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  • 美国市场通路选购LED灯具与照明系统的五个新要点

    美国市场近期对于LED灯具、LED照明系统的讨论，围绕在几个新的选购要点上。其中两大关键是，某些灯具现在终于已经可以达到85％的系统竭能效益，其次是某些LED的耐用寿命，已经比之前提高，减少美国通路RMA的机率，这使得通路厂商接受度更高。以下五点是新的选购要点：1、了解灯具厂商宣称的产品效率，安装灯具的前后成本，以及能源、维持成本，还有售后服务。2、评估LED的品质，要比较光输出效率，以及符合美国绿色旅馆指标测试的产品，这种评估测试是很严格的，每个需要留意到的节能特征都有考虑到。3、评估LED灯具时，也考虑采用可以获得比较的能源之星评测标准和资料，以及制造商提出的测试报告。4、确认与仔细观察制造商提出的光、能源效率数值，因为有可能造假。5、要去验证LED照明灯具或照明系统的安装需求，确定你采购的新灯具是符合美国国家电子代码标准(NationalElectricCode)，符合安装照明灯具的需求才行。

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  • LED市场复苏　MOCVD前驱物需求激增

    发光二极体(LED)照明市场成长，连带刺激有机金属化学气相沉积(MOCVD)前驱物(Precursor)的需求快速攀升。研究机构IHS预估，MOCVD前驱物的全球总需求量将从2013年的48.6吨扩增至2016年的69吨；对比2012年的32吨，成长幅度上看114%。前驱物是影响LED磊晶层(EpiLayer)发光效率能否达到最理想状态的核心材料，用于制造LED晶片中最关键的MOCVD制程，其主要包含三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三乙基镓(TEGa)、三甲基铝(TMA)、环戊二烯(Cyclopentadienyl)及二茂镁(Cp2Mg)等元素。来自南韩、台湾及中国大陆的MOCVD设备采购商占了全球前驱物总需求量的80%，其中，又以中国大陆业者的需求量最高。据估计，2016年MOCVD前驱物需求将有45%是来自中国市场。如此惊人的成长力道，也使得MOCVD前驱物市场竞争愈演愈烈。LED发展初期，陶氏化学(DowChemical)为前驱物市场之主要领导厂商，但随着需求扩增，新的竞争者也竞相以低价、高品质的产品积极进攻该市场。如此激烈的竞争环境促使前驱物成本降低，对LED晶片制造商而言可谓一大福音；但长期下来，却极有可能逐渐侵蚀前驱物供应商的利润空间，成为市场扩张背后的隐忧。

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  • 欧盟披露对华光伏反倾销终裁 硅片被移出调查

    欧盟委员会本周二(27)披露了对中国光伏反倾销调查的终裁结果，硅片(wafers)被排除出本次调查，这意味着今后出口到欧盟的硅片将不受反倾销的约束。然而据环球律师事务所合伙人杭国良律师介绍，由于硅片被排除出反倾销调查，欧委会可能要重新修改价格承诺协议。8月6日，欧盟公布与中国光伏企业达成的价格承诺协议，中国企业承诺出口的光伏组件价格不低于0.56欧/千瓦时，每年出口限额不超过7GW。反倾销调查的对象包括硅片、电池片和光伏组件。据悉，欧委会将在9月6日之前提交对该终裁披露的评论，届时将有最终定论。而关于反补贴部分的终裁披露也将于近日公布。据路透社的消息，欧盟表示掌握了中国光伏企业受到国家补贴的证据，但布鲁塞尔当前并不愿意破坏业已达成的价格承诺协定。另外，尽管有价格承诺协议，但欧委会还是单独核算了每个企业的反倾销税税率，也算是给调查企业一个交代，但最终还是会按照价格承诺协议的税率执行。

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  • 全高清智能手机时代来临 Marvell芯成坚强后盾

