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  • REC向日本百万瓦级光伏电站供应1.5万余块光伏电池模块

    挪威RenewableEnergy公司（REC）于2013年8月19日宣布，该公司向日本中部电力公司的集团企业——Cenergy建设的百万瓦级光伏发电设施，共计提供了15324块多晶硅型光伏电池模块。Cenergy的百万瓦级光伏发电设施建设在东洋纺所有的位于日本三重县和滋贺县的闲置土地上。东洋纺将闲置土地租给Cenergy，供其设置和运营百万瓦级光伏发电设施。三重县的发电设施的最大输出功率为2.5MW，已从2013年7月开始投产发电。滋贺县的发电设施的最大输出功率为1.3MW，已从2013年7月开工建设，预定在2013年12月完工。对于光伏电池模块供应商REC来说，“日本市场占有非常重要的地位”（RECSolarJapan代表董事关口刚）。实际上，在REC发布的2013年第二季度光伏电池模块出货量中，约29％都供应给了日本。

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  • IHS：工业IC市场平稳发展

    据IHS公司的工业电子市场追踪报告显示，在经历去年第四季度3%的业绩下滑之后，工业IC市场于今年第一季度盈利7亿美元，同比增长1%。“在全球市场经济不景气以及市场季节性疲软的大前提下，工业半导体领域能够有如此出色的表现，实在是振奋人心。虽然，我们通常都不会对每年第一季度的市场表现期望太高。”IHS电子产业研究总监RobbieGaloso表示，“在一些大型工业领域，特别是航空电子设备和石油天然气生产自动化设备方面，IC市场都出现了两位数的增长。这些增长都有助于提高整个工业IC市场的增长。”另一方面，由于客户需求强劲，几大工业半导体供应商现在都仅仅维持在非常少的库存水平。英飞凌、ADI以及TI的库存天数（DOI，库存天数=365天/库存周转数库存周转数本来就是表示一年中周转多少次的值，所以用该计算可以把周转数转换成天数。）已经连续好几个月低于平均水平了。Galoso表示，“照明、安保、湿度控制和医疗成像等个别行业由于需求较小，在第一季度明显影响了整个行业的增长。”在所有工业半导体领域中，军用和民用航空市场在第一季度增长最为明显。上一季度，泛欧航空EADSAirbus和美国航空波音对于航空电子设备的需求分别增长了9%和14%。在石油和天然气勘探领域，由于ABB、Honeywell和GE对于海底系统和钻井设备驱动需求逐渐增大，很大程度上促进了半导体市场的增长。与这些高需求的行业相比，建筑及家居控制，能源，以及测量测试领域的销售就相对平淡很多。此外，虽然电机领域处于负增长阶段，但是生产制造自动化市场仍然维持了稳定的增长。

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  • 半导体大厂低调进行18寸晶圆计划

    英特尔(Intel)的发言人透露，该公司第一座18寸(450mm)晶圆厂计划自2013年1月起「顺利展开」，该座代号为D1X第二期(module2)的晶圆厂已经低调动土。据了解，英特尔打算将D1X第二期作为量产18寸晶圆IC的研发晶圆厂；该公司在2012年12月就透露正准备扩充D1X厂区，以「容纳新的制造技术」，但该讯息仅低调地在美国奥勒冈州当地媒体曝光，并没有公布在公司官网。英特尔D1X厂的第一期工程预期会是该公司第一条以12寸晶圆生产14奈米FinFET晶片的生产线；而英特尔在2012年10月时曾表示，将在2013年展开D1X第二期工程建设，预计两年完工，2015年装机、2016年开始生产。D1X第二期厂房也可能与现有的D1X有所连结，包括无尘室的连线；根据英特尔发言人表示，该厂房取得必要的许可之后已经在1月动工，造价约20亿美元(不包括设备)，但该厂的运转时程表尚未定案。英特尔发言人表示：「我们还未公布该厂的上线时程，因为还未决定何时将展开18寸晶圆生产，以及将采用的制程节点。」晶圆代工业者台积电(TSMC)也透露过18寸晶圆制造发展计划，该公司在2012年6月表示，将在2014年初在台湾中部兴建一座18寸晶圆厂，包括设备在内的总成本约80亿美元，待2019年开始运转，预期每月可创造67亿美元营收。台积电在2011年亦曾表示，计划在现有晶圆厂──包括新竹的Fab12与台中的Fab15──装设18寸晶圆试产线。

