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  • 澳大利亚光伏业协会主席：高电价促使太阳能发展迅速

    第五届中国（无锡）国际新能源大会暨太阳能展览会10月24日—26日在江苏无锡太湖国际博览中心召开，本届大会以“新能源：交流共识行动”为主题，探索全球新能源产业发展，寻找中国新能源产业出路等。澳大利亚光伏行业协会主席JohnGrimes在演讲中表示，澳大利亚的太阳能市场和其他国家是不一样的，在澳大利亚基本上是小规模的，一家一户的，独立的太阳能设施。在澳大利亚商务和工业的太阳能也开始出现，大型的公用工程太阳能也在发展。澳大利亚2012年安装超过了1GW，今年预计有700-750兆瓦的安装量，95%是国内的联网安装，现在澳大利亚有15%-20%的房子，130万的家庭安装了太阳能面板，他们平均的规模是3.0千瓦。从2009-2012年太阳能在澳大利亚的使用增长迅速，整个累计太阳能的安装，主要装机能力是2.3GW，所以澳大利亚是一个成长很快的市场。太阳能在澳大利亚发展很快主要是澳大利亚的电价非常高，电的成本在过去上升了超过50%，澳大利亚典型的电力价格是0.25-0.38美元/千瓦时，但是现在因为中国作出了非常好的贡献，作出高质量低成本的太阳能设备，这样澳洲能够安装太阳能这些设备，因为我们这里有丰富的太阳能，有很好的阳光。整个太阳能电力的价格是0.12-0.2美元/千瓦时，所以我们没有政府的补贴。澳大利亚联邦政府在今后的五年间，在电力方面基础设施将投入1200亿美元，这对于中国光伏行业是一个利好的消息，因为会有大量的光伏需求。JohnGrimes表示，在澳大利亚，政府设定了一个目标，到2020年，整个能源比例当中可再生能源达到90%。如果你进入澳洲的电力市场，你要了解一下澳洲电力体系是怎么运作的。来源:证券时报

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  • 报告：截至2013年8月 印度累计光伏装机量达2.1GW

    据印度国家新能源与可再生能源部门（MNRE）最新数据显示，截至2013年8月，印度并网与离网光伏装机量达2.1GW。报告称，继春季与夏季初期缓慢发展之后，2013年8月，印度新增并网光伏产能达130兆瓦。此外，4与5月，新增光伏产能仅为73兆瓦，而6月并无新增光伏装机量。实现NSM目标依然任重道远MNRE预计，截至2013年8月，印度累计并网光伏产能为1969兆瓦，离网光伏系统规模为131兆瓦。值得指出的是，印度国家太阳能目标（NSM）为至2022年并网光伏产能达到20GW，离网产能为2GW。基于此，届时并网与离网光伏产能分别需要增长9倍与14倍。据报告显示，目前，印度太阳能发电量仅占印度并网可再生能源发电量的6.8%，是风电产能的三分之二。来源:Solarzoom

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  • 意法半导体第三季亏损，因亚洲市场需求疲弱

    欧洲最大半导体厂商意法半导体(STM)公布季度净损，此前亚洲智能手机和电子产品厂商需求疲弱。该公司因行动市场竞争激烈而焦头烂额。意法公布季度净营收20.1亿美元，低于上年同期的21.7亿美元。该公司主要生产用于汽车、电脑及手机的晶片。意法半导体表示，当季营收将持平于前一季，加减3.5个百分点。该公司第三季净损1.42亿美元，上年同期净损4.78亿美元。根据汤森路透I/B/E/S，分析师平均预估第三季营收20.45亿美元。“除了无线产品线外，其他业务的整体营收较上年同期成长3.9%，”意法半导体总裁暨执行长CarloBozotti在声明稿中表示。“另一方面，这样的成长幅度要比预期来得小，因为受到亚洲高阶智能手机及大众市场疲软，导致该季期间的订单平淡。”来源:路透

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  • Panasonic半导体事业传裁员5成 出售部份工厂

    日经新闻24日报导，Panasonic计划大幅缩小半导体事业的规模，除了计划于2014年度结束前(2015年3月底前)将半导体事业员工人数自现行的约1.4万人砍半至约7,000人之外，也计划将部分工厂出售给海外企业，以藉此将半导体研发重心自电视/手机等数位家电转移至附加价值高的车用/产业机器用领域。据报导，Panasonic半导体核心工厂主要位于日本富山县砺波市、富山县鱼津市、新泻县妙高市、中国大陆、印尼、马来西亚及新加坡，而上述裁员措施的实施对象主要将以海外工厂为主，预估今年度Panasonic将因上述裁员措施而提列500亿日圆费用，惟该笔费用可望因业绩改善而获得吸收，故不会对今年度获利造成影响。报导指出，除裁员外，Panasonic也正和以色列专业晶圆代工厂TowerJazz展开协商，考虑出售部份工厂，且并计划于今年度内(2014年3月底前)完成出售协商。据报导，Panasonic半导体事业营收在2007年度时还高达4,000亿日圆以上水准，惟2012年度时已大幅下滑至1,840亿日圆、且陷入亏损。来源:精实新闻