    【导读】随着移动互联网的蓬勃发展，移动设备市场成了众多厂商不可错过的战场，手机厂商间的竞争日益加剧，拥有发烧级配置的智能手机正逐步走近主流消费人群。屏幕尺寸、分辨率和处理器成为了当前智能手机硬件竞争的焦点。多款配置了四核处理器、5英寸大屏、支持1080P全高清的新款旗舰机型纷纷亮相，继四核成为主流配置之后，手机的全高清时代正一步步地向我们走近。 摘要：  随着移动互联网的蓬勃发展，移动设备市场成了众多厂商不可错过的战场，手机厂商间的竞争日益加剧，拥有发烧级配置的智能手机正逐步走近主流消费人群。屏幕尺寸、分辨率和处理器成为了当前智能手机硬件竞争的焦点。多款配置了四核处理器、5英寸大屏、支持1080P全高清的新款旗舰机型纷纷亮相，继四核成为主流配置之后，手机的全高清时代正一步步地向我们走近。 从“视网膜屏”到“超极屏” 无论你是不是果粉，或许都对苹果公司视网膜屏(Retina屏)的大名有所耳闻，随着去年iPhone 5的推出，视网膜屏的概念成了绝佳卖点，紧紧抓住了消费者的眼球。当时，坊间流传着这样的说法：“iPhone 5显示屏的成像效果已清晰细腻到超越人眼所能分辨的程度。”实际上，视网膜屏的定义并非这样简单。当年，对于视网膜屏技术，乔布斯教主是这样阐述的：“当你所拿的显示屏距离你10-12英寸(约25-30厘米)时，它的分辨率只要达到300ppi(每英寸300个像素点)以上，你的视网膜就无法分辨出像素点了。”作为视网膜屏的代言机型，iPhone 5配备了4英寸显示屏，分辨率达到了1136×640像素，像素密度则为326ppi。 屏幕的清晰度和色彩表现力是用户在使用手机时的最直观感受，清晰富于表现力的屏幕将会大大提升用户的整体使用体验。视网膜屏的出现并未终止人们对更高成像效果的追求，自iPhone 5之后，智能手机市场又陆续涌现出了多款配备1080p全高清屏的智能手机，它们不仅拥有更强的整体性能，屏幕细腻度也超越了iPhone 5，不仅拥有1080×1920像素的分辨率，像素密度更高达400ppi以上。现在，苹果公司曾经引以为傲的视网膜屏技术的光环已然不再，智能手机也由此迈入了全高清时代。 走向大众的“发烧级”手机 在消费者以往的经验中，“发烧级”的电子产品往往代表着顶级配置和顶级的价格，但对于当前的竞争激烈的智能手机市场，这样的看法却需做一点改变：拥有高端配置的旗舰机型并不意味着拥有同样“发烧”的价格，更多手机厂商选择面向大众市场推出价格适中的性价比之选。 近日，宇龙酷派最新推出了5.5英寸1080P全高清大屏智能手机——酷派炫影SII 8750。这款手机搭载了性能强劲的Marvell四核处理器，还拥有5.5英寸1080p(1080×1920像素) FHD全高清显示屏，屏幕像素密度高达403ppi，显示效果清晰细腻。机屏幕的清晰度以及色彩表现力会直接影响到用户对手机使用的视觉感受，越清晰的屏幕将会给用户更好的整体使用感受。 作为宇龙酷派的新一代旗舰机型，酷派炫影SII 8750面向中高端市场，目标消费者锁定为公司年轻白领和商务人士。随着智能手机的升级，这些人群对手机的性能和配置要求更高，同时更加追求手机的时尚、个性化特征。在性价比方面，炫影SII 8750无疑十分出色，相对于竞争对手同级别配置智能手机三、四千元的价位，炫影SII 8750不到两千元的定价让不少分析人士对这款产品抱有很高的市场预期。 功不可没的Marvell芯 在全高清屏极致显示效果的背后，来自高性能处理器的支持功不可没。酷派炫影SII 8750采用了高性能四核ARM Cortex-A7架构的Marvell PXA1088处理器，可提供高性能、低功耗的移动计算服务。在视频解码方面，Marvell PXA1088可以轻松实现1080p视频编码和解码，GPU图形标准包括了针对OpenGL ES1.1/2.0以及OpenVG 1.1的支持。保证了全高清视频在酷派炫影SII 8750上的流畅播放。 作为处在智能手机产业链上游的芯片解决方案提供商，Marvell公司在多核处理器及无线通信技术领域拥有行业领先的技术实力和领导地位，凭借从应用处理器到无线通信的完整智能手机通信解决方案，助力全球一流手机厂商更加快捷地推出高性能、具性价比的智能手机。以酷派炫影SII 8750为例，除PXA1088之外，这款手机还集成了Marvell Avastar 88W8787无线解决方案，支持蓝牙3.0和调频功能，凭借Marvell的波束成形技术提供出色的Wi-Fi覆盖范围、稳健的802.11n连接性能和清晰的音质。 随着越来越多支持1080P全高清大屏智能手机上市，作为精明的消费者，怎样才能在众多机型中做出更适合自己的选择?除了收集信息，亲手体验，还要透过外表，看清手机内在的“芯”。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 半导体巨头抢入20纳米 设备厂新一轮抢单

    随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代，设备厂也展开新一波的抢单计划。在应用材料于其SEMVision系列设备上引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜(DRSEM)技术后，另一设备大厂科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光学及电子束晶圆缺陷检测系统。随着两大设备厂已抢进台积电及英特尔供应链，对于国内设备厂汉微科来说竞争压力大增。虽然半导体市场下半年景气能见度不高，但是包括台积电、英特尔、三星、格罗方德(GlobalFoundries)、联电等大厂，仍积极投入扩充新产能，尤其是明年将相继跨入20纳米，后年则会进入16纳米或14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)世代，也因此，国内外设备大厂已积极布局争取商机。在晶圆缺陷检测设备市场上，国内设备厂汉微科靠着电子束检测设备打响名号，现在已经打入台积电、三星、英特尔等大厂供应链。由于缺陷检测攸关制程良率的提升速度，国际大厂如应用材料、科磊等，也已在光学及电子束检测设备市场推出新一代产品，同样也获得台积电、英特尔等大厂青睐及采用。应用材料已在其SEMVision系列设备上，推出一套最新缺陷检测及分类技术，该设备的缺陷分析系统结合前所未有高分辨率、多维影像分析功能，及革命性创新的Purity自动化缺陷分类(ADC)系统高智能的机器学习算法，同时为半导体产业引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜技术，并可支持到10纳米制程。科磊昨日在科技论坛中宣布推出采用NanoPoint技术的光学晶圆缺陷检测平台及新型eDR-7100电子束晶圆缺陷检查系统。科磊两此大平台可以相互支持，可以迅速发现和可靠识别影响良率的缺陷，透过缺陷侦测并成像位于3D或垂直结构如FinFET底部的独特缺陷，在最短时间内拉高制程良率。法人表示，虽然汉微科在各大半导体厂的电子束缺陷检测设备市场占有率仍高，但应用材料及科磊大动作进行卡位，尤其在现有光学缺陷检测设备平台上增加支持，降低晶圆厂成本，的确会对汉微科造成竞争压力。

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  • 美国陆军拟斥70亿美元予其太阳能发电项目

    近日，美国陆军工程兵团将整整70亿美元的资金授予其可再生能源采购项目中的太阳能发电技术。此外，陆军工程兵团还公布了一份符合资质的22家企业名单，项目时间跨度将长达10年。这份企业名单中包括制造聚光光热电站零件的德国西门子公司以及总部位于美国威斯康星洲的涉及多项太阳能发电技术及光伏供应商江森自控公司（JohnsonControls）。这22家企业已经获得了不固定交货期限/不定交货数量的合约，他们有资格参与PPA购电协议的竞争。签署PPA购电协议的项目将由私有企业提供融资、建设及维护。SunPower等欧美开发商入选这份企业名单中还包括全球顶级的光伏制造商与开发商SunPowerCorp.、美国两大电力企业和一家欧洲电力公司——美国DominionEnergyInc.、新泽西州NRGEnergyInc.和总部设在意大利罗马的EnelGreenPower北美子公司。此外，获选的5家项目开发商分别如下：芝加哥AccionaEnergyNorthAmericaCorp.，美国加州圣地亚哥的BorregoSolar，俄勒冈州波特兰的ElementPowerUSLLC，新泽西州斯普林菲尔德的GehrlicherSolarAmerica以及美国马里兰州罗克维尔市的StandardSolarInc.公司。

