北京时间6月4日,西部数据再次呼吁日本政府对它与东芝的存储芯片合资企业提供支持,因为它在与韩国竞争对手三星的竞争中面临生死关头。 在因东芝向贝恩资本领衔的财团出售存储芯片业务引发的令人不快的法律纠纷划上句号后,东芝和西部数据计划借助它们合资企业生产的新一代闪存芯片,遏制市场份额下滑的趋势。 西部数据日本分部负责人Atsuyoshi Koike在一次采访中说,“政府资金的注入,能更好地确保合资企业的稳定性。我希望日本政府将更积极地提供有力支持,保护该国的半导体产业,否则它很难与其他国家竞争。” 上周五,由贝恩资本领衔、成员包括苹果和韩国芯片厂商海力士在内的财团,完成了斥资180亿美元收购东芝存储的交易。东芝存储是仅次于三星的全球第二大NAND闪存芯片供应商。 根据西部数据与东芝去年12月达成的和解协议,两家公司的合资企业不会受到上述交易的影响。 当上述交易去年9月份提出来时,两家日本政府投资的金融机构——日本创新网络公司和日本发展银行——决定作为投资方参与该交易。 它们参与交易旨在满足日本政府的要求,即东芝存储必须由日本机构控股。东芝仍然持有东芝存储40.2%股份,但日本创新网络公司和日本发展银行没有披露它们的投资金额。 西部数据与东芝之间的纠纷——西部数据称合资协议赋予了它否决东芝出售存储芯片业务的权利,它对海力士参与收购东芝存储芯片业务存在担忧——去年12月得到了解决。 但财务危机和法律纠纷给双方造成重大损失,两家公司NAND闪存芯片市场份额由2016年的35%下滑至31.7%,而三星市场份额则由36.1%上升至38.7%。 Koike和业内分析师指出,东芝和西部数据能否按计划在今年年底量产被称作96层3D闪存芯片的先进类型NAND芯片,将决定新一代闪存芯片市场的赢家。 东芝和三星在生产新一代闪存芯片方面采取不同策略,在竞相证明哪一种策略更适合量产。Koike说,“今年年底双方将分出胜负。” 虽然贝恩资本领衔的财团引发了将技术转让给海力士的担忧,但分析师指出,东芝可能需要与国际上的竞争对手合作,共同对抗三星。市场研究公司IHS Markit分析师Akira Minamikawa说,“向海力士转让技术的可能性是存在的,但就目前来说,与海力士合作,共同对抗三星是一条生存之道。”
6月1日,东芝发布公告称其已经完成东芝存储器株式会社股权转让相关事宜。自2017年东芝发布公示表明会将旗下合并报表子公司东芝存储器株式会社的全部股权转让给以贝恩资本(Bain Capital Private Equity LP)为主的企业联合体以来,甚嚣尘上的东芝存储器转让事件终告尾声。据称,在转让东芝存储器公司股权的同时,东芝还向股权受让公司——贝恩资本专为此次收购成立的Pangea公司再次注资3,505亿日元,获得了Pangea公司约40.2%的决议权。伴随此次股权转让和再注资,东芝预计在2018年度合并报告净利润的基础上再计入股权转让的收益合计约9,700亿日元(税前),这将大大改善东芝的财务状况。 据悉,完成东芝存储器公司的出售后,东芝将在年内公布全新的公司发展战略“东芝 Next计划”。该计划是东芝集团针对东芝未来5年的全面革新与发展而制定的改革计划,其内容涵盖基本盈利能力强化措施、各业务的中期战略以及具体量化目标等各个方面,将全面展现东芝在未来5年内的布局。据此前报道来看,东芝2017财年净利润逾8000亿日元,实现了4年来首次扭亏为盈。这可谓东芝走出以往财务困境的新里程碑式的事件,东芝也由此迎来了近3年来的全新发展。联系近期这几次大事件,东芝集团可谓动作频频,力图突破旧有框架体系,打造全新科技东芝形象。 其实,这种端倪早已有迹可循。自去年起,东芝集团就已逐步启动全新的运营体制。全新启航的东芝集团以高新科技赋能行业发展,在社会基础设施、电力能源、人工智能、物联网、云计算、无人驾驶等多项领域为世界科技技术的革新提供强大的支持与动力。根据全球市场趋势和需求,东芝将集中经营资源,重点发展社会基础设施、能源、电子元器件、ICT数字解决方案四大重点事业领域。与此同时,由于中国市场存在着巨大的发展潜力,东芝集团也一直密切关注着中国市场的发展,从楼宇设施、社会基础设施等方面定制综合性解决方案,以满足需求日益增长的中国市场。 “科技东芝,创领未来”,东芝集团在重新调整战略布局后,以高科技产业为引路灯,以市场动态为行动导向,以机制革新为发展动力,现如今已迅速而坚定地迈出了前进的步伐。在未来,全新的科技东芝会持续发力,向着高精尖的产业继续迈进。