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  • 光伏产业将进入薄膜时代

    【导读】全联新能源商会副会长籍东表示，太阳能将会是人类应对能源的终极解决之道，相信太阳能这枚新桃一定会替代掉化石能源这枚旧符，薄膜这枚新桃也必将替代掉晶硅这枚旧符。 摘要：  全联新能源商会副会长籍东表示，太阳能将会是人类应对能源的终极解决之道，相信太阳能这枚新桃一定会替代掉化石能源这枚旧符，薄膜这枚新桃也必将替代掉晶硅这枚旧符。 我国光伏产业“十二五”规划提出了要重点发展非晶与微晶叠合的薄膜电池。一直以来，晶体硅和薄膜太阳能光伏电池是光伏市场的两大主要技术阵营，目前，薄膜电池在原有转化效率上突破性的进展以及相对低廉的成本在近年来吸引了众多投资者的关注。 全联新能源商会副会长籍东表示，太阳能将会是人类应对能源的终极解决之道，相信太阳能这枚新桃一定会替代掉化石能源这枚旧符，薄膜这枚新桃也必将替代掉晶硅这枚旧符。 薄膜化是未来光伏产业的趋势 籍东表示，光伏产业是新能源产业的重要发展方向。据了解，我国光伏产业已具备很强的竞争力，但是受国际市场低迷国内应用不足等原因，目前出现困境，必须支持光伏产业走出困境。 首先，巩固国际市场的办法，激发国内市场有需求，推动产业创新升级，加强产业规划引导、促进合理布局，重点拓展分布式光伏发电应用。第二电网企业保证配套电网同步建设投产，优先安排光伏发电计划，全额收购发电量。第三完善发电支持政策，制订光伏电站分区域上网，扩大可再生能源基金规模，促进对分布式光伏发电按电量补贴及时发放到位。第四缓解融资困难，第五加强光伏产业标准和规范建设，第六鼓励企业兼并充足做强做优，抑制产能盲目扩张。 而薄膜化是新能源的发展趋势。正如汉能控股集团高级副总裁代明芳所认为的，在光伏应用的需求分布上，目前来看比前两年有所放缓，但在建筑领域、在商业建筑、住宅上未来几年内对于薄膜的需求将增大。薄膜近年来转化率提升迅速，特别是CIGS太阳能薄膜电池，已经接近主流市场晶硅的水平，高效薄膜电池比晶硅还具有节能性，产品特点是功率不衰减，应用范围广泛，特别是南部和热带地区非常明显，这些地区通常是经济发展比较快的地区。 另外由于产品性质具有柔性、轻质、美观等特点，特别是柔性的应用，已成为产业的一大亮点，并将引领未来光伏产业的发展方向。例如，CIGS薄膜太阳能电池是完全可以和晶硅竞争的，甚至某些领域、某些方面成本上比晶硅还低。 此外，在建筑光伏和民用光伏上，它还是一个独特的市场，这个市场是晶硅不具备竞争优势的。目前，铜铟镓硒产业化前景广阔，量产技术日趋成熟，并已逐渐接近主流市场晶硅的水平。 但也有很多人不明白薄膜是怎么回事，其实薄膜体现的发展速度远远超过他们的想象。全国工商联副主席李河君对及其他媒体表示，“以前大家认为薄膜转化率低、价格贵，那是三几年以前的事，世界变化快得很，现在的薄膜，据测算第一比晶硅便宜30%到40%，第二转化率可以达到16%、17%，和晶硅转化率一样甚至可以超越。如果说晶硅是黑白电视，那么薄膜就是液晶电视。随着时间的流逝，多晶硅市场肯定会越来越下降。” “双反”背景下的薄膜太阳能电池 欧盟最近十年，尤其是过去五年持续向薄膜太阳能电池投资，现在薄膜太阳能电池的一些关键技术已经突破了。通过“双反”对多晶硅太阳能电池，毫无疑问会使薄膜太阳能电池有市场份额，从而确保欧洲在新一代光伏行业的领导地位。 北京低碳清洁能源研究所太阳能中心主任陈颉表示，“双反”不会对欧盟晶硅电池上游产生冲击。在德国工业年鉴上数据显示，过去五年有超过60%的资助是对薄膜电池，德国政府有超过70%的研究在薄膜光伏，所有的薄膜光伏企业享有电费补贴，但是做晶硅却没有电费补贴。另外，从2011年9月起恢复了对太阳能光伏的补贴，但是是对效率在11.6%以上的薄膜硅太阳能电池，效率15%以上的碲化镉格有优惠，确实可以看到欧盟对薄膜光伏的倾向，以及薄膜太阳能效率过去几年提升非常快。正因为这样所以薄膜产业成为了在欧洲被广泛看好的投资领域，吸引了大量投资。 发展薄膜电池、让光伏发电补贴和并网像德国一样制度化、可操作，消费者才有利可图才有动力可做。陈颉认为，第一须调整技术，落后的技术不要再做了;第二要尽快制定全产业投资，指明我国薄膜光伏发展路径、目标是什么，薄膜光伏产业发展第一步是要获得高水平的薄膜制造技术。此外，要了解产业线是否有发展空间以及还有哪些技术空白，要通过专业、慎重的办法，才能确保未来引进生产线后改良和升级具有经济性、合理、可行。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • ROHM新推小型化非球面镜片LED元件

    日本半导体制造商ROHM株式会社发表数位相机、手机相机自动对焦辅补助光用，装载小型、高输出面封装型非球面镜片的LED元件CSL0701/0801。透过ROHM的独家元件加工技术与光学设计、达成业界最小级距的2924大小(2.9×2.4mm）、它与传统商品比较，封装面积减少65%、降低30%高度。近几年数位相机和照相手机，随着持续地小型化和高性能化，因此对于电子元件的小型化，薄型化的呼声日增。此外随着机器的多功能化使用电流也不断增加，对低消费电力化的需求也不断高涨。另一方面，在自动对焦补助光用镜片型LED使用上，为正确对焦，需充分光量的LED光线投射到被照体，一般仍使用半球镜片，在小型化、薄型化上非常困难。自ROHM首度研发出业界可自动回焊，自动对焦辅助光用SideviewLED元件以来，致力发展小型、高性能化元件，并取得高市占率。此次新研发的LED元件，发光元件的小型化及采用电脑辅助设计工程(CAE)技术的光学设计，以及ROHM独家的模具技术制成的非球面镜片，表面安装型非球面镜片LED元件，为业界最小级距2924大小。与传统产品相比，面积减少65%，高度降低30%。由于有效提高散热特性，因此能够同时兼具小型化及高输出性能。在相同亮度的设计下可减少耗电流的使用。此外为照射远方的对象物体，设计上光轴偏移误差抑制在±3°内，备有Topview和Sideview两种封装阵容，可提高顾客的设计灵活度。