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  • 宏达电传鸿海代工 或与联发科合作

    讯：宏达电在高层权力重组后，力图重振雄风，包括营运及产品策略都会进行调整，可能走向委外代工，外电报导点名，目前考虑委外合作厂商包括鸿海旗下富智康及纬创，但宏达电否认，被点名厂商也不评论。此外，法人传出，宏达电与联发科合作有谱，明年在低端机款可望采用联发科芯片。宏达电执行长周永明前天在内部员工会议中，针对员工提问是否像苹果（Apple）将品牌与制造分开，他说：“不排除寻求外在合作。”让外界留下想像空间。根据路透报导，宏达电桃园厂4条产线有1条已停产，其中2条产线已合并，平均每个月产量减少100万支。据传合作对象找上鸿海旗下富智康及纬创。但宏达电对此传闻予以否认，并强调绝对无停工或出售工厂的规划，公司拥有非常健全的财务状况。外界点名富智康纬创鸿海代理发言人刘冠吟昨天表示，不予置评。据了解，宏达电早在1~2年前曾经跟鸿海谈过合作，但因宏达电坚持在台湾研发，并维持自制策略，最后合作破局。富智康是鸿海手机事业群，以设计、研发、代工制造为主，主要客户包括小米、华为等，今年上半年获利1800万美元（约5.3亿元台币）。同样遭点名的纬创，董事长林宪铭昨被问及是否争取宏达电释单时，则回答：“没有、这我不了解。”除了外电报导将寻找委外代工伙伴之外，宏达电为因应中国千元人民币智能手机市场布局，也传出可能找上联发科携手合作。据消息来源指出，宏达电本月已开始与联发科洽谈合作，依据宏达电中低端产品策略规划，明年有望推出搭载联发科芯片机种。消息来源透露，事实上，今年初联发科与宏达电就曾洽谈合作案，但最后却不了了之，随着下半年宏达电在经济规模限缩及成本结构压力下，双方又重启合作对谈，在宏达电严控成本且将切入低端手机市场下，这次双方携手机会浓厚。 12 责任编辑：Mandy来源：台湾苹果日报 分享到：

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  • 手持设备LCD背光LED驱动方案浅述

    进入二十一世纪，能源消耗日益成为整个人类社会关注的焦点。出于对于照明的基本需求，如何更有效的利用各种能源产生更多的照明，成为探索新的照明技术的巨大驱动力。从原始的燃料照明到白炽灯，从荧光灯到各种发光材料的探索，催生出LED照明技术。在如今社会，各种媒体设备照明环境需求的差异化，进一步促进了人类探索如何利用各种高亮度LED进行照明。LED在照明方面的应用已经吸引广泛关注。LED基本原理及性能特点首先我们来介绍一下LED的基本原理以及性能特点。LED的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。LED光源具有以下特点：1.电压：LED正向导通工作电压较低，可以使用低压电源驱动，供电电压根据最终产品不同而异，是一个比较安全的照明设备，特别适用于公共场所。2.效能：同等照度的情况下消耗能量较同光效的白炽灯减少80%。3.适用性：每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境。4.稳定性：通常为10万小时，光衰为初始的50%。5.响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级。6.对环境污染：无有害金属汞。7.颜色：LED的发光颜色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关，目前有红、绿、蓝三种基本颜色。8.价格：与白炽灯相比，LED的价格较高，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，不过随着技术工艺的进步，可以逐步提升性价比。LED驱动方案LED自问世以来，就得到人们的极大关注，LED驱动器件和驱动方式不断更新以便更加有效地驱动LED为人类照明。从早期的DC/DC开关电源到电荷泵，以及追求成本的低边驱动和LDO,人们在不同的应用情况下选用不同的驱动线路，作为市场关注的热点，便携产品的显示背光是LED背光应用的主要市场，下文将针对便携产品的背光显示，介绍当前几种常见的LED驱动方案。1. Step-UP DC/DC开关电源实现LED驱动该方案主要的特点在于：输入电压较低，甚至低至0.7V(单节干电池)，从技术发展的角度看，串联型驱动出现的比较早，技术上也比较成熟，效率较高。典型的应用线路如图1所示。图1：Step-UP DC/DC 开关电源实现LED驱动的典型应用线路。对于这种应用方式，早期的驱动芯片主要采用电流反馈方式，按照VFB/Rb来确定LED的电流，DC/DC反馈电压VFB一般在1.2V左右，这限制了有效效率的进一步提升，本身DC/DC的效率在80%左右，在这种应用情况下，实际效率降低的更多，而随着技术的提高，降低VFB电压到0.1V以内，可以将有效效率提升到85%以上，尤其在驱动2-3颗灯的应用状态下。该方案的优缺点如下：优点：技术成熟，成本相对较低，通过一些新的技术革新，例如图1所示的过压保护功能，或者采用电压电流反馈共同作用，可以得到较高的亮度一致性以及较高的安全系数，尤其以大尺寸屏幕显示的背光应用居多。由于需要较多的LED实现屏幕背光，因而亮度的一致性和均匀性是必须面对的挑战。缺点：本身电感的应用，限制了线路的尺寸以及高度，并且带来工程设计人员不愿意面对的问题-EMI处理，尤其在靠近射频部分，需要针对干扰做专门的处理，否则会导致射频接收灵敏度降低，甚至带来音频部分的干扰，例如音频输出电流干扰声。另外，在这种应用情况下，如果一个LED发生故障就会导致整串LED失效，这是人们不愿意看到的结果。2. 电容式电荷泵驱动模式这是一种比较新的驱动方式。简单来说电容式电荷泵通过开关阵列和振荡器、逻辑电路、比较控制器实现电压提升，采用电容器来贮存能量。因工作于较高频率，可使用小型陶瓷电容器(1μF)，占用空间最小，使用成本较低。电荷泵有两种工作模式，恒压模式，恒流模式。1)恒压模式电荷泵。圣邦微电子的SGM3110就是采用恒压模式的电荷泵，由于恒压模式电荷泵的工作特性，本身具有高开关频率以及大峰值的瞬态电流，因而需要工程师在PCB布板部分额外注意，一般要求外围的电容尽可能靠近器件本身，外围布线要尽量短，本身需要周围的PCB地尽可能大，外围电容也要尽量直接接到SGM3110的地上，如果布线限制，则可以通过大的PCB过孔以及多个过孔来实现良好接地。

