电源
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微处理器芯片温度检测及其散热保护电路的设计
利用TC652和TC653型专用集成电路检测微处理器芯片温度及微处理器散热保护电路的设计,从而确保了微处理长期安全可靠地工作。
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一种基于电容的电磁全隔离直流电源传输电路
高性能的电子电路要求高度洁净的电源。然而目前在供电线路上的各种电器设备会产生许多高次谐波，对供电质量造成影响。开关型稳压电源以及DC-DC变换器都在输入回路中采用开关管作为斩断电流的器件。高频变压器把脉动的
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基于UC38 75的ZVZCS PWM软开关直流电源的研制
本文介绍了移相谐振控制芯片UC3875的电气特性与基本功能，详细分析了以UC3875作为控制核心设计的一台1．2kW、70kHz的移相式ZVZCS PWM软开关直流电源，并运用PSpice9．1进行了仿真，给出了该电源控制电路、主电路基本电路拓扑，列出了相关参数的仿真波形与实验波形。
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智能型的铅酸蓄电池管理系统
铅酸蓄电池产业是21世纪最有发展前途和应用前景的新型绿色能源体系。本文以MB95F136为核心，设计了一种高精度、低价位的智能型铅酸蓄电池管理系统，实现了对铅酸蓄电池温度、电量、状态的实时监测，并通过输出控制信号实现铅酸蓄电池的自我保护。该系统还可以通过“自动更改”记录电池内部参数的变化，从而有效地适应因使用而对蓄电池电量产生的影响，能准确地计算出蓄电池的电量。
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智能型的铅酸蓄电池管理系统
铅酸蓄电池产业是21世纪最有发展前途和应用前景的新型绿色能源体系。本文以MB95F136为核心，设计了一种高精度、低价位的智能型铅酸蓄电池管理系统，实现了对铅酸蓄电池温度、电量、状态的实时监测，并通过输出控制信号实现铅酸蓄电池的自我保护。该系统还可以通过“自动更改”记录电池内部参数的变化，从而有效地适应因使用而对蓄电池电量产生的影响，能准确地计算出蓄电池的电量。
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关断检流放大器的两种基本方法
Prashanth Holenarsipur，产品定义和传统的运算放大器不同，高边检流放大器各个输入管脚以及电源引脚上并不带有内部静电放电(ESD)保护二级管。因此，它可以处理远大于VCC电源的共模电压。另外，把检流放大器的VCC引脚
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如何降低蓝牙装置的功耗
功耗是决定可携式装置发展成败的关键因素。由于这类装置的趋势朝向功能汇整的方向演进，最明显的迹象就是百万像素数字相机整合至照相手机中，新型的多功能装置必须持续迎合消费者的需求，尤其是在功耗方面。 虽然
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基于DSP的混合悬浮控制系统的硬件设计
引言 磁悬浮列车是依靠电磁吸力或电动斥力将列车车厢托起悬浮于空中并进行导向，实现列车与地面轨道间的无机械接触，从根本上克服了传统列车轮轨粘着限制、机械噪声和磨损等问题，具有长寿命、无污染、无噪声、能
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业内最小型高功率LED产品（Avago）
Avago Technologies(安华高科技)今日宣布，面向固态照明应用推出业内最小尺寸之一的高功率LED产品。大小为5mm x 4mm x 1.85mm高，Avago的ASMT-Jx1x新紧凑型1W LED采用小型SOP封装，以高达350mA的驱动电流带
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针对电信和网络应用的安森美半导体DC-DC电源参考设计示例
近年来，随着电信技术的发展及数据业务的迅速扩大，数据通信设备和电信网络设备不断走向融合，这就需要可靠的电源系统来为这些应用供电。传统的电源架构是集中式电源架构，即单个电源从交流输入线路向所有需要的输出
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针对电信和网络应用的安森美半导体DC-DC电源参考设计示例
近年来，随着电信技术的发展及数据业务的迅速扩大，数据通信设备和电信网络设备不断走向融合，这就需要可靠的电源系统来为这些应用供电。传统的电源架构是集中式电源架构，即单个电源从交流输入线路向所有需要的输出
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针对电信和网络应用的安森美半导体DC-DC电源参考设计示例
近年来，随着电信技术的发展及数据业务的迅速扩大，数据通信设备和电信网络设备不断走向融合，这就需要可靠的电源系统来为这些应用供电。传统的电源架构是集中式电源架构，即单个电源从交流输入线路向所有需要的输出
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电子信息业振兴规划出台谁受益？
从电子信息行业的发展周期来看，其周期与半导体的走向密切相关。按照统计，全球电子信息行业的周期一般为3至4年左右。从2005年以来半导体的增长一直下滑，受经济危机的影响，行业见底回升的时间有所推迟。然而，在产
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湖南省光伏产业年产值从0到50亿元
湖南省光伏产业布局取得重大进展，产业链全线拉通。 至去年底，湖南省太阳能光伏及相关产业已达30家，年产值突破50亿元。 从零起步，在一年多时间里，立足湖南自身技术资源，光伏产业已形成200兆瓦生产能
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最新MDmesh V功率MOSFET技术（ST）
意法半导体（ST）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和
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