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  • 14纳米：“六仙”过海 各显神通

    摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，但是硅基半导体之后采用什么材料仍值得人们期待。英特尔：继续执行“Tick-Tock”发展策略英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年达到7nm。据英特尔已经公布的工艺路线图显示，在2013年时将实现14nm，之后能否继续遵循每两年尺寸缩小70%的工艺规则，至少到目前为止业界认为仍是难以确定。至此业界各家仅是表示工艺尺寸有可能缩小至7nm甚至5nm。显然英特尔的说法不一样，仍显示出其头号芯片制造商的决心与信心。英特尔副总经理兼元件研究处长麦克（MikeMayberry）在刚刚落幕的比利时微电子研究机构IMEC2013科技论坛演讲中确认，英特尔已确定10nm可于2015年量产。根据它的最新工艺技术路线图，英特尔重申继续执行“Tick-Tock”发展策略，也就是每两年对半导体技术制程进行大规模的升级。英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年可达7nm的最先进水平。不过，MikeMayberry还表示，英特尔也在研发10nm以下时可替代硅的新型半导体材料，如三五族化合物半导体等，希望能将半导体的性能发挥至极致。众所周知，目前英特尔在移动智能终端芯片的软肋在于功耗，它坚持采用复杂的X86架构，基本上是延续电脑发展的思考模式，仅专注于产品的效能增减来试图降低功耗，而ARM的思路是采用大小核，根据不同的用途来选择。英特尔执行副总裁兼架构事业部总经理浦大卫（DadiPerlmutter）近期在中国台湾举行的Computex贸易展会上接受采访时表示，英特尔与ARM在芯片耗电量和性能方面的竞争将结束，因为英特尔即将推出的基于Silvermont架构的移动芯片，在耗电量和性能方面都超过ARM速度最快的内核Cortex-A15。浦大卫表示，Silvermont芯片将通过改进电路和电源管理功能提高每瓦性能，Silvermont芯片将采用22nm工艺制造，采用效率更高的FinFET3D晶体管结构。新一代凌动“Silvermont”采用了全新的制造工艺和设计，提高了性能，降低了功耗。使用Silvermont微架构的智能手机用平台的开发代码为“Merrifield”，平板电脑用平台的开发代码为“BayTrail”。Merrifield将从2014年第一季度开始供货，支持Android操作系统。平板电脑平台“BayTrail-T”将于2013年秋季推出，支持Android和Windows8操作系统。据称，Silvermont的图形处理性能提升到原来的3倍，还可以向高分辨率显示器输出影像，而且续航时间更长。BayTrail除了可应用在平板电脑之外，还可应用在包括低价位二合一终端、笔记本电脑、显示器、一体型个人电脑等。英特尔在2012年的研发费用相比于排名第二的高通多出7倍，它在2013年的投资将超过台积电。英特尔在2013年会将22nm的FinFET工艺生产用于移动设备中的凌动（Atom）芯片，2014年时还将扩展到14nm工艺中去。IBM：FD-SOI是22nm强势候选技术尽管SOI技术有优势，但继续往14nm及以下节点走时可能会遇到困难。IBM公司半导体研发中心的副总裁GaryPatton最近表示FD-SOI是22nm制程节点的强势候选技术。目前有很多高性能应用中可能会需要使用FD-SOI技术。SOI是指在IC制造过程中采用硅+绝缘层+硅的硅片，这种结构方式的优势是可以减小器件的寄生电容，并改善器件的性能。在部分耗尽型SOI结构中，SOI中顶层硅层的厚度为50nm~90nm，因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据，由此可导致电荷在耗尽层以下的电中性区域中累积，造成所谓的浮体效应。而FD-SOI可将位于顶层的硅层厚度减薄至5nm~20nm，这样器件在工作时栅极下面沟道位置下方的耗尽层便可充满整个硅薄膜层，如此便可消除在PD-SOI（部分耗尽层）中常见的浮体效应。尽管SOI技术有优势，可以继续沿用现有的平面制造工艺，但是由于SOI硅片的成本至少高出10倍左右，再加上至20nm工艺时顶层硅的厚度已降至6.3nm，厚度精度控制在±0.5nm之间，因此继续往14nm及以下节点走时可能会遇到困难。目前参与SOI俱乐部的制造商有IBM、意法半导体、Soitec、格罗方德，设计服务公司有上海的芯原及另一家不知名的日本公司等，而真正用于量产的产品仅是意法半导体采用28nm工艺制程的SoC。SOI工艺令人头疼的另一个问题是此种技术是否能适合在移动设备市场中使用，业界对于SOI晶体管的所谓“历史效应”和尺寸可微缩空间保持怀疑的态度，因此多年来SOI技术一直只在部分高端台式机处理器和其他高性能应用中才有应用，SOI中热的不良导体BOX层（埋入式氧化物层）导致的散热劣势应该也是其原因之一。台积电：2014年推出16nmFinFET工艺台积电的着眼点不仅在于工艺制程的缩小，同样也聚焦在CoWoS即所谓3DIC制造上。台积电首席技术官兼研发副总裁孙元成在2013年4月已经透露其官方的CMOS工艺路线图，从2013年先进的20nm平面SoC开始，至2014年台积电将采用16nm节点的FinFET工艺制程，使用低供电电压，从0.8V降至0.6V，从而使超低功耗处理器如ARMv8尽可能降低功耗至750毫瓦。接下来，台积电计划在2015年至2016年间，通过直写电子束或者极紫外光、EUV光刻技术将其FinFET的工艺提升至10nm节点，以提高35%的性能。尽管台积电预计它的16nmFinFET与20nm制程仅差距一个世代，于2015年时推出，而它的10nm制程于2017年导入量产，但是与英特尔不断领先的工艺制程技术相比，可能仍有两年的差距。但是台积电在张忠谋的领导下，它的投资力度很大，而且业绩节节上升，所以台积电的龙头地位恐暂时无人能够撼动。显然台积电的着眼点不仅在于工艺制程的缩小，同样也聚焦在CoWoS即所谓3DIC制造上，利用TSV等3DIC技术，将异质架构的多个芯片封装在一体。目前，Xilinx（赛灵思）是台积电公布的第一代3D技术的唯一客户。第一代3D技术也称作2.5D硅中介（interposer）技术，用于整合多个FPGA和其他芯片。三星：完成14nmFinFET测试芯片流片三星的14nmFinFET工艺设计套件已经提供给客户，相关产品设计也可开始提供，但三星并未披露会何时投入量产。三星是全球DRAM与NAND闪存都居第一位的存储器制造大厂，实力非凡。近年来由于移动市场的兴起，存储器的需求已不如从前。三星要争先的意识非常强烈，它迅速积极地转型到逻辑工艺，并在美国奥斯汀累计投资达60亿美元兴建12英寸晶圆厂。由于三星电子的产业链很完整，自身生产终端电子产品包括智能手机、平板电脑、电视、冰箱等，所以它的逻辑芯片除了部分自用之外，还可将富裕的产能做代工服务，并首先争取到苹果的A系列处理器订单。