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  • 为嵌入式应用选择 实现NAND闪存海量存储

    在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。因为NAND闪存在消费市场上的需求量很高，因而存储成本下降得很快，像POS(销售点)终端、打印机以及其他应用可以用NAND存储器以更低的成本达到更高的密度。然而，由于这些嵌入式应用对更高NAND闪存密度的要求在不断提高，设计师需要从各种NAND闪存类型、密度、供应商以及发展路线图和实现方式中作出合理选择。使用NAND闪存的第一个也是最重要的选择标准是NAND控制器的实现。所有的NAND闪存器件都需要位于软件中的维护开销和作为硬件的外部控制器以确保数据可靠，使NAND闪存器件的寿命最大，并提高性能。NAND控制器的三个主要功能是坏块管理、损耗均衡以及纠错编码(ECC)。NAND闪存以簇的形式进行数据存储，即所谓的块。大多数NAND闪存器件在制造测试时就会发现有一些坏块，这些坏块在供应商的器件规格说明中是有标记的。此外，好的块也可能会在NAND生命周期内降低性能，因此必须通过软件进行跟踪，并进行坏块管理。此外，对特定的块进行不断的读写操作可能导致该块很快“磨损”而变成坏块。为了确保NAND器件最长的寿命，限制磨损块的数量，需要利用损耗均衡技术让所有的块读写次数均衡。最后，由于某个单元的休止或操作可能产生误码，因此必须以软件或硬件方式实现ECC来发现并纠正这些误码。ECC通常被业界定义为每528字节扇区中能纠正的代码比特数。在一个系统中，这种NAND控制器可以按照图1所示的三种不同配置方式与NAND进行组合。除了从图1所示的三种NAND解决方案中作出选择外，设计师还必须在两种NAND闪存器件-SLC NAND和MLC NAND中作出选择，它们各有优缺点。SLC NAND的每个块都具有更长的使用寿命和可靠性，因此需要较少的ECC，并能提供优异的性能。MLC NAND性能则较低，而且难以实现，因为它需要更高等级的坏块管理、损耗均衡和ECC。然而就单比特的价格来说，它大约只有SLC NAND的1/3。由于SLC和MLC NAND之间成本差距越来越大，大多数应用开始转向MLC NAND，特别是较高密度的应用，这样可以大大地降低材料成本。图1中的三选一需要考虑多种因素，包括微处理器对NAND控制器的支持、所采用的NAND类型(SLC或MLC)以及平台所要求的NAND密度。图1：NAND架构选择。如果平台中使用了带完整NAND接口和控制器的微处理器，设计师通常倾向于第一种选择。大多数当代的微处理器即使支持NAND的话，通常也只支持较低密度的SLC NAND存储器。工艺技术限制了SLC或MLC NAND裸片上能够实现的存储量，而当前每个裸片能支持的密度大约为1GB。因此为了支持更高密度的NAND，控制器必须支持多个NAND。通常这需要通过使用交织处理和多个芯片使能管脚实现。而增加多个芯片使能脚以支持多个NAND将使微处理器的引脚数量增多，因此在微处理器中包含该类型的NAND控制器不是十分流行。而且MLC NAND接口在微处理器上很难看到，这有几方面的原因。随着MLC NAND工艺技术节点的持续缩小，支持这种NAND存储器所需的ECC等级变得越来越高。目前MLC NAND所需的ECC等级为4比特，但是很快就会提高到8比特和12比特。更多数量的ECC需要NAND控制器中的硬件支持。然而，微处理器的发展步伐比快速发展的MLC NAND迟缓得多。对很多不同的嵌入式和可插拔式存储器而言，“受控NAND”方法(选项2)非常有用。所有的便携式SD/MMC卡都是这种实现方法，而市场上的嵌入式受控NAND也有几种选择。这种方法有其优势，因为微处理器只需要支持一种SD/MMC类型接口就能使系统支持SLC或MLC NAND。控制器是与NAND存储器堆叠在一起的，负责处理所有的坏块管理、损耗均衡以及NAND所需的ECC。目前受控的NAND实现密度在嵌入式应用中大约为4GB，在移动卡中为8GB。这种方法的缺点是不同的供应商在他们的各种受控NAND上支持不同的接口(有的供应商可能使用SD、有的供应商可能使用MMC，也有供应商可能使用专用接口)，因此更换NAND供应商的时候需要对软件作大量修改选项3让设计师在选择NAND类型以及选择不同供应商时具有最大的自由度。几乎所有的NAND控制器都支持不同类型、不同供应商和不同密度的NAND，而且由于NAND控制器总是使用相同的接口连接处理器，因此设计师可以自由选择不同的NAND类型和供应商，而不需要修改软件。图2所示的框图提供了使用具有完整SLC和MLC NAND管理功能的多媒体海量存储控制器的西桥(West Bridge)实现方式。图2：利用Cypress公司的Astoria器件实现西桥的方法。使用一个“与电脑设计中用到的南桥相似特性和目标”的西桥接口可以支持多个处理器接口，例如SRAM、ADMUX、SPI和NAND，并支持来自任何供应商、ECC为4比特的多达16个SLC或MLC NAND器件。设计师因此能够灵活地在密度方面作出选择，并能随时改变NAND供应商，只需很少甚至不用修改微处理器上运行的软件。使用一个外部NAND控制器还具有其他好处。例如，支持高速USB接口的西桥可以将主处理器旁路掉，并在便携式媒体播放器或手机等应用中提供从PC到海量存储器的直接路径，从而实现最佳的侧边加载性能。如果系统微处理器仅限于SDIO接口的话， 对SD、MMC和SDIO接口的支持还能够帮助设计师连接SDIO类型的器件，例如WiFi或蓝牙。[!--empirenews.page--]当考虑系统的NAND预算的各种要求(比如密度、成本、尺寸和灵活性)时，设计师有好几种NAND实现选项，它们各有优劣。如果系统微处理器有内置的SLC或MLC控制器，就不需要外部器件或逻辑。否则受控NAND方法也不错，因为它由NAND供应商执行封装，同样不需要外部逻辑或芯片。然而，为了获得最大的灵活性，开发商可以利用外部NAND控制器来支持所有的NAND类型和偏好。这种方法还能提供性能和接口等方面的其他好处，但是需要外部芯片。