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  • Imagination宣称与Ineda合作研发可穿戴设备芯片

    8月29日消息，据外媒venturebeat报道，随着可穿戴计算机的起飞，芯片制造商们开始着手设计硅谷芯片以使它们可运用于最小设备上。英国CPU制造商ImaginationTechnologies宣称今日与InedaSystems合作研发可穿戴设备芯片，从智能手表到健康和健身测仪器。此次合作中，Imagination将提供PowerVR图形处理器和MIPSAptiv中心处理器产品，Ineda也结合图形、CPUs和芯片的其它零部件设计芯片系统解决方案。InedaCEODasaradhaGude称，Imagination的核将为可穿戴设备高效芯片奠定基础。首席执行官HosseinYassaie在斯坦福大学(即MIPS成立的地方，MIPS在2月份被该公司以1亿美元收购)记者招待会称，因为这款产品很小，它们不适用于大型电池，可穿戴计算机不得不用Imagination团队打造的超低功耗芯片。Imagination将面对来自英特尔和ARM的相当大的挑战。正如ARM，Imagination没有构建芯片。它创造了知识产权比如MIPS核心和PowerVR图形，然后转让给其他芯片制造商像Ineda。这个公司多年来在转让PowerVR图形给智能手机芯片厂商方面已经做得非常好。PowerVR用于苹果产品比如iPhone和iPad，也用于其它手机设备。ImaginationTechnologies营销副总裁TonyKing-Smith在记者招待会上称，该公司已经有50亿块芯片上市了，每天300万块。去年MIPS也上市了7亿块。去年财政报告中，ImaginationTechnologiesIP出产5.35亿块芯片，它的目标是2016年出产10亿块芯片。

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  • 松下开展利用太阳能发电和蓄电池的家庭能源优化实验

    松下公司7月23日开始，在横滨市使用太阳能发电系统及蓄电池实施家庭能源优化实验。在48栋独户住宅中设置了相关设备，通过住宅能源管理系统（HEMS）监控空调等能源消费较大的设备。力争实现各栋住宅的节能，以及在一定区域内能源地产地消。这项实验是被日本经济产业省选为“新一代能源及社会体系实证地区”的横滨市实施的“横滨智慧城市计划”（YSCP）的一环，名为“利用家用蓄能设备的需求侧管理（DemandSideManagement，DSM）实证”。平时充分利用太阳能发电，在需要抑制电力需求时，使用蓄电池来减轻供电负担。配备可统一控制太阳能发电系统和蓄电池的系统，和可使能源实现“可视化”、同时控制相关设备的HEMS单元，通过监控空调及自然制冷剂热泵热水器等，对家庭能源进行管理。并且，还通过信息终端显示太阳能发电量、蓄电池剩余电量及家电使用状况，推动居民采取节电行动。DSM指的是与电力需求方联动抑制供电的机制。实验将通过掌握48栋住宅的总电力量，把其看作1个大型蓄电池，在地区内实施错峰，并实现自动减少功耗。松下将把实验中获得的经验用于今后推进及参与的相关计划，推进开发能源管理系统。

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  • 混合硅准备取代磷化铟 (InP) 光子芯片

    混合硅将会成为复杂光子集成电路的首选平台吗？2006年，美国加州大学（UCSB）和Intel公司的研究人员推出了世界上第一个电泵浦混合硅激光器。该器件利用了III-V族半导体的发光特性，并运用成熟的CMOS工艺在硅晶圆上制作激光器，从而为制造廉价的量产型硅制光学器件开启了大门。【前沿科技】混合硅准备取代磷化铟(InP)光子芯片7年的时间很快就过去了，许多人都认为：混合硅光子技术革命如今已经的的确确是万事俱备了。业界开发出了各种各样的混合器件，从激光源和光学放大器到高速调制器、波导和偏振组件，等等，不一而足，从而形成了光子集成电路(PIC)的构件。UCSB已开发出了锥形模转换器（taperedmodeconverter），以实现混合硅组件与无源绝缘体上硅衬底的集成，并采用量子阱混杂和芯片焊接以组合不同的带隙组件和具有不同III-V外延堆垛（epitaxialstacks）的器件。在整个业界，重要的混合集成电路包括高集成度发送器、光相位阵列和光分组交换器。而头条新闻则涵盖了Intel的50Gbit/s硅链路、Luxtera公司的“millionth”芯片，以及imec在300mm硅晶圆上制作组件等。鉴于上述公司和其他的主要厂商(从IBM到UCSB的分拆公司Aurrion)都急于使硅芯片“大放异彩”，UCSB的光电子研究小组的MartijnHeck认为现在所取得的种种突破仅仅是开始。“[实现这些组件之集成化的]希望一直存在，但我们如今提高了良率，同时特别关注性能和加工工艺，”他说。“很棒的一点是，我们现在能够把组件连接在一起并制作此类高性能、高功能性的光子集成电路。”这种激动人心的进展速度无法不让人印象深刻，但是InPPIC仍然具有非常多的优势。Infinera公司目前正在出售采用500Gbit/sPIC构建的光学网络平台，并于近期演示了一款10Tbit/sPIC。但是，这可能很快有所改变吗？最近，Heck和同事们绘制了一幅图，其描绘了InP和混合硅芯片复杂性（以每颗芯片所包含的组件数目来衡量）的发展状况。毫无疑问，基于InP的单片式集成在过去的20年里其复杂性呈指数性增长，不过据研究人员说，混合硅PIC正在快速地步前者之后尘。Heck认为，三个主要的推动力对于技术的迅速变革起到了决定性的作用。“首先，我们基于成熟的III-V半导体工艺；我们接受了现有的知识并将之应用在硅衬底上，”他说。“例如，我们现在可以制作70GHz甚至更快的调制器……这表明我们在组件方面所取得的进步是非常巨大的。”其次，按照Heck的说法，混合硅PIC至少在部分工艺流程中利用了成熟的CMOS制造基础架构。第三，他补充说：“业界的接受速度非常快。Intel、HP和其他的公司正就此展开相关的工作，而欧洲的研究活动也十分红火。人们认识到了此项技术所蕴含的巨大潜力。”而且，尽管混合硅与InP之间的差距仍然很大—在一颗硅PIC上可集成几十个组件，而在同等尺寸的InPPIC上则能集成几百个组件—但即将来临的数据洪流（datadeluge）却有可能推动这一改变。未来的Tbit/s级数据通信和互连应用将需要大量的高集成度PIC。另外，凭借其300mm硅衬底以及可兼容CMOS的制造工艺，混合硅可提供远远优于InP型PIC的规模经济效益。Heck坚信未来的数据通信和电信应用将促进混合硅光子组件集成的发展，并且回顾了近期由UCSB的能效研究所（InstituteofEnergyEfficiency）牵头举办的一次圆桌活动，这次活动研究了未来的数据中心将如何应付数据需求。“主要公司[比如Intel、Cisco、HP、AMD等]的所有热门事件（hot-shots）都在这里了，而在他们的工作计划清单上排在首位的都是光子集成，”他说。“就集成而言，我们都知道其步伐将增大。Intel和其他公司已经行动起来了……不错，这是有点投机和冒险，但常识告诉我们它将会发生。”