2013年第一季度三星在28nm~32nm制程的12英寸晶圆月产能平均为22.5万片，约占全球代工的50%，远高于台积电的11万片。排名第三的格罗方德为6.5万片。在2012全球代工厂商排名中三星以43.3亿美元的业绩挤下UMC（联电）成为第三，相比2011年增长一倍。不仅如此，它与格罗方德的销售额差距仅为两亿美元，所以三星非常有可能在2013年代工排名中成为老二。作为14nmFinFET工艺开发的一部分，三星联合ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等生态伙伴，已完成了多种测试芯片的流片工作，包括完整的ARMCortex-A7处理器、可在接近阈值电压下工作的SRAM芯片、模拟IP阵列等。14nmCortex-A7处理器的成功流片是三星14nm工艺的最关键性突破，也是Fabless的新希望。CortexA7、A15是天生一对，在ARMbig.LITTLE策略中分别负责低功耗、高性能，而此番在FinFET工艺上部署成功，也验证了ARM新平台的未来可行性。下一步就应该是尝试流片Cortex-A15了。三星表示，对比目前的32nm/28nmHKMG工艺，14nmFinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。三星的14nmFinFET工艺设计套件已经提供给客户，相关产品设计也可开始提供，但三星并未披露会何时投入量产。格罗方德：14nm和10nm都将导入FinFET格罗方德的10nm与14nmXM都是所谓的混合制程，10nm就是运用14nm的设备与设计工具，制造线宽约为10nm的芯片。格罗方德的目标很高，技术长苏比（SubiKengeri）认为移动装置电子产品内的芯片对于晶圆先进制程的需求将会高度增长，依2011年到2016年的预测，40nm以下先进制程的晶圆年复合成长率达37%，到2016年时产值在全球晶圆代工的比重将高达60%。为了抢攻这一波移动商机，格罗方德在2012年已经开始准备14nmXM制程，计划于2014年量产，并宣布它的10nm制程将在2015年量产，两种制程都将导入FinFET的3D工艺。格罗方德的10nm与14nmXM都是所谓的混合制程，例如14nm就是采用20nm的设备与设计工具做出线宽14nm的芯片，10nm就是运用14nm的设备与设计工具，制造线宽约为10nm的芯片。相较于台积电暂先不做14nm制程，而是推出16nmFinFET，苏比认为公司之所以开发14nm制程，是因为英特尔不断进军移动市场，使得台积电公司的客户感受到巨大的压力。格罗方德预计20nm制程在2013年下半年推出，与台积电几乎同步，公司的12英寸厂包括德国德勒斯登的晶圆一厂（Fab1）与纽约八厂（Fab8），各有4万片与6万片的月产能，其中Fab8将导入28nm以下最先进制程。格罗方德技术长苏比近期赴中国台湾，宣称两年内将拿下全球晶圆代工技术的龙头地位，继14nmXM制程于2014年量产之后，在2015年将开始10nm制程量产，这样的进度相比台积电可能领先两年，也几乎与英特尔同步。联电：14nmFinFET工艺推出时间可能生变对于联电来说最大的问题是速度，其14nmFinFET工艺的推出时间可能生变。让业界产生惊奇的是，近期联电也宣布与IBM合作，开发14nm甚至10nm工艺制程，反映在代工领域中几乎没有人掉队。它的FinFET工艺的授权同样来自IBM公司，因此具体做法与格罗方德应该是相似的，都是在20nm后端工艺上采用14nm的FinFET晶体管结构。唯一让业界生疑的是它的FinFET工艺是采用体硅材料，还是UTSOI片。对于联电来说最大的问题是速度，格罗方德将在2014年启用14nmXM工艺（如果不出意外的话），而联电之前曾公布过一个计划即将在2014年下半年实现14nm的FinFET工艺。但是考虑到联电在2014年时才会上马28nmHKMG工艺，中间隔了一个20nm工艺，因此它的14nmFinFET工艺的推出时间可能生变。14nm工艺是个壁垒，也是一个“坎”，能够跨越的厂商已不会超过10家，其中有技术问题，可能更多的是经济问题。因为14nm工艺研发与制造的费用太大，而市场缺乏足够的需求来填补。但是在半导体业界中，目前各家代工商尽其所能互相争艳，市场竞争最终只剩下胜利者。14nm是个“坎”尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进。依目前的态势，业界已然有所争议，有人认为由28nm向22nm过渡时成本可能反而上升，这或是产业过渡过程中的正常现象。全球半导体业中还能继续跟踪14nm工艺节点者可能尚余不到10家，包括英特尔、三星，台积电、格罗方得、联电、东芝、海力士、美光等。显然在半导体业中领军尺寸缩小的企业是NAND闪存及CPU制造商及一批FPGA厂商。而如台积电等代工制造商，由于从市场需求出发，通常工艺制程会落后一代。由此也并非表示代工模式一定会落后于IDM，因为市场经济是需要权衡技术能力与成本的。近期也出现如FPGA的Altera跳过台积电而直接寻求与英特尔合作开发14nmFPGA，反映市场的错踪复杂。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如何继续往下走，似乎业界把希望押宝在FinFET3D工艺与EUV光刻上。从长远来看，集成电路产业的发展总是在性能、成本和功耗三者之间做平衡，由市场做出最后的选择。应在保持性能的前提下，尽可能地降低成本，同时在保持性能与成本的前提下应该尽可能地降低功耗。市场调研机构Gartner的分析师DeanFreeman日前表示，目前半导体业界所面临的情况与上世纪80年代的情形非常相似，当时业界为了摆脱面临的发展瓶颈，开始逐步采用CMOS技术来制造内存和逻辑芯片，从而开创了半导体业界的新纪元。而目前采用FinFET的3D工艺会否产生同样的光环，业界值得期待。14nm纳米是个壁垒或者“坎”。尽管英特尔至今并没有疑虑，仍坚挺采用193nm浸液式光刻加上两次图形曝光等辅助技术，将于2013年底时会推出14nm的测试芯片，并于2014年开始量产。然而在业界似乎已产生分歧，如台积电从20nm之后的下一个工艺节点设定为16nm。对于22nm/16nm级别的工艺制程，业界认为有多种晶体管结构可供选择，包括III-V族沟道技术、体硅技术、FinFET立体晶体管技术、FD-SOI全耗尽型平面晶体管技术以及多栅立体晶体管技术等。但是依目前的分析来看，自14nm（包括14nm）之后，采用FinFET3D结构工艺或将成为主流技术。在现阶段尚有两种技术在互相争艳：一种是如英特尔表示会在22nm制程中开始采用FinFET结构的三栅晶体管技术。另一种是如IBM、意法半导体等公司表示考虑在22nm制程节点时采用FD-SOI或者FD-UTSOI全耗尽技术。IBM公司曾经在前两年展示了一种基于超薄的FD-UTSOI工艺。此种工艺技术的优点是仍然基于传统的平面型晶体管结构，不过这种工艺的SOI的硅层厚度非常薄，在5nm~6nm之间，这样便于形成全耗尽（FD）结构，能够显著减小短沟道效应（SCE）的影响。尽管英特尔与IBM双方采用的工艺技术路线不尽相同，然而市场经济是公平的，双方都会各展所长，根据市场需求做出权衡。