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  • 祸从口出：“苹果A7是噱头”置高通于困境 原高管调职

    据外媒Cnet报道，原高通高级副总裁、首席营销官（CMO）阿南德-钱德拉塞克（Anand Chandrasekher）此前称苹果64位芯片是营销手段，在发表这一关于苹果的负面评论后，他被转移到一个新岗位。根据高通公司给Cnet发送的一份声明表示，“阿南德-钱德拉塞克，正在转而负责一个新角色，领导公司对一些企业相关举措的探索一职...阿南德将继续向高通公司首席运营官兼总裁史蒂夫·莫伦科夫（Steve Mollenkopf）汇报，这将立即生效。”他将不再出现在高通领导页面。据报道，10月3日高通高管钱德拉塞克称：“关于苹果A7处理器的64位架构，我知道有许多的噪音。我想这只是市场营销手段。消费者从中得不到任何好处。”他认为，64位可以提高内存寻址能力，但现在的智能手机和平板电脑中用不上，它只对4GB以上内存有用，而今天的iPhone 5S只有1GB DRAM。在发表此负责言论后，高通已为该高管重新分配职位。但是后来高通方面已经发布声明，收回此番言论。并声明称：“本公司CMO Anand对64位处理器的评论是不准确的。移动硬件和软件生态系统正朝着64位的方向转移，进化到64位之后，其将为新的移动设备带来桌面级的功能和用户体验”。钱德拉塞克可能已经把高通置入困境，因为苹果已经开始研发第二代64位A8处理器，三星最终也将会把ARM处理器向64位发展。苹果、高通和三星处理器都是基于ARM芯片架构，当今最流行的移动设备基本都选择ARM。今天大多数的处理器仍然是32位。 责任编辑：Flora来源：元器件交易网 分享到：

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  • 基于NXP UOCIII芯片的小尺寸液晶电视设计方案指导

