1.MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大,如果在并联过程中由于某种原因(比如RDSON比较低,电流
1 背景随着物联网技术及云计算技术的发展,人们对智能生 活方式的追求越来越高。近年来,各式新颖技术的提出及发 展,智能生活离我们也越来越近了。智能家居是比较热门的 概
开关电源的寿命很大程度受到电解电容的制约,而电解电容的寿命取决于其内核温升。本文从纹波电流计算、纹波电流实测、电解电容选型、温度测试方法、寿命估算等方面,对电解
简单一点从生活经验来说是这样的:今天给大家推送纯干货,就是带开关的五孔插座接法,在日常中简单的电工器材替换,希望对大家帮助,有困惑的就可以自己动手解决带开关的五
工程师在设计工作电压高于几百伏的设备时会遇到某些限制,这与通常的目标背道而驰: 即在由行业标准或市场预期确定的小体积内实现尽可能多的功能,并达到最佳的性能。
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管
1、输入电压范围:在环境温度25’c下,固态继电器能够工作的输入电压范围。2、输入电流:在输入电压范围内某一特定电压对应的输入电流值。3、接通电压:在输入端加该
1、电压应力电源电压应力是保证电源可靠性的一个重要指标。在电源中有许多器件都有规定最大耐压值,比如:场效应管的Vds和Vgs、二极管的反向耐压、IC的最大VCC电压以及输入
开关稳压电源由于具有功耗小,效率高,体重轻等优点,所以在电子电力技术领域中占有重要地位。开关稳压电源主要由脉冲宽度调(PWM)制控制芯片、MOSFET/IGBT和变压器构成,
这个简单的电路能在交流电源断电(或电压低于50V)时发出报警声。交流市电经二极管D1半波整流,与电阻R1、R2、R3和R4串联组成分压器.在R3上分得较小电压去控制晶体管T1与MOS
在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设
一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路
如今,除了逻辑元件和其他专用电路元件外,典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是,要将浮栅 (FG) 的制造工艺
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术,例如, IGBT和最新的超结功率MOS
AD5766/AD5767 是 16 通道、16 位/16 位 denseDAC® 数模转换器 (DAC),采用 +2.5 V 外部基准电压源,经配置可产生最小电压 −20 V 到最大电压 +14 V 的多种输出电压范围,同时提供每通道最高 20 mA 的输出电流。