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  • 7月半导体B/B值守住1以上 平均订单金额月增率转负

    国际半导体设备材料协会(SEMI)公布7月半导体B/B值(B/BRatio)，达1，较6月1.1略微下滑，但连续7个月在1以上，其中值得注意的是，7月半导体设备出货金额持续成长，较6月成长4.6%，不过订单金额却较6月下滑4.6%，结束近5个月以来逐月成长的趋势，SEMI指出，接下来景气走势，须密切留意趋势之变化。根据SEMI统计，7月北美半导体B/B值为1，较6月1.1下滑，但仍连7个月在1以上；7月北美半导体设备商平均3个月的订单金额达12.7亿美元，较6月13.3亿美元下滑4.6%，较去年同期12.3亿美元则是成长3.1%。7月北美半导体设备商平均3个月的出货金额则达12.7亿美元，较6月的12.1亿美元成长4.6%，较去年同期14.4亿美元则是下滑12%。根据SEMI统计，7月半导体设备商3个月平均出货金额虽然持续成长，不过平均设备订单金额却较6月下滑，是近5个月以来，单月订单金额首度月增率转负数的情况，半导体景气扩张恐到一个短期高点的情况，SEMI表示，接下来须密切注意景气趋势是否有改变的情况。

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  • Stion宣布改善其CIGS光伏组件

    CIGS薄膜组件制造商Stion日前透露其电池板性能提升10W。该公司宣布Elevation系列STO组件生产线的开放，其声称，通过大量工艺改进，该生产线使性能提升10W。Stion还声称，其日前实现每摄氏度0.26%破纪录的低温度系数，使其在更恶劣的气候条件下运行更好。该制造商声称，在现场测试中，其组件通常优于晶硅组件。Stion首席执行官查特·法瑞斯(ChetFarris)表示：“我们非常高兴宣布这一新的、改进的生产线作为我们承诺的一部分，在该行业以最高品质为我们的客户带来最好的产品价值。”NPDSolarbuzz一份最近的报告表示，如果核对出年同比下滑，薄膜光伏生产需要进一步投资。Solarbuzz预计，薄膜将在2017年占7%的市场份额，较2009年16%的峰值大幅下滑。