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  • 赛灵思授予TSMC最佳供应商奖

    【导读】赛灵思公司 (Xilinx， Inc. (NASDAQ:XLNX) )宣布其将“最佳供应商奖”授予全球领先的半导体代工厂台积电公司，以表彰其作为战略合作伙伴和供应商所取得的卓越成就。赛灵思每年都会评选一家关键供应商并颁发此奖项，以答谢其对公司业务成功所做出的杰出贡献与努力。 摘要：  赛灵思公司 (Xilinx， Inc. (NASDAQ:XLNX) )宣布其将“最佳供应商奖”授予全球领先的半导体代工厂台积电公司，以表彰其作为战略合作伙伴和供应商所取得的卓越成就。赛灵思每年都会评选一家关键供应商并颁发此奖项，以答谢其对公司业务成功所做出的杰出贡献与努力。 赛灵思公司全球运营高级副总裁Raja Petrakian指出：“台积电之所以能赢得我们2012年最佳供应商奖是因为该公司与赛灵思深入协作，帮助我们建立了明显的技术领先地位，不仅确保了产品质量和交付日期，而且不断提高良率。这使赛灵思得以凭借包含针对系统优化的FPGA、以及业界首款All Programmable 3D IC和SoC的突破性28nm产品组合，实现了显著的收入增长和市场份额优势。最近赛灵思和台积电宣布投片业界首款20nm UltraScale™器件，并针对FinFast™计划开展协作以实现最快的上市速度和最高的16nm性能，藉此不断突破All Programmable器件的性能极限。” 台积电副总裁兼台积电北美公司总裁Rick Cassidy指出 ：“我们与赛灵思的合作，充分证明了公司合作在应对和解决复杂挑战的过程中所起到的重要作用。 我们的合作同时也为将来取得更大进展铺平了道路。我们很荣幸能够荣膺赛灵思颁发的这个最佳供应商奖项，并期待在未来几年内进一步加强我们之间的联系与协作。”   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 国内模拟IC设计业如此落寞，该从国外厂家学什么?

