电源
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高压悬浮驱动电路IR2110的特点及拓展应用技术
介绍了IR2110的内部结构和特点,给出了高压侧自举悬浮驱动的原理和自举元件的设计与选择方法.同时针对IR2110的不足提出了几种完善的应用方案.并给出了将IR2110用于大功率脉宽调制放大器中的应用实例.
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AH
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多路输出单端反激式开关电源原理及设计
本文介绍了一种基于TOPSwith系列芯片设计的小功率多路输出AC/DC开关电源的原理及设计方法。设计要求本文设计的开关电源将作为智能仪表的电源，最大功率为10 W。为了减少PCB的数量和智能仪表的体积，要求电源尺寸尽量
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CCD数码相机电源结构及设计方案
概述：介绍了CCD数码相机的结构及对电源的要求，给出了根据电池种类（一般为碱性电池或锂电池）、电池节数及相机尺寸来决定最佳电源解决方案的实现电路和方法。 1 CCD数码相机的架构及电源要求CCD数码相机一般由以下
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3.3x3.3mm MLP封装的25V MOSFET FDMC7570S(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。FDMC7570S是采用3m
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初级端调节PWM控制器系列(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的初级端调节(PSR)脉宽调制(PWM)控制器系列为移动充电器、适配器及LED照明应用的设计人员提供了多种解决方案，以满足能源之星(ENERGY STAR®) Level V等标准严格的功率和
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IR2110驱动电路的优化设计
摘要：介绍IR2110驱动模块的特点，针对其存在的一些不足，给出相关解决方案。设计相应的优化驱动电路，较好地改善IR2110的驱动和保护性能，增强其实用性。 关键词：IR2110；IGBT：驱动电路；保护 1 引言 驱动
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适用于ORing和电机驱动应用的PQFN封装MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采
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超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用
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基于DSP的智能功放开关电源设计
摘要：针对音响功放环保节能的需要，设计一款新型功放开关电源的控制系统．该系统可应用于大型功放系统的DSP控制。详细描述系统的组成结构和软硬件设计。该系统采用TMS320F2812为主控制器，电路结构简化，数字控制
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应用于手持设备的无线调制解调器电源
由于目前使用的射频功率放大器(PA)缺乏高效率，为手持计算设备添加无线通信功能需要使用特殊的电源管理技术。一些通信协议允许突发传输技术，在没有发射信号时关断电源(通过占空比控制)，但是在传输过程中PA效率的典型值却不高于40%至60%。相反地，手持设备中的主电源效率的典型值为90%至95%。
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LM3431—内置升压控制器的 PowerWise 3信道恒流LED驱动器
LM3431—内置升压控制器的 PowerWise 3信道恒流LED驱动器工作原理 LM3431是一款内置升压开关控制器的 3 信道线性电流控制器，可以驱动超薄型电子产品的 LED 背光灯显示屏。LM3431 控制器可驱动 3 个外置 NPN 晶体管
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基于EDA技术的自动门控制系统设计
引 言 门和人类文明是孪生的，它伴随着人类文明的发展而跃动。21 世纪的今天，门更加突出了安全理念，强调了有效性：有效地防范、通行、疏散，同时还突出了建筑艺术的理念，强调门与建筑以及周围环境整体的协调、
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BUCK电路拓扑
BUCK电路拓扑T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，当时，T导通。 D：续流二极管。 L和C组成LPF。二、工作原理四、假设及参数计算 1.T，D均为理想器件 2.L较大，使得在一个周期内电流连续且无内阻 3.直流输出电压
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电压型单相半桥式整流电路以及电流型单相全桥电路
电压型单相半桥式整流电路一、主电路的结构 1、倍压电路：如果假定T1/T2始终处于关断状态，则输入电压正半周期间D1/on，电容Cd1上直流电压uc1近似等于输入电源的峰值uNm；同理可知，电容Cd２上直流电压uc2 近似等于
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