    在液晶电视实际设计中，设计工程师需要根据各国不同的电视标准和要求，如EMI、ESD以及其它各项电视指标等，考虑电路设计、PCB布线和软件，并要确保各部分电路能正常工作。另外，随着人们物质生活水平的提高，对电视画面的要求也越来越高，这就要求在干扰问题以及芯片的画面处理上下足工夫。在本文讨论的设计方案中，我们将高频头部分与其它信号输入部分、电源部分和功放部分的地进行了分割，并将模拟地与数字地分开。同时，在软件设计中，我们对画面的颜色鲜艳度、亮度、对比度、γ校正、自动白平衡调整等方面进行了细致调整，从而使画面逼真、自然。当然，由于液晶屏技术水平的限制，LCD-TV的画面质量与传统CRT电视相比还有一些差别，主要表现在响应时间、对比度和可视角度三个方面。响应时间，即LCD显示器对于输入信号的反应速度，液晶由暗转亮或是有亮转暗的时间。它通常以毫秒计算，响应时间越短越好，时间长会导致拖尾现象。对比度指的是屏幕上同一点最亮时与最暗时的亮度的比值。对比度越高，色彩越鲜艳，画面层次感越分明，色彩过渡也更细腻。LCD显示器的对比度一般在300:1左右，而CRT能轻易达到70:1，因此LCD TV与传统CRT电视相比，在颜色鲜艳度等画质上有一定差距。液晶电视弱项主要集中在可视角度和响应时间方面。不过随着技术的进步，这两方面都有了大幅改进。目前高端液晶电视的可视角度可达176度，响应速度为4毫秒的大屏幕液晶电视也正逐渐成为市场主流。随着显示屏技术的发展，所有这些差距都将越来越小。基于UOCIII的设计方案 NXP半导体公司的UOCIII芯片集成了高性能视频信号处理器、集文字/控制/图像(TCG)处理于一体的8位MCU、CC/TT解码器、立体声解码器和音频信号处理器，只需加上缩放器(Scaler)和音频功率放大器，即可构成一台电视机。UOCIII芯片定位于中端市场，适用于从15到20寸的LCD TV解决方案。图1为基于UOCIII TDA150XXX的LCD TV系统框图。视频信号从UOCIII输入，经过视频切换、解码、数字滤波、A/D和D/A转换等一系列处理，最后以RGB形式输出到缩放器MST9151B/MST518A。同样，音频信号从UOCIII输入，经过声音增强、A/D转换、立体声解码、D/A转换、音量控制等处理，输出到音频功率放大器TDA1517，最后输出到扬声器或耳机。EEROM则用来存储搜台信息、颜色/音量调整等信息。通过控制面板或遥控器可以轻松的调出绚丽的OSD菜单界面，进行频道、颜色、对比度、音量等个性化的设置。同时，工程人员也可以通过遥控器输入预设的密码进行相关寄存器的设置。系统主要组成部分1. UOCIII多功能信号处理芯片UOCIII集成了高性能视频信号处理器和强大的集text/control/graphics(TCG)处理于一体的8位MCU，以及CC/TT解码器、立体声解码器和音频信号处理器，是一款功能齐备、它采用QFP128封装，同时，针对不同的市场及要求，UOCIII还提供了数种局部功能上有差异的产品系列，可满足国内、欧、美、日本等地客户的要求，并达到物尽其用，降低IC成本的目的。2. 缩放器(图形处理)部分MST9151B是一款两款高性能、高集成度的缩放器IC，最高可支持到SXGA(1280*1024)的分辨率。它内部集成了8位ADC/PLL、高品质的缩放器引擎、OSD控制、支持两路RGB输入和集成了DVI接口，并具有复合同步和SOG分离、LVDS显示接口、TTL显示接口以及智能电源管理控制的能力。我们还有另外几款缩放器可以与UOCIII搭配，如MST518A-LF-1和TSUM66AVHJ-1。这两颗IC可以达到WXGA+(1440*900)和SXGA(1400*1050)的分辨率，并且都有白电平调整功能，这样就可以用来支持目前市面上比较流行的19寸的16:10的宽屏。