    半导体 光伏组件 ST IO

  • Maxim30周年庆祝活动探讨集成问题

    【导读】日前美信集成(Maxim Integrated)特别在深圳举行公司成立30周年的庆祝活动，与中国区客户、分销商伙伴以及媒体一起分享这家模拟芯片巨头历年来取得的成就。公司中国区总经理董晔炜指出，美信集成在模拟IC业务上的创新所走过的历程，既包括在模拟芯片领域的集成，同时也包括了在供应链业务上的集成。 摘要：  日前美信集成(Maxim Integrated)特别在深圳举行公司成立30周年的庆祝活动，与中国区客户、分销商伙伴以及媒体一起分享这家模拟芯片巨头历年来取得的成就。公司中国区总经理董晔炜指出，美信集成在模拟IC业务上的创新所走过的历程，既包括在模拟芯片领域的集成，同时也包括了在供应链业务上的集成。 美信集成中国区总经理董晔炜 董晔炜介绍，Maxim Integrated Products成立于1983年，总部位于加利福尼亚州圣荷塞市，全球拥有30家产品技术中心。目前拥有员工9，000多名，其中5000名为生产员工。2012年6月，美信全球总部迁至位于美国加利福尼亚州圣荷塞市新落成的总部大楼。美信 2012财年的销售额达24亿美元。 半导体的模拟技术是较为离散性的，其技术的发展往往也是经验的积累。董晔炜指出，Maxim有13条不同的产品线，各自产品的发展都自成一线。在2007年新CEO 上任以后，Maxim不断地在公司内部管理上作出调整，对产品的集成创新上和供应链管理上都带来了很大的变革。 “有的朋友可能清楚，过去业界对美信的评价就是，产品很好，价格很贵，但供货很差。这是因为之前13条产品线有13个不同的部门老大，而不同的产品每年的绩效考核都是单独的。有的产品线市场好，可能半年就完成了全年的业绩目标，后面的供货就会出问题。而有些产品可能会市场反应差一些，当然市场供货反而会有保证。”董晔炜对当年出现的问题很坦然地分析。 在CEO Tunc Doluca的带领下，采用灵活的“复合”生产模式，在全球拥有三家自建晶圆厂，并与代工厂及商业伙伴合作，较好地达成了确保产能和降低产品成本的平衡。公司还加大了供应链管理和ETP系统投入，实行有效管理缓冲库存和供货计划，达到了TOSD(原承诺交货日期)95%，CRD(客户要求日期)90%，2013财年第二季的交货周期缩短至平均5周。通过在供应链上对13条产品线的“集成”管理，从而改变了客户对Maxim供货的看法。 随着电子产品的不断集成化和小型化，厂商由提供不同的分立器件向提供系统方案转化，这个过程中模拟的整合能力变得越来越关键，市场对于模拟整合的需求越来越大。 “2008年至2012年的过去四年中，美信的年销售额增长幅度达21%，而模拟行业的平均增长是-6%。美信内部，高集成产品与功能器件的产品收入比例，从20%比80%，变成了42%比58%。通过调整，美信保证了收入增长的同时，毛利率还保持在60%左右。” 笔者问到，为什么目前的模拟技术的集成主要是在低电压的模拟芯片和器件上发生，而高压领域则较为少见?美信市场部执行总监 Anders Reisch从市场的角度作了笔者认为很有意思的解答：美信在模拟领域有着广泛的产品线和技术积累，大都集成在低电压的模拟技术领域。公司拥有将这些模拟产品集成到一起的能力。但可惜目前在高压技术领域，还没有这样的公司。 活动现场展示了包括了便携式数据采集系统、锂电池供电监测单芯片方案、与FPGA模拟外设模块相关的参考设计PMOD组合和其先进的PoE方案等十多款最新的模拟整合的产品及解决方案。

    半导体 集成 模拟技术 INTEGRATED MAXIM

  • 欧洲太阳能等绿色能源补贴集体下滑

    据彭博社数据，2005年至今，欧盟国家已向可再生能源项目投资6000亿欧元(约合8820亿美元)，旨在提高绿色能源的市场竞争力，降低碳排放，减少气候变化对环境的威胁。如今，在欧洲经济不景气的背景下，大多数欧盟成员国不再像从前那样“拥护”可再生能源，或削减财政补贴，或出台税收政策。捷克就是其中之一。7月末，捷克政府通过了结束可再生能源补贴的立法草案。太阳能将成为补贴削减的第一批项目，法案将于2014年初开始生效，届时新的太阳能和生物沼气电站将不再享有补贴。目前，该法案已获得了特别内阁会议批准，10月将提交给捷克议会。除了捷克，德国、西班牙等绿色大国也对可再生能源补贴有点消化不良。西班牙多年来一直斥巨资填补能源价格与成本之间的差价，现已成为欧盟区最大的公共赤字国，背负着260亿欧元的能源补贴债务。对此，西班牙政府不得不多次削减补贴，导致国内超过5万家光伏企业面临财政亏空和破产风险。7月12日，西班牙能源部长何塞˙曼努埃尔˙索里亚宣布，政府将为可再生能源发电设定“合理利润”，即将可再生能源发电的资金回报率设定为7.5%。过去1年，太阳能破产浪潮几乎摧毁了整个行业，而投资者向太阳能投资近250亿欧元也都打了水漂。拥有世界一半以上太阳能电池板的德国损失最为惨重。2012年12月至2013年1月间，德国110万个太阳能发电系统几乎瘫痪，基本无电可发。为了防止大规模停电，德国电网运营商们不得不从法国进口核电，或启用天然气发电站和燃煤电站作为备用电力。默克尔此前曾承诺，如果9月大选连任，每年将对可再生能源项目削减约240亿欧元的补贴。2012年4月，意大利设定了可再生能源补贴限额，年度补贴支出将不超过65亿欧元；去年7月，保加利亚也大幅削减太阳能和风电补贴；今年，波兰政府开始修正削减可再生能源补贴草案，预计10月将提交议会，该草案计划暂停部分太阳能项目补贴；3月29日，罗马尼亚能源监管机构宣布，政府将削减可再生能源补贴，减少颁发绿色电力证书，降低发电商购买绿色电力证书的价格上限。欧盟委员会也暗中拖延可再生能源议程，他们现已接受了整个欧洲大陆的欧盟能源价格提高的事实。5月，在布鲁塞尔举行的欧盟峰会上，欧盟领导人表示，欧盟打算优先考虑负担得起的能源，削减温室气体排放的同时尽可能地降低能源成本。欧盟委员会暗示，欧洲计划通过支持发展更为廉价的包括页岩气在内的化石燃料来恢复价格竞争力，同时全面削减可再生能源补贴。《华盛顿邮报》认为，可再生能源让欧洲“进退两难”，欧洲本来是世界仿效的绿色能源典范，但不知不觉已成为反面教材。