    【导读】“模拟电路更像是一门艺术。”这是中国第一本半导体电路教材《晶体管电路》编写者童诗白教授讲给学生的。但是在国内，这门“艺术”却面临“日渐冷落”的窘境。有专家提到，2012年中国IC设计业模拟电路研发企业从146家大幅减少到68家。虽然这一数字由于资料收集渠道的原因并不一定十分精确，但国内模拟IC厂商的“歧路”也可见一斑。 摘要：   “模拟电路更像是一门艺术。”这是中国第一本半导体电路教材《晶体管电路》编写者童诗白教授讲给学生的。但是在国内，这门“艺术”却面临“日渐冷落”的窘境。有专家提到，2012年中国IC设计业模拟电路研发企业从146家大幅减少到68家。虽然这一数字由于资料收集渠道的原因并不一定十分精确，但国内模拟IC厂商的“歧路”也可见一斑。 “模拟电路更像是一门艺术。”这是中国第一本半导体电路教材《晶体管电路》编写者童诗白教授讲给学生的。但是在国内，这门“艺术”却面临“日渐冷落”的窘境。有专家提到，2012年中国IC设计业模拟电路研发企业从146家大幅减少到68家。虽然这一数字由于资料收集渠道的原因并不一定十分精确，但国内模拟IC厂商的“歧路”也可见一斑。与这一数字形成强烈对比的是，全球模拟IC市场2013年营收预计将超500亿美元，增长率达到12.6%。此外，模拟IC还属于高利润率的业务，美国凌力尔特公司据称利润率已达70%。 为何国内模拟IC设计业会如此落寞呢? 模拟IC研发不仅仅需要资金、设备和工具，更需要的是能感悟模拟世界的大师。 虽然企业的浮沉受市场变化影响是再正常不过的，但是国内模拟IC厂商何以甘心成为“过客”?国内知名分销商武汉力源信息技术有限公司副总经理骆敏健分析认为，模拟IC厂商数量变化有几种原因：一是被国外半导体公司收购了。二是由于经营不善而自生自灭了。三是由于市场需求发生变化，原有的产品线已不足以支撑公司运营，因而走上转型之路。比如说有些公司原先承担了国家某个项目，由于其市场空间容量有限，也不能直面全球竞争，等项目结束后企业就成为过眼烟云了。 相比某些国内模拟IC厂商的“黯然离别”，TI、ADI、美信等国外模拟大厂却是“意气风发”，甚至TI等厂商放弃了一部分数字IC业务转而投向模拟IC领域，如传感器等，这一进一退之间，折射出国内半导体业的困境。 iSuppli高级分析师顾文军表示，模拟IC主要是靠技术和工艺的结合，特别需要工艺的支撑，国内模拟企业的瓶颈主要在于：一是其不像数字IC产品那样，因为有标准Foundry的出现，大大降低了设计的门槛，而专业的模拟Foundry非常少，而模拟的工艺和技术大多数集中在IDM公司中，所以国内模拟设计公司缺少代工厂的支持，缺少工艺等方面的支持。二是模拟IC不是标准工艺，设计门槛相对较高，对设计人员的要求尤其是经验方面的要求很高，而国内人才欠缺，还需要积累。 在IC利润越来越低、IC设计制造工具更新越来越快的今天，模拟IC不仅保持着高利润率，而且其制造工艺有很长的生命周期，目前8英寸晶圆已成为主流。半导体行业专家唐晓泉提到，多年保持毛利率水平在70%的模拟IC领先者凌力尔特使用的仍是6英寸晶圆，而且已用了10多年的6英寸晶圆线还要用10年以上。“凌力尔特的成功表明，模拟IC研发不仅仅需要资金、设备和工具，更需要的是能感悟模拟世界的大师。”唐晓泉强调说。 为无为则无不治 国内企业要想长期发展，就需在全球市场中参与竞争，因为国外半导体厂商也在不断本地化，依靠封闭原因形成的局部优势不能长久。 在国内某些模拟IC厂商成了“过去时”的同时，另一些模拟厂商却在上演“逆势增长”的剧情。它们的产品线做得比较全，实力也较强，产品也不再是中低端的代名词，而是高频、低功耗、高性能的可以替代国外半导体产品的“硬通货”，这让国外模拟厂商感受到了压力。在这方面表现出众的北京圣邦微电子有限公司FAE工程师吕扬对《中国电子报》记者提到，国内模拟IC产品主要还集中在国外厂商已可开发、但国内还处于空白的产品，填补空白既是立足之道也是当务之急，如圣邦微开发的高精度运放、低静态电流运放等产品对国外厂商造成了较大的冲击。 正所谓“是故用无常道，事无轨度，动静屈伸，唯变所适。”规模达500多亿美元的模拟IC市场仍迫切需要国内半导体厂商奏出自己的“音符”，市场仍在不断变化，其实还大有作为。 “未来国内模拟厂商在选择路线时一是要选择避开与国外厂商正面竞争、针对国内本土需求的产品，如复旦微电子开发的电表芯片即是一例。但问题是，这种产品面向相对较窄的市场，只能当作权宜之计解决一时的生存问题。要想长期发展，还需要直接在全球市场中参与竞争，因国外半导体厂商也在不断本地化，依靠封闭原因造成的局部优势不能长久。二是国内IC企业除注重研发和生产外，也要注重销售。”国内知名分销商武汉力源信息技术有限公司副总经理骆敏健表示，“我们与国外半导体厂商合作时，它的分销体系很成熟。而国内IC厂商渠道建设非常薄弱，没有完善的代理制度，给代理商、分销商的价格都是乱的，就靠自己跑大客户。而大客户一般都会有自己固有的渠道，如果想打入其供应链，体系不健全会产生很大的制约，光靠自己来抢占的市场份额肯定是很少的。” 在新材料新工艺方面，我们仍要清醒地认识到“追随”仍是主旋律。吕扬提到，目前模拟IC基于硅的COMS工艺还处在不断完善、不断改进的阶段，碳化硅、氮化镓等新材料可能在整流或功放领域有前景，但国内模拟IC企业还应着重掌握CMOS工艺。“相比国外模拟厂商的IDM模式，国内模拟厂商需要达到一定的规模才能考虑，目前与这一目标还相对较为遥远。”吕扬不无遗憾地提到，“这也迫切需要国家政策的扶持。”[!--empirenews.page--] 而今迈步整合越 模拟行业从过去“关注单个功能模块的性能提升”转为现在“注重模拟整合的方案”，因此仅仅局限于设计比单功能器件性能略优的产品是远远不够的。 “世界本来是模拟的，但通过几十年的数字化，结果能数字化的就数字化了，剩下的自然是更难做了，需要几十年的功底。”唐晓泉的话也从侧面说明模拟IC设计的难度。 如今不再是模拟IC“单打独斗”就能胜出的时代，整合方案时代已然到来。美信市场副总裁ToddWhitaker就表示，模拟行业的发展驱动力源自设计人员对缩小尺寸、降低功耗、减少元件数量的追求，并且由过去关注单个功能模块的性能提升到现在注重模拟整合的方案。“这对模拟行业来说是重大转变，模拟厂商必须对所应用的系统有更好的理解，如放大器领域的专家与数据转换器的专家需要共同协作，设计能够解决系统级问题的产品，从而才能创造出更富竞争力的模拟方案，仅仅局限于设计比单功能器件性能略优的产品是远远不够的。”ToddWhitaker进一步指出。 整合考验的更是全方位的实力，国内模拟IC厂商需要未雨绸缪，当然也不能单纯为整合而整合，仍需要找准着力点。“即使整合某些器件可占据更多市场、可扩大利润，但也仍有风险。如果刚整合成，对手就降价，对手以静制动，这样会很被动，所以一定要结合市场需求和自身的实力来考量。”吕扬表示。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 14纳米：“六仙”过海 各显神通

    摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，但是硅基半导体之后采用什么材料仍值得人们期待。英特尔：继续执行“Tick-Tock”发展策略英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年达到7nm。据英特尔已经公布的工艺路线图显示，在2013年时将实现14nm，之后能否继续遵循每两年尺寸缩小70%的工艺规则，至少到目前为止业界认为仍是难以确定。至此业界各家仅是表示工艺尺寸有可能缩小至7nm甚至5nm。显然英特尔的说法不一样，仍显示出其头号芯片制造商的决心与信心。英特尔副总经理兼元件研究处长麦克（MikeMayberry）在刚刚落幕的比利时微电子研究机构IMEC2013科技论坛演讲中确认，英特尔已确定10nm可于2015年量产。根据它的最新工艺技术路线图，英特尔重申继续执行“Tick-Tock”发展策略，也就是每两年对半导体技术制程进行大规模的升级。英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年可达7nm的最先进水平。不过，MikeMayberry还表示，英特尔也在研发10nm以下时可替代硅的新型半导体材料，如三五族化合物半导体等，希望能将半导体的性能发挥至极致。众所周知，目前英特尔在移动智能终端芯片的软肋在于功耗，它坚持采用复杂的X86架构，基本上是延续电脑发展的思考模式，仅专注于产品的效能增减来试图降低功耗，而ARM的思路是采用大小核，根据不同的用途来选择。英特尔执行副总裁兼架构事业部总经理浦大卫（DadiPerlmutter）近期在中国台湾举行的Computex贸易展会上接受采访时表示，英特尔与ARM在芯片耗电量和性能方面的竞争将结束，因为英特尔即将推出的基于Silvermont架构的移动芯片，在耗电量和性能方面都超过ARM速度最快的内核Cortex-A15。浦大卫表示，Silvermont芯片将通过改进电路和电源管理功能提高每瓦性能，Silvermont芯片将采用22nm工艺制造，采用效率更高的FinFET3D晶体管结构。新一代凌动“Silvermont”采用了全新的制造工艺和设计，提高了性能，降低了功耗。使用Silvermont微架构的智能手机用平台的开发代码为“Merrifield”，平板电脑用平台的开发代码为“BayTrail”。Merrifield将从2014年第一季度开始供货，支持Android操作系统。平板电脑平台“BayTrail-T”将于2013年秋季推出，支持Android和Windows8操作系统。据称，Silvermont的图形处理性能提升到原来的3倍，还可以向高分辨率显示器输出影像，而且续航时间更长。BayTrail除了可应用在平板电脑之外，还可应用在包括低价位二合一终端、笔记本电脑、显示器、一体型个人电脑等。英特尔在2012年的研发费用相比于排名第二的高通多出7倍，它在2013年的投资将超过台积电。英特尔在2013年会将22nm的FinFET工艺生产用于移动设备中的凌动（Atom）芯片，2014年时还将扩展到14nm工艺中去。IBM：FD-SOI是22nm强势候选技术尽管SOI技术有优势，但继续往14nm及以下节点走时可能会遇到困难。IBM公司半导体研发中心的副总裁GaryPatton最近表示FD-SOI是22nm制程节点的强势候选技术。目前有很多高性能应用中可能会需要使用FD-SOI技术。SOI是指在IC制造过程中采用硅+绝缘层+硅的硅片，这种结构方式的优势是可以减小器件的寄生电容，并改善器件的性能。在部分耗尽型SOI结构中，SOI中顶层硅层的厚度为50nm~90nm，因此沟道下方的硅层中仅有部分被耗尽层占据，由此可导致电荷在耗尽层以下的电中性区域中累积，造成所谓的浮体效应。而FD-SOI可将位于顶层的硅层厚度减薄至5nm~20nm，这样器件在工作时栅极下面沟道位置下方的耗尽层便可充满整个硅薄膜层，如此便可消除在PD-SOI（部分耗尽层）中常见的浮体效应。尽管SOI技术有优势，可以继续沿用现有的平面制造工艺，但是由于SOI硅片的成本至少高出10倍左右，再加上至20nm工艺时顶层硅的厚度已降至6.3nm，厚度精度控制在±0.5nm之间，因此继续往14nm及以下节点走时可能会遇到困难。目前参与SOI俱乐部的制造商有IBM、意法半导体、Soitec、格罗方德，设计服务公司有上海的芯原及另一家不知名的日本公司等，而真正用于量产的产品仅是意法半导体采用28nm工艺制程的SoC。SOI工艺令人头疼的另一个问题是此种技术是否能适合在移动设备市场中使用，业界对于SOI晶体管的所谓“历史效应”和尺寸可微缩空间保持怀疑的态度，因此多年来SOI技术一直只在部分高端台式机处理器和其他高性能应用中才有应用，SOI中热的不良导体BOX层（埋入式氧化物层）导致的散热劣势应该也是其原因之一。台积电：2014年推出16nmFinFET工艺台积电的着眼点不仅在于工艺制程的缩小，同样也聚焦在CoWoS即所谓3DIC制造上。台积电首席技术官兼研发副总裁孙元成在2013年4月已经透露其官方的CMOS工艺路线图，从2013年先进的20nm平面SoC开始，至2014年台积电将采用16nm节点的FinFET工艺制程，使用低供电电压，从0.8V降至0.6V，从而使超低功耗处理器如ARMv8尽可能降低功耗至750毫瓦。接下来，台积电计划在2015年至2016年间，通过直写电子束或者极紫外光、EUV光刻技术将其FinFET的工艺提升至10nm节点，以提高35%的性能。尽管台积电预计它的16nmFinFET与20nm制程仅差距一个世代，于2015年时推出，而它的10nm制程于2017年导入量产，但是与英特尔不断领先的工艺制程技术相比，可能仍有两年的差距。但是台积电在张忠谋的领导下，它的投资力度很大，而且业绩节节上升，所以台积电的龙头地位恐暂时无人能够撼动。显然台积电的着眼点不仅在于工艺制程的缩小，同样也聚焦在CoWoS即所谓3DIC制造上，利用TSV等3DIC技术，将异质架构的多个芯片封装在一体。目前，Xilinx（赛灵思）是台积电公布的第一代3D技术的唯一客户。第一代3D技术也称作2.5D硅中介（interposer）技术，用于整合多个FPGA和其他芯片。三星：完成14nmFinFET测试芯片流片三星的14nmFinFET工艺设计套件已经提供给客户，相关产品设计也可开始提供，但三星并未披露会何时投入量产。三星是全球DRAM与NAND闪存都居第一位的存储器制造大厂，实力非凡。近年来由于移动市场的兴起，存储器的需求已不如从前。三星要争先的意识非常强烈，它迅速积极地转型到逻辑工艺，并在美国奥斯汀累计投资达60亿美元兴建12英寸晶圆厂。由于三星电子的产业链很完整，自身生产终端电子产品包括智能手机、平板电脑、电视、冰箱等，所以它的逻辑芯片除了部分自用之外，还可将富裕的产能做代工服务，并首先争取到苹果的A系列处理器订单。2013年第一季度三星在28nm~32nm制程的12英寸晶圆月产能平均为22.5万片，约占全球代工的50%，远高于台积电的11万片。