦技术

    在新能源充电桩的电磁兼容测试实验室里,工程师小李盯着示波器上跳动的波形眉头紧锁——某款60kW直流快充模块的输出纹波峰值达到500mV,远超行业标准要求的120mV。当所有常规滤波手段用尽仍无改善时,他偶然发现将共模扼流圈的磁芯间隙从0.5mm调整至1.2mm后,纹波竟奇迹般降至80mV。这个意外发现揭开了一个被忽视的真相:共模扼流圈在电源纹波抑制中的角色远比想象中复杂,它既是共模噪声的克星,也可能成为差模噪声的帮凶,而解开这对矛盾的关键,就藏在差模与共模噪声的耦合解耦技术之中。

  • 频域分析法在纹波溯源中的应用,FFT变换与噪声分离的实战案例

    在电子系统开发中,纹波就像隐藏在电路中的"幽灵",时而引发数字信号的误触发,时而在音频系统中产生恼人的背景噪声。传统时域分析往往只能捕捉到纹波的表象,而频域分析法通过傅里叶变换(FFT)将时域信号转换为频谱图,如同为工程师配备了"X光透视镜",能够精准定位纹波的源头。本文将通过三个真实案例,揭示频域分析在纹波溯源中的实战技巧。

  • 解析 LED 供电核心:为何必须选择恒流驱动电源

    在 LED 照明、显示等应用领域,供电方案的选择直接决定了设备的性能、寿命与安全性。相较于传统照明设备,LED(发光二极管)作为一种半导体发光器件,其独特的电学特性决定了供电方式不能简单沿用恒压驱动模式。本文将从 LED 的工作原理出发,深入分析恒流驱动电源成为 LED 供电首选方案的核心原因,帮助读者理解这一技术选择背后的科学逻辑。

  • 锂离子电池充电管理芯片的恒流/恒压控制电路设计

    锂离子电池因其高能量密度、长循环寿命等特性,已成为消费电子、电动汽车等领域的核心储能元件。然而,其充电过程需严格遵循“恒流-恒压”两阶段控制策略,以避免过充导致的热失控或容量衰减。本文从电路拓扑、控制逻辑及工程实现三个维度,解析恒流/恒压(CC/CV)充电管理芯片的设计要点。

  • 开关电源MOSFET驱动电路的RCD缓冲设计详解

    在开关电源设计中,MOSFET作为核心开关器件,其开关过程产生的电压尖峰和电磁干扰(EMI)问题直接影响系统可靠性。RCD(电阻-电容-二极管)缓冲电路通过钳位电压尖峰、抑制振荡,成为保护MOSFET的关键技术。本文从工作原理、参数设计、优化策略三方面解析RCD缓冲电路的核心设计要点。

  • 电源模块并联均流控制电路的设计与调试技巧

    在数据中心、电动汽车、通信基站等高可靠性电力电子系统中,单模块电源的功率密度和冗余能力已难以满足需求,多模块并联技术成为提升系统容量与可靠性的关键方案。然而,模块间参数差异(如输出电压、内阻、温度系数)会导致并联时电流分配不均,轻则降低效率,重则引发模块过载损坏。本文结合工程实践,系统阐述并联均流控制电路的设计原则与调试技巧。

  • 电源模块灌封工艺与散热性能提升的工程实践

    在电力电子设备向高功率密度、高可靠性演进的趋势下,电源模块的散热设计已成为制约系统稳定运行的核心瓶颈。灌封工艺作为兼顾机械防护与热管理的关键技术,通过材料选择、工艺优化及结构创新,可显著提升模块的散热效率与环境适应性。本文结合新能源汽车OBC(车载充电机)与工业伺服驱动器的工程案例,系统阐述灌封工艺对散热性能的影响机制及优化策略。

  • 氮化镓(GaN)器件在低纹波电源中的应用,高频开关与低反向恢复损耗的协同优势

    在低纹波电源设计领域,氮化镓(GaN)器件正以独特的材料特性重塑技术边界。其核心优势源于高频开关能力与零反向恢复损耗的协同效应,这一组合不仅突破了传统硅基器件的物理极限,更在电源效率、体积优化及信号纯净度方面展现出革命性突破。

  • 高频氮化镓(GaN)在65W快充中的选型实践,南芯SC3050与英诺赛科INN650D02的对比分析

    氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,凭借高频、低损耗、高功率密度的特性,已成为65W快充电源的核心器件。在器件选型中,南芯SC3050与英诺赛科INN650D02是两款典型代表,前者为高集成度合封芯片,后者为分立式功率器件。本文从器件特性、应用场景、系统设计三个维度展开对比分析,为工程师提供选型参考。

  • 平面变压器在AC-DC模块中的优势解析:高频损耗、寄生电容与散热结构的优化路径

    AC-DC电源模块向高频化、小型化演进,传统绕线式变压器因体积大、寄生参数高、散热效率低等缺陷,逐渐成为制约功率密度提升的瓶颈。平面变压器凭借其独特的层叠式结构与高频适配性,在400kHz以上频段展现出显著优势。本文从高频损耗抑制、寄生电容优化、散热结构创新三个维度,解析平面变压器在AC-DC模块中的技术突破路径。

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