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  • 关于高清电视图像处理芯片的应用方案分析

    PLM1000是一款由晶宝利微电子有限公司开发的专门为普通CRT电视机设计的模拟/数字混合处理芯片，该产品能将输入的模拟电视信号数字化，再进行数字信号处理，最后将数字信号还原为模拟电视信号后输出至模拟电视。其主要处理功能是将480p、576p、720p、1080i、1080p等高清模拟信号以及VGA信号转换为480i或576i的标清模拟信号，并支持亮度、色度、色饱和度调整，支持色度空间转换等功能。在晶宝利微电子有限公司以及聚海科技公司的配合推广下，目前PLM1000已经获得CRT生产厂家的认可，并投入大量使用。PLM1000系统方案设计原理 图1为PLM1000系统方案设计应用示意图。PLM1000将高清设备，电脑等输出的模拟高清信号或VGA信号转换为标清的YUV信号，输入给普通的模拟CRT电视显示。PLM1000系统板非常简单，主要包括PLM1000芯片、晶振和3.3V/1.8V电源。图一 PLM1000系统方案结构示意图系统上电后，外部MCU对PLM1000芯片进行上电初始化，执行必要的寄存器配置。上电初始化完毕后，MCU读取PLM1000芯片内部自动格式检测结果，并根据事先设定的规则判断当前输入信号格式，根据输入信号格式写入对应寄存器配置，PLM1000输出标准的480i或576i格式信号至普通模拟CRT电视的分量输入端，后续处理与普通模拟CRT电视机的处理完全一样。在图像正常显示过程中，若连续N次检测结果与当前信号格式不同，则设定当前检测结果为芯片新格式，MCU关闭PLM1000芯片视频输出，并对芯片配置相应的工作参数后开启视频输出；若相同，则维持原配置，即PLM1000工作在原格式下。　PLM1000应用方案示例PLM1000主要有两种不同的应用方案设计，以适应不同的应用环境和要求。应用方案1：如图2所示，这个PLM1000方案板很简单，主要器件是PLM1000和3.3V/1.8V电源等，PLM1000由原CRT方案中的MCU通过I2C总线控制。这种应用方案的成本比较低，功能比较强，如用户可以切换PLM1000的两个通道，选择高清输入还是电脑的VGA输入，并在不同的信号源下可以显示输入信号格式等。图2：基于PLM1000的应用方案1系统框图

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  • 苹果重获多点触控专利 三星在美举步维艰

    2007苹果带来了划时代的首款iPhone手机，乔布斯始终认为手是最好的触控工具，因此iPhone带来了许多创新的操作体验，包括著名的“multitouch（多点触控）”。苹果是一家非常重视专利保护的公司，特别是如此重要的一个专利。其实之前苹果已经拿到了multitouch的专利，不过随后美国专利商标局取消了这项决议。去年12月苹果再次向美国专利商标局递交多达364页的“乔布斯专利”，经过漫长的专利附和复核，美国专利商标局终于认定此次提交的专利全部有效。在这项专利权中，就包含着如多点触控操作的专利：当用户在浏览网页并上下滚动网页页面时，系统会自动锁定横向滚动，而在横向滚动页面时，系统则会自动锁定纵向滚动。当用户不规则滚动页面时，页面可以自如的滑动。此次被确定有效的专利中的多点触控如今被广泛应用到许多智能设备中，如果苹果采取措施，或许会对现在大规模的Android设备造成压力。特别是苹果和三星之家多有纠纷，苹果或许会利用此次多项专利来限制三星向美国输入移动设备。 责任编辑：Flora来源：太平洋电脑网 分享到：

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  • 华亚科Q3营收及获利均创下历史新高

    讯：台塑集团旗下DRAM厂南科、华亚科昨（23）日召开法说会，其中华亚科第3季营收及获利均创下历史新高，季底每股净值提升到6.28元，11月中旬可望顺利摆脱股票全额交割交易。南科第3季本业正式由亏转盈，由于DRAM市场仍供不应求，第4季本业获利将创6年来新高。华亚科第3季营收169.44亿元，较第2季大幅成长32.9％，原因包括季度位元成长率（bit growth）成长7％，平均出货价格季增逾2成等。由于产能组合调整得宜，税后净利72.9亿元，较第2季大幅成长1.1倍，营收及获利同创历史新高，每股净利达1.21元。华亚科董事长高启全表示，由于产品组合中高价产品比重拉高，第3季每片晶圆平均营收较上季增加33％，推升营收创下新高，第4季因为出货价格计算开始反应SK海力士无锡厂大火后的大涨的DRAM价格，乐观期待第4季营收及获利将续创新高。法人则预估，华亚科第4季营收季增率将上看2成，单季获利将上看100亿元。高启全不评论法人推估数字，但他指出，SK海力士无锡厂大火的影响至少2个季度，因此明年第1季前DRAM市场仍将供不应求，价格将维持高档。南科9月受惠于DRAM价格大涨，第3季平均售价季增6.5％，但因向华亚科拿货比重大幅降低，出货量季减22.4％，单季营收114.57亿元，季减17.2％。由于DRAM价格高于生产成本，南科第3季本业获利5.46亿元，加计认列华亚科获利后，税后净利达19.79亿元，EPS0.08元，每股净值0.24元。南科副总经理李培瑛表示，在SK海力士无锡厂发生大火后，DRAM市场目前仍是供不应求，虽然第4季终端产品的销售量没有成长，但每台机器的DRAM搭载率有增加，整个DRAM需求是大于第3季。至于SK海力士无锡厂因为尚未回复投片，第4季DRAM价格预估将持续上扬，且2014年第1季价格亦将呈稳定或温和成长走势。由于明年全球DRAM制程将开始微缩到20纳米世代，华亚科预估明年资本支出将大于今年的80亿元，但高启全表示，华亚科不增加产能，今、明两年资本支出将全数用来进行20纳米制程微缩。南科第3季已将制程微缩到30纳米，10月投片量将达4万片，今年资本支出62亿元，但明年因只有制程微缩的需求，所以会降低资本支出金额，预估2015年上半年可望导入20纳米试产，维持技术上的竞争力。 责任编辑：Mandy来源：台湾工商时报 分享到：