排名第三的格罗方德为6.5万片。在2012全球代工厂商排名中三星以43.3亿美元的业绩挤下UMC（联电）成为第三，相比2011年增长一倍。不仅如此，它与格罗方德的销售额差距仅为两亿美元，所以三星非常有可能在2013年代工排名中成为老二。作为14nmFinFET工艺开发的一部分，三星联合ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等生态伙伴，已完成了多种测试芯片的流片工作，包括完整的ARMCortex-A7处理器、可在接近阈值电压下工作的SRAM芯片、模拟IP阵列等。14nmCortex-A7处理器的成功流片是三星14nm工艺的最关键性突破，也是Fabless的新希望。CortexA7、A15是天生一对，在ARMbig.LITTLE策略中分别负责低功耗、高性能，而此番在FinFET工艺上部署成功，也验证了ARM新平台的未来可行性。下一步就应该是尝试流片Cortex-A15了。三星表示，对比目前的32nm/28nmHKMG工艺，14nmFinFET工艺会进一步大大改善SoC芯片的漏电率和动态功耗。三星的14nmFinFET工艺设计套件已经提供给客户，相关产品设计也可开始提供，但三星并未披露会何时投入量产。格罗方德：14nm和10nm都将导入FinFET格罗方德的10nm与14nmXM都是所谓的混合制程，10nm就是运用14nm的设备与设计工具，制造线宽约为10nm的芯片。格罗方德的目标很高，技术长苏比（SubiKengeri）认为移动装置电子产品内的芯片对于晶圆先进制程的需求将会高度增长，依2011年到2016年的预测，40nm以下先进制程的晶圆年复合成长率达37%，到2016年时产值在全球晶圆代工的比重将高达60%。为了抢攻这一波移动商机，格罗方德在2012年已经开始准备14nmXM制程，计划于2014年量产，并宣布它的10nm制程将在2015年量产，两种制程都将导入FinFET的3D工艺。格罗方德的10nm与14nmXM都是所谓的混合制程，例如14nm就是采用20nm的设备与设计工具做出线宽14nm的芯片，10nm就是运用14nm的设备与设计工具，制造线宽约为10nm的芯片。相较于台积电暂先不做14nm制程，而是推出16nmFinFET，苏比认为公司之所以开发14nm制程，是因为英特尔不断进军移动市场，使得台积电公司的客户感受到巨大的压力。格罗方德预计20nm制程在2013年下半年推出，与台积电几乎同步，公司的12英寸厂包括德国德勒斯登的晶圆一厂（Fab1）与纽约八厂（Fab8），各有4万片与6万片的月产能，其中Fab8将导入28nm以下最先进制程。格罗方德技术长苏比近期赴中国台湾，宣称两年内将拿下全球晶圆代工技术的龙头地位，继14nmXM制程于2014年量产之后，在2015年将开始10nm制程量产，这样的进度相比台积电可能领先两年，也几乎与英特尔同步。联电：14nmFinFET工艺推出时间可能生变对于联电来说最大的问题是速度，其14nmFinFET工艺的推出时间可能生变。让业界产生惊奇的是，近期联电也宣布与IBM合作，开发14nm甚至10nm工艺制程，反映在代工领域中几乎没有人掉队。它的FinFET工艺的授权同样来自IBM公司，因此具体做法与格罗方德应该是相似的，都是在20nm后端工艺上采用14nm的FinFET晶体管结构。唯一让业界生疑的是它的FinFET工艺是采用体硅材料，还是UTSOI片。对于联电来说最大的问题是速度，格罗方德将在2014年启用14nmXM工艺（如果不出意外的话），而联电之前曾公布过一个计划即将在2014年下半年实现14nm的FinFET工艺。但是考虑到联电在2014年时才会上马28nmHKMG工艺，中间隔了一个20nm工艺，因此它的14nmFinFET工艺的推出时间可能生变。14nm工艺是个壁垒，也是一个“坎”，能够跨越的厂商已不会超过10家，其中有技术问题，可能更多的是经济问题。因为14nm工艺研发与制造的费用太大，而市场缺乏足够的需求来填补。但是在半导体业界中，目前各家代工商尽其所能互相争艳，市场竞争最终只剩下胜利者。14nm是个“坎”尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进。依目前的态势，业界已然有所争议，有人认为由28nm向22nm过渡时成本可能反而上升，这或是产业过渡过程中的正常现象。全球半导体业中还能继续跟踪14nm工艺节点者可能尚余不到10家，包括英特尔、三星，台积电、格罗方得、联电、东芝、海力士、美光等。显然在半导体业中领军尺寸缩小的企业是NAND闪存及CPU制造商及一批FPGA厂商。而如台积电等代工制造商，由于从市场需求出发，通常工艺制程会落后一代。由此也并非表示代工模式一定会落后于IDM，因为市场经济是需要权衡技术能力与成本的。近期也出现如FPGA的Altera跳过台积电而直接寻求与英特尔合作开发14nmFPGA，反映市场的错踪复杂。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如何继续往下走，似乎业界把希望押宝在FinFET3D工艺与EUV光刻上。从长远来看，集成电路产业的发展总是在性能、成本和功耗三者之间做平衡，由市场做出最后的选择。应在保持性能的前提下，尽可能地降低成本，同时在保持性能与成本的前提下应该尽可能地降低功耗。市场调研机构Gartner的分析师DeanFreeman日前表示，目前半导体业界所面临的情况与上世纪80年代的情形非常相似，当时业界为了摆脱面临的发展瓶颈，开始逐步采用CMOS技术来制造内存和逻辑芯片，从而开创了半导体业界的新纪元。而目前采用FinFET的3D工艺会否产生同样的光环，业界值得期待。14nm纳米是个壁垒或者“坎”。尽管英特尔至今并没有疑虑，仍坚挺采用193nm浸液式光刻加上两次图形曝光等辅助技术，将于2013年底时会推出14nm的测试芯片，并于2014年开始量产。然而在业界似乎已产生分歧，如台积电从20nm之后的下一个工艺节点设定为16nm。对于22nm/16nm级别的工艺制程，业界认为有多种晶体管结构可供选择，包括III-V族沟道技术、体硅技术、FinFET立体晶体管技术、FD-SOI全耗尽型平面晶体管技术以及多栅立体晶体管技术等。但是依目前的分析来看，自14nm（包括14nm）之后，采用FinFET3D结构工艺或将成为主流技术。在现阶段尚有两种技术在互相争艳：一种是如英特尔表示会在22nm制程中开始采用FinFET结构的三栅晶体管技术。另一种是如IBM、意法半导体等公司表示考虑在22nm制程节点时采用FD-SOI或者FD-UTSOI全耗尽技术。IBM公司曾经在前两年展示了一种基于超薄的FD-UTSOI工艺。此种工艺技术的优点是仍然基于传统的平面型晶体管结构，不过这种工艺的SOI的硅层厚度非常薄，在5nm~6nm之间，这样便于形成全耗尽（FD）结构，能够显著减小短沟道效应（SCE）的影响。尽管英特尔与IBM双方采用的工艺技术路线不尽相同，然而市场经济是公平的，双方都会各展所长，根据市场需求做出权衡。