    半导体 太阳能 电力 绿色能源 可再生能源

  • 美国太阳能发电安装商Heliopower收购太阳能公司Greenzu

    美国太阳能发电安装商Heliopower日前收购一家为小型商业公司和非营利机构提供太阳能发电系统的旧金山公司Greenzu。该交易的财务细节尚未公开。Greenzu专门从事为其客户提供融资解决方案，包括“零现付”协议，该公司支付安装项目的初始成本，并且建筑物业主从该公司购买电力。Greenzu还为其不同类型发电站安装项目的客户创建一个标准化的采购协议合约，减少成本和法律费用。Heliopower还为其客户提供集成系统解决方案，安装住宅和商业系统。Heliopower声称，其旨在提高潜在中型商业安装项目的客户的融资需求。出于这种考虑，收购Greenzu的目的是帮助Heliopower客户融资其光伏系统。继收购之后，Greenzu首席执行官兼创始人布兰登·康拉德(BrandonConrad)将成为Heliopower的首席战略官。Greenzu的联合创始人阿曼达·霍兰德(AmandaHolland)将领导HelioMicro-Utility，其是Heliopower的一个部门，关注于太阳能融资解决方案，在2008年与花旗银行(Citibank)开发一项基金。Heliopower董事长伊恩·罗格夫(IanRogoff)称赞Greenzu“在结构性融资和屋顶项目开发中广受推崇的技能”。

    半导体 太阳能发电 POWER HELIO GREEN

  • 芬兰公司推出欧洲最节能室内LED灯具

    芬兰Greenled公司推出一种室内LED灯具，其节能程度位居整个欧洲市场之冠。据该公司介绍，这种被称为ECOE的室内灯具是首款获得欧洲节能A++最高等级的产品。该公司的一份新闻稿称，Greenled灯具比使用了最新技术的荧光管灯具能够节能50%以上。这种灯具针对的是零售店、购物中心和工业及物流设施。ECOE灯具可以进行数字化控制，这意味着可以更加有效地利用日光进行照明。数字化控制可以调整单个LED灯具的亮度。此外照明可以进行对数调整，这意味着可以根据顾客的流量和移动对店铺的照明进行调整，顾客甚至不会觉察到这种变化。Greenled的首席执行官MikkoAaltonen说：“借助智能化LED照明和数字化控制，我们可以比不施加控制的荧光灯节能大约60～80%。”据该公司介绍，LED灯具还符合可持续发展的原则。这种产品不同于含汞的荧光灯泡，而且工作寿命相对较长。Aaltonen认为：“芬兰拥有跟欧洲照明巨头抗衡的大好时机。为了实现这个目标，我们绝对需要跟芬兰其他的照明设备制造商进行跨公司合作。”

    半导体 荧光灯 数字化控制 LED灯具 GREEN

  • 2012-2016年半导体代工市场复利将达19.7%

    ResearchandMarkets近日在他们提供了关于“2012-2016年全球半导体代工市场”的报告分析。一种促进市场成长的主要因素是客户扩充库存的需求。全球半导体代工市场也正在见证扩张策略的逐步应用。然而，半导体市场收入的波动性会成为市场增长的挑战。主导这个市场的关键供应商包括格罗方德，中芯国际，台积电和联华电子。ResearchandMarkets的报告中提到的其他厂商有苹果，DongbuHiTek，IBM，海力士半导体，力晶科技，三星半导体，TowerJazz，和稳懋半导体。根据ResearchandMarkets，全球半导体代工市场正在出现一个日益巩固的市场参与者之间的战略联盟，它在未来将继续。现有供应商和新进入者都渴望进入市场或扩大他们的投资组合。例如，华虹NEC电子和宏力半导体于2011年完成合并。此外，IBM，格罗方德，和三星在市场上形成了一个联盟。由于市场是高度分散和竞争的，参与者采用联盟，协议，和兼并等策略来保持竞争。一个主要的驱动力是众客户需要补充库存。由于半导体器件的需求越来越大，客户需要补充库存来跟上当前以及未来的市场的步伐。在过去的几年里，这一直是市场增长的主要因素之一。