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  • 国家出台优惠政策助推秀洲光伏产业健康发展

    2013年10月1日至2015年12月31日，对纳税人销售自产的利用太阳能生产的电力产品，实行增值税即征即退50%的政策……为鼓励和利用太阳能发电，促进相关产业健康发展，国家财政部于9月30日发布了光伏发电增值税政策通知，秀洲光伏产业以及相关企业又迎来了利好。目前，在嘉兴光伏高新园区内已全面启动实施屋顶光伏电站工程，太阳能光伏在秀洲逐渐得到大规模应用，从7月到10月底，秀洲区将建设61兆瓦分布式光伏发电项目，切实推进分布式光伏发电应用示范工作。根据《秀洲区创建国家分布式光伏发电应用示范区项目建设“百日攻坚行动”实施方案》，秀洲新区、秀洲工业园区作为主阵地，将建成51兆瓦分布式光伏电站项目，另外5个镇作为延伸区，将分别建成2兆瓦分布式光伏电站项目。此次项目建设的屋顶业主，主要涵盖屋顶符合相关要求、年综合能耗5000吨标煤以上的高能耗企业，学校、医院、政府等公共设施屋顶，满足条件的农田水利设施以及其他有关企业。“嘉兴光伏高新园区已经初步具备了自主发电能力，部分厂房的屋顶已经覆盖了太阳能发电板，可以进行自主发电。企业自主发电以后，无论是自己使用，或是卖给其他的企业使用，还是直接卖给国家电网，都属于销售‘电力’产品，要征收税率为17%的增值税，实行增值税即征即退50%的政策之后，相关企业的增值税税率下降了一半。”区国税局政策法规科有关负责人分析说，前阶段欧盟、美国等的反倾销政策，以及光伏行业实际存在的产能过剩，对秀洲区光伏产业都造成了一定影响，此次光伏发电增值税政策的出台，无疑是推动秀洲区光伏产业发展的一针“强心剂”，而对于王店、洪合等镇光伏产业的原料产业也有很大的拉动作用。“增值税即征即退50%的政策也有利于把光伏产业主要出口的方向转到为国内生产生活服务，进一步刺激内需。”该负责人告诉记者，光伏发电产品应用范围广泛，因为发电设备简单，既可以大规模应用于企业，也可以推广到家庭中使用，从节能环保角度来看，有助于加快秀洲区使用清洁能源的步伐。来源:嘉兴在线-嘉兴日报

