电源
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功率器件损耗计算
功率器件应用时所受到的热应力可能来源于两个方面：器件内部和器件外部。器件工作时所耗散的功率要通过发热形式耗散出去。若器件的散热能力有限，则功率的耗散就会造成器件
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新颖的均流IC 可轻松平衡两个电源
“只许成功，不许失败”—— 对于当今那些始终保持正常运转的电气基础设施 (电信网络、互联网和电网等) 的设计师而言，这很可能是他们的座右铭。问题是
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Multisim仿真软件在发动机电控设计中的应用分析
我们知道在电子电路设计的初期，往往需要验证电路的准确性，电子工程师往往是焊接一块试验板或在面包板上搭接电路，然后通过测试仪器进行分析和判断。这种方法耗资耗时耗力
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浪涌信号与防护方法
1 引言浪涌是一种上升速度高、持续时间短的尖峰脉冲。其产生原因是多方面的，诸如：电网过压、开关打火、虬源反向、静电、电机/电源噪声等。众所周知,电子产品在使用中经常
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微芯扩展70 MIPS dsPIC33E DSC和PIC24E MCU
21ic讯 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出70 MIPS dsPIC33E和PIC24E产品系列的新成员。新器件基于Microchip的电机控制和通用器件系列，采用了针对温度
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一种简单有效的限流保护电路的设计
引言 过流保护电路是电源产品中不可缺少的一个组成部分，根据其控制方法大致可以分为关断方式和限流方式。限流方式由于其具有电流下垂特性，故障解除后开关电源能自动恢复
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功率器件的选择
由于本设计中的变换器的应用场合的电压和电流都比较大，则除考虑效率因素外，选择高性能功率器件是保证功放性能的重要环节。功率器件的特性主要有安全特性、开关特性和驱动
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安森美扩充针对电机控制、太阳能及不断间电源应用的高性能沟槽型场截止IGBT阵容
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功
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Vishay推出其E系列600V功率MOSFET新增17款新器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将
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IDT推出采用万能型分段非线性补偿技术的三相计量芯片
IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案，IDT 今天发布业界首款采用万能型
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吉时利推出具有超低电流分辨率的双通道皮安表电压源
21ic讯 吉时利仪器公司通过推出6482型双通道皮安表/电压源不断扩大其在低电平测量领域的领导地位，该皮安表包括两个±30V的独立电源，具有1fA测量分辨率。6482型皮安
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安森美半导体推出新的时钟及数据、开关及保护器件
21ic讯 安森美半导体企业营销副总裁David Somo说：“安森美半导体身为PCI特别兴趣小组(PCI-SIG)的成员，持续扩充产品阵容，为网络及通信客户提供其要求的先进接口。这
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功率器件热设计及散热计算
引言当前，电子设备的主要失效形式就是热失效。据统计，电子设备的失效有55%是温度超过规定值引起的，随着温度的增加，电子设备的失效率呈指数增长。所以，功率器件热设计是
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怎样去选择好逆变器功率器件
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(GTR)，功率场效应管(MOSFET)，绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等。在小容量低压系统
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台达InfraSuite数据中心解决方案全新升级
台达集团作为全球交换式电源供应器与无刷直流风扇的领厂商，在多项产品与技术领域能够提供高效节能解决方案。近日台达关键基础架构事业部(MCIS BU)宣布，台达InfraSuite数据
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