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  • 美国光伏开发商SunEdison拟剥离半导体业务，并成立新公司

    【导读】8月23日，美国光伏开发商SunEdison宣布其董事会已经一致决定剥离其半导体业务，并成立一家新公司SunEdisonSemiconductorInc.。该项业务的少数股权将以首次公开募股方式发行。 摘要：  8月23日，美国光伏开发商SunEdison宣布其董事会已经一致决定剥离其半导体业务，并成立一家新公司SunEdisonSemiconductorInc.。该项业务的少数股权将以首次公开募股方式发行。 就在同一天，挪威光伏制造企业REC宣布向其债券持有人发行最新的债券，从而保证其半导体业务从其他业务中分离出来，而美国光伏开发商SunEdison公布其计划是剥离多晶硅业务。 该公司计划其最新成立的SunEdisonSemiconductor进行首次公开募股，从而偿还现有的债务。此次公开募股定于2013年年初。但是首次公开募股所可能募集的资金规模还未确定。 SunEdison首席执行官AhmadChatila表示，这一最新的结构将有助于每一家独立的公司追求其创造股东价值的策略，专注于关键市场和客户、优化资本结构并且增强今后几年每一家公司的资本增长渠道。 据路透社报道，该消息爆出后，SunEdison公司的股价大涨23个百分点，创下一年以来股价的最大涨幅。 本月，该公司公布了2013年第二季度的财报，亏损额超过1亿美元，但是该公司公布其拟建项目装机量超过2GW。 美国光伏开发商SunEdison宣布其董事会已经一致决定剥离其半导体业务，并成立一家新公司SunEdisonSemiconductorInc.。该项业务的少数股权将以首次公开募股方式发行。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 华阳通用选用QNX CAR应用平台为中国汽车制造商引入先进的信息娱乐解决方案

    【导读】2013年8月26日，上海—— 全球车载电子软件平台领导厂商QNX软件系统有限公司今日宣布，全球汽车市场车载导航及信息娱乐系统主要供应商——华阳通用电子有限公司已选用QNX CAR™ 应用平台为中国汽车制造商开发信息娱乐系统。 摘要：  2013年8月26日，上海—— 全球车载电子软件平台领导厂商QNX软件系统有限公司今日宣布，全球汽车市场车载导航及信息娱乐系统主要供应商——华阳通用电子有限公司已选用QNX CAR™ 应用平台为中国汽车制造商开发信息娱乐系统。 经过对多个汽车信息娱乐平台进行全面测试比较，包括开源解决方案，华阳通用电子有限公司选择了QNX CAR应用平台。此平台基于已在数千万汽车上量产验证的QNX®技术而开发。此平台的设计致力于提供最大灵活性，可支持丰富的应用环境和智能手机平台，同时作为预集成了多种中间件的综合平台，它还有助于汽车公司开发相关的多媒体信息娱乐系统。 华阳通用电子有限公司总工程师陈卓表示：“我们十分欣赏QNX汽车平台所提供的模块化、预集成方法，它使我们可快速为入门级至高端级的各种车型开发出高可靠性的差异化信息娱乐解决方案。QNX软件系统平台可加快我们产品的上市时间，同时也有助于我们为客户提供最新的信息娱乐功能。” 同时，华阳通用电子有限公司还可从QNX 汽车服务团队受益。此汽车服务团队拥有帮助众多汽车公司，将数百种产品投放市场的第一手经验。 QNX公司汽车业务发展总监 Andrew Poliak表示：“非常荣幸，我们的预集成标准平台能为华阳在中国汽车业的发展提供支持。此平台可快速实现相关信息娱乐系统的原型设计及开发。全球消费者对其汽车的新功能及更新的需求日新月异。QNX 汽车平台的设计旨在帮助汽车制造商在保证汽车可靠性的前提下，更快提供先进的信息娱乐解决方案。”   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 日商AIR WATER选用爱思强系统生产GaN-on-SiC-on-Si

    德国AIXTRON爱思强29日宣布，日本安昙野市的爱沃特株式会社（AIRWATER）告称已成功安装一套8x6英寸规格的全自动的爱思强AIXG5HT行星式反应器，用于氮化镓外延层的生长。AIRWATER之所以选用爱思强MOCVD系统，是基于该系统能够实现优越的材料均匀性，这是发挥AIRWATER在氮化镓外延基材方面的优势的一个关键要素。在系统安装完成后，该公司已宣布今年内推出在硅基材上生长的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC-on-Si），充分发挥该系统的卓越生产效率。为应对日后的市场需求，AIRWATER也正考虑将该系统升级为爱思强AIXG5+系统，升级后的系统能够处理5x200毫米（8英寸）规格的硅基材。与传统的硅基材相比，增加的碳化硅层具有能在氮化镓的初始成核过程保护硅基材的优点。碳化硅本身的晶体结构使得其被视为氮化镓生长的理想模板。因此，硅基碳化硅基材能够生长出大面积、晶体质量卓越的氮化镓层。在广泛的高功率及LED应用中，这一特性能带来效率的提高和实现成本节约。AIRWATER是一家日本领先的工业气体制造商，作为半导体气体业务的一部分，该公司已针对功率器件和LED应用开发出在硅基上生长的碳化硅。在此方面，该公司已在8英寸规格大的硅基材上成功生产出高品质3C-SiC(111)，同时也已宣布推出此类产品，以满足就制造LED及电力电子应用的电子器件所需的氮化镓外延生长。

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