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  • 技术水准跃升中国半导体产业竞争力激增

    中国大陆半导体产业实力已显著提升。在税率减免政策与庞大内需优势的助力下，中国大陆晶圆代工厂、封装测试业者与IC设计商，不仅营运体质日益茁壮，技术能力也已较过去大幅精进，成为全球半导体市场不容忽视的新势力。中国大陆半导体产业正快速崛起。受惠税率减免政策与庞大内需优势，中国大陆半导体产业不仅近年来总体产值与日俱增，且在晶圆制造设备和材料的投资金额也不断升高，并已开始迈入28奈米，甚至22/20奈米制程世代，成为全球半导体市场的新兴势力。政府扶植成效显现中国半导体势力抬头上海市集成电路行业协会高级顾问王龙兴指出，在资金与技术持续提升下，中国大陆半导体产业发展已快速壮大。上海市集成电路行业协会高级顾问王龙兴(图1)表示，中国大陆政府为全力扶持本土半导体产业，已祭出半导体设备、IC设计、晶片制造等企业获利前2年免税，以及第3年税金减半的优惠措施，藉此减轻高科技产业在初期研发投资亏损的压力，因而让中国半导体产业得以向上发展。除政策加持外，中国大陆对行动装置的需求愈来愈高，也成为推升中国大陆半导体产业发展蓬勃的关键动能。王龙兴进一步指出，现今中国大陆消费市场商机已跃居全球第一，无论是智慧型手机、平板电脑或笔记型电脑每年需求量都不断增长，带动中国大陆半导体整体产值在2006?2012年之间，从人民币1,006.3亿元，提升至人民币2,185.5亿元。根据上海市集成电路行业协会最新报告分析，中国大陆半导体产业于2006?2012年的年复合成长率(CAGR)达18.8%；其中，IC设计产业年复合成长率为25.7%，晶片制造部分为15.4%，封装测试方面则为17.6%，预估2013年与2014年皆可望持续成长，显见该地区半导体产业成长相当快速。据了解，目前中国大陆半导体产业共有长江三角洲、京津环渤海湾、珠江三角洲与中西部地区等四大聚落；其中，长江三角洲内的上海半导体产业园区由于产业链体系较为完整，因此为中国大陆最重要的半导体发展核心地带，且此一园区的半导体产值约占整体中国大陆半导体产值31%。王龙兴补充，上海半导体产业园区在2011年经历密集的建设后，2012年已经开始进入高技术性、高生产能力的阶段，未来此一产业园区还会新增张江高新区、漕河泾开发区、紫竹科学园区，并列为积极落实发展重点，可望再次扩大上海半导体产业园区在半导体产业的影响力。然而，尽管中国大陆半导体产业正快速发展，但整体技术层次与国际水准相比仍有一段距离。王龙兴坦言，目前中国半导体产业在制程技术确实较国际半导体水准落后，正努力迎头赶上，预估2015年时，中国大陆IC设计技术水准可望达到22/20奈米，而封装技术也可望进入国际主流领域，并扩展FlipChip、BGA、CSP、WLP以及MCP等先进封装形式的产能比例。除了税金优惠政策加持之外，中国大陆行动装置品牌厂在全球市场崛起，亦助长该地区本土零组件业者发展愈来愈快速，并已逐渐打入国际手机品牌厂供应链，突显中国大陆零组件业者技术水准正与日俱增，且开始威胁到欧美与台系零组件业者全球市场地位。本土手机品牌厂相挺中国零组件业者渐壮大Gartner研究副总裁洪岑维表示，在中兴、华为与联想等品牌厂助阵下，中国大陆零组件业者市场版图正不断拓展。顾能(Gartner)研究副总裁洪岑维(图2)表示，在中兴、华为、联想、宇龙酷派与小米等手机品牌业者全球市占率日益攀升下，中国大陆IC设计业者亦搭着品牌厂的顺风车成功进军国际市场，且产值规模亦持续扩大，研发能力也不断精进。洪岑维进一步解释，中兴、华为与联想等中国大陆品牌业者为了确保关键零组件供应无虞，都已经投入不少资金扶持旗下供应链，成为中国大陆零组件业者产品研发的重要基石；而零组件供应商受益于中国大陆品牌手机已出货至全球各地市场，逐渐拥有元件量产经验与大量供货能力，因而也开始打入国际手机品牌厂。事实上，目前已有不少中国大陆零组件业者获得国际品牌青睐，例如展讯的基频晶片已获得三星(Samsung)新款智慧型手机采用；瑞声的微机电系统(MEMS)也已内建于索尼(Sony)产品；欧菲光电的触控模组更已获得许多品牌厂采用，显见中国大陆零组件业者在国际舞台日益活跃，成为驱动中国大陆半导体产业向上的关键动能。另一方面，虽然中国大陆零组件业者崛起对台系零组件业者是一大挑战，但对台积电与联电等晶圆代工厂却是新的市场机会。洪岑维分析，由于中芯国际的制程技术仍无法满足快速成长的中国大陆本土晶片商，因此许多晶片商都跨海来台湾投片，将有助台湾晶圆代工业者接获更多订单。来源:新电子

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  • 我国个人申请屋顶光伏电站税收豁免

    国家发改委日前发布《分布式发电管理暂行办法》，以小型光伏发电为集中代表的分布式发电，将因此获益。发电所得按月结算办法规定，分布式发电方式主要为用户所在场地或附近建设安装、运行方式以用户端自发自用为主、多余电量上网，以配电网平衡调节为特征的发电设施。发电方式包括水电、风能、太阳能等。办法明确，分布式发电划定的范围，除企业、工业园区、机关事业单位外，还包括城市居民小区、住宅楼及独立住宅建筑物。而对于民营电站电量用途，以“自发自用”为主。采用双向计量电量结算或净电量结算，同时还将考虑峰谷电价，原则上按月结算。值得一提的是，电网企业应保证分布式发电多余电量优先上网和全额收购。符合条件的分布式发电，将给予建设资金补贴或单位发电量补贴。合肥版新政先行出炉事实上，在今年7月，合肥市就曾针对民营光伏发电项目建设、资金兑现等问题，先行做出细则规划。地方版规定，在省城范围内，有意向安装光伏发电设备的企业或个人，事先需向电网企业提交并网接入申请，项目获批接入系统竣工后，可提出并网验收、并网调试申请，验收通过后即可转入并网运行阶段。同时，企业或个人在投产后，还将享受不同方面的政策红利。光伏电站产生的发电量、余电上网电量将采取“两条线”分别计量。若出现个人家庭发电所得收入不多情形，个人在申请电站时，除个人所得税外，其他税收将豁免。而对于企业通过光伏发电的，将享受额外补贴。以合肥市为例，依照每度补贴0.25元计算，补贴政策将持续15年。合肥18户家庭申请“合肥的分布式发电，在全国算是比较多的。”记者从合肥供电公司了解到，目前合肥从事分布式光伏发电的企业有20家，规模都比较大，装机总容量为7万千瓦。“现在正值高温，光伏发电在强光照下效果不错，企业较大规模的光伏发电能缓解部分用电紧张，不过对于合肥每天400多万千瓦的负荷来说，相差还是比较远的。”合肥市家庭分布式发电发展也较快，今年3月份，作为家庭发电第一人，孔庆斌家的家庭分散式光伏发电电源并入合肥电网，截至8月15日合肥已有18户家庭申请，装机总容量达60千瓦，其中有11户已并网使用。来源:中国行业研究网

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