    半导体 半导体 DMA AN RESEARCH

  • 工信部预计下半年光伏产业有望回升

    【导读】工信部日前发布上半年光伏运营情况。工信部称，受政策引导和市场驱动等因素作用，我国光伏行业运行总体情况趋稳，多晶硅产量逐月回升，部分电池企业经营状况有所好转，国内光伏市场稳步扩大。 摘要：  工信部日前发布上半年光伏运营情况。工信部称，受政策引导和市场驱动等因素作用，我国光伏行业运行总体情况趋稳，多晶硅产量逐月回升，部分电池企业经营状况有所好转，国内光伏市场稳步扩大。 据工信部统计，上半年我国在产多晶硅产能约9万吨，占全球约20.5%;产量3.1万吨，同比下降25%，占全球约27%，少数已停产骨干企业正计划复产。多晶硅产业集中度不断提高，产业布局渐趋合理。近80%多晶硅企业停产，部分停产时间过长、竞争力不强的企业将逐渐被市场淘汰;受产品价格压力影响，部分能源资源丰富、电力成本低的地区(如新疆、内蒙等)逐渐成为多晶硅产业转移重要方向。 此外，电池组件生产规模保持平稳，出口渐呈多元化。组件价格缓步上升，生产成本持续下降。企业生产经营状况有所改善，部分企业年内有望扭亏。中欧光伏“双反”案和解方案初步达成，对推动产业走出困境具有积极作用。 据中国光伏产业联盟测算，预计2013年我国多晶硅产量约8万吨，电池组件产量将超23GW，新增光伏装机量将超8GW。 工信部指出，光伏企业财务状况依然紧张，账款拖欠较严重。我国前10大光伏企业负债总额仍超千亿元人民币。由于产品毛利大幅下降、金融机构信贷收紧、应用扶持政策及资金不到位、商业信用环境尚不健全等，国内光伏企业账款拖欠现象仍较严重。2011、2012和2013年1季度应收账款周转天数分别为60天、104天和116天。随着产业整合及企业破产、重整等不断深入，呆坏账情况可能进一步加剧。 并网问题仍是制约市场发展的瓶颈 工信部分析称，全球光伏市场持续增长，重心向中、日、美等国转移。上半年全球光伏市场需求16GW，同比增长9%。其中我国约2.8GW、日本约3GW、德国约1.9GW、美国1.6GW，四国总计约占全球60%。市场需求总体呈上升趋势，预计全球年增装机量将达35GW，其中欧洲约10GW、我国约8GW、日本约5GW、美国约3.5GW，市场重心逐渐由欧洲向中、日、美等国转移。 国内市场迅速扩大，并网问题仍是制约市场发展的瓶颈。据工信部的统计，我国上半年2.8GW装机有1.5GW来自去年第二批金太阳和光电建筑工程，1.3GW为大型光伏电站;全年装机有望达8GW，其中大型光伏电站5GW、金太阳示范工程2GW、分布式发电示范区1GW。但光伏电站与电网建设周期不同步，电站与电网发展规划的协调仍将是国内市场进一步扩大的关键。 工信部指出，光伏应用逐步实现用户侧平价上网，由政策驱动向市场驱动过渡。德意等传统光伏国家正不断削减光伏补贴或设立装机上限，但随着产品价格快速下降，部分国家光伏发电已实现用户侧平价上网，应用将由政策驱动向市场驱动转变。 工信部预计，随着我国对美韩多晶硅“双反”初裁、中欧光伏“双反”和解方案初步达成、国内光伏市场加速启动等，产业发展外部环境不断改善，下半年我国光伏产业整体发展有望企稳回升。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

    半导体 工信部 多晶硅 5G 光伏产业

  • 多用途晶体硅硅片的制造

    美国纳米工程研究中心（CRNE）的一个研究组与巴塞罗那大学电子工程系的研究人员共同开发出一种更便捷更便宜的晶体硅制备方法。他们的研究成果刊登在最近一期的应用物理学报上。这种很薄的硅片厚度在10微米左右，造价昂贵但是微电子学所期望的，尤其是随着微芯片三维集成电路发展这是必然的选择。硅片技术的发展为光伏技术的发展提供了更为广阔的前景，尤其是柔性电池的发展方面收益颇大。近些年来，技术的发展带来了硅片向着更加薄的方向发展。线切割所能带来的最薄的硅片厚度在150微米左右。利用线切割技术获得更薄的硅片比较困难，但是在切割过程中损耗的硅材料占到一半左右。该研究小组的方法与一般线切割的区别在于：只要一步就能实现，并且可以生产出效率更好的、速度更快的、而且价格更加便宜的硅片。该方法基于在材料的表面制造出很多微小的细孔，加工过程辅佐高温来实现。硅片的分割过程可以精确地控制微小细孔的形状。精确控制的细孔直径不仅能够控制硅片的数量，同时可以精确控制厚度、以及偏差。这种夹心状的硅片可以通过叶片状剥落。预期的硅片数量和厚度可以很精确地得到控制。CRNE的科学家可以很容易地将一块300毫米厚的硅片分割成10片更薄的硅片，每片在5到7毫米之间。减少工业生产的成本对于超薄硅片的需求越来越多，无论是MEMES行业还是太阳能行业都有着很大的需求量。传统硅片的切割已经达到了一个相对瓶颈阶段。硅片的厚度从90年代的300毫米到现在的180毫米左右，并且效率在不断提升而且降低了成本，但是希望获得更薄的硅片以进一步降低成本的要求越来越困难。这种方式的出现很好地解决了这一需求，尽管到了几十微米的厚度，但是能够吸收阳光并进行光电转换的能力任然保持着。

    半导体 硅片 控制 晶体 线切割

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