北京时间6月1日下午消息,日本东芝集团本周五表示,公司已经完成向美国私募股权公司贝恩资本(Bain Capital)为首的财团出售其芯片部门,出售价格为180亿美元。 此次交易本应于三月末完成,由于中国反垄断机构的审查时间延长,交易因此推迟至今。上个月,中国批准了这笔交易。 东芝存储器是全球第二大NAND芯片制造商。去年,经过漫长又激烈的竞争后,贝恩财团拿下了东芝的这个芯片部门。东芝集团在西屋核电部门投入数十亿美元超支成本,差点使公司陷入危机之后,只好采取出售芯片部门这一下策。 贝恩资本为首的财团还包括韩国芯片制造商SK Hynix、苹果、戴尔科技、希捷科技和金士顿科技。 东芝后来在一份声明中表示,根据和贝恩的交易,东芝又购回了芯片部门40%的股份。
此前从网站获悉,中国反垄断机构于5月31日派出了多个工作小组,分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证。今日根据经济观察网的消息,三星对该网站回应称,当日确实有现场调查,现正协助进行调查,目前三星中国正在接受问询当中。 根据此前的报道,此次调查内容可能涉及三家厂商在近年来DRAM市场的价格暴涨,以及业界反映的产品搭售问题。另外,三大巨头存在有碍公平市场竞争的行为,加上部分企业的举报,触发了本次调查。 去年12月,曾有手机厂商因为存储器价格上涨和供应不畅,向发改委对三星提出了检举。此外在今年4、5月份,也曾有美国消费者对三星等厂商进行了指控,称其操控内存行业零售价格。 今年5月,中国反垄断机构相继约谈三星、美光。当时DRAM价格已经持续七个季度连续上涨,发改委方面当时表示,已注意到行业价格的飙升,将会更多关注未来可能由行业“价格操纵”行为引发的问题,可能存在多家公司协同行动,推高芯片价格,谋求获利最大化的行为。
西部数据再次呼吁日本政府对它与东芝的存储芯片合资企业提供支持,因为它在与韩国竞争对手三星的竞争中面临生死关头。在因东芝向贝恩资本领衔的财团出售存储芯片业务引发的令人不快的法律纠纷划上句号后,东芝和西部数据计划借助它们合资企业生产的新一代闪存芯片,遏制市场份额下滑的趋势。 西部数据日本分部负责人Atsuyoshi Koike在一次采访中说,“政府资金的注入,能更好地确保合资企业的稳定性。我希望日本政府将更积极地提供有力支持,保护该国的半导体产业,否则它很难与其他国家竞争。” 上周五,由贝恩资本领衔、成员包括苹果和韩国芯片厂商海力士在内的财团,完成了斥资180亿美元收购东芝存储的交易。东芝存储是仅次于三星的全球第二大NAND闪存芯片供应商。 根据西部数据与东芝去年12月达成的和解协议,两家公司的合资企业不会受到上述交易的影响。 当上述交易去年9月份提出来时,两家日本政府投资的金融机构——日本创新网络公司和日本发展银行——决定作为投资方参与该交易。 它们参与交易旨在满足日本政府的要求,即东芝存储必须由日本机构控股。东芝仍然持有东芝存储40.2%股份,但日本创新网络公司和日本发展银行没有披露它们的投资金额。 西部数据与东芝之间的纠纷——西部数据称合资协议赋予了它否决东芝出售存储芯片业务的权利,它对海力士参与收购东芝存储芯片业务存在担忧——去年12月得到了解决。 但财务危机和法律纠纷给双方造成重大损失,两家公司NAND闪存芯片市场份额由2016年的35%下滑至31.7%,而三星市场份额则由36.1%上升至38.7%。 Koike和业内分析师指出,东芝和西部数据能否按计划在今年年底量产被称作96层3D闪存芯片的先进类型NAND芯片,将决定新一代闪存芯片市场的赢家。 东芝和三星在生产新一代闪存芯片方面采取不同策略,在竞相证明哪一种策略更适合量产。Koike说,“今年年底双方将分出胜负。” 虽然贝恩资本领衔的财团引发了将技术转让给海力士的担忧,但分析师指出,东芝可能需要与国际上的竞争对手合作,共同对抗三星。市场研究公司IHS Markit分析师Akira Minamikawa说,“向海力士转让技术的可能性是存在的,但就目前来说,与海力士合作,共同对抗三星是一条生存之道。”
受到MOSFET缺货、价格喊涨影响,上游8英寸晶圆产能拉警报,再度传出8英寸报价调涨,世界先进8英寸产能持续短缺,业界预估至明年初仍无法获得抒解。 近期MOSFET报价调涨,由于中国大陆家电产品对变频化趋势持续推进,对MOSFET等需求持续上升,另外,无线充电、物联网、车用等新应用,带动相关元件需求增加,导致全球8英寸晶圆代工厂的产能利用率维持在100%左右的水准。 加上全球晶圆代工厂扩产主要以12英寸先进制程为主,8英寸设备昂贵,不符合投资效益,全球晶圆代工厂并没有大幅度扩产的计划,在总体需求持续增加,导致供需状况将更加紧俏。 另外,外商IDM大厂电源管理及车用订单将大量开出,且此一荣景将一路延续至2019年,且业内预期未来IDM大厂释单趋势只会增加不会减少,主要因外商进行产品组合优化,持续将中端毛利订单释出给专业代工厂生产,企业集中资源专注于车用、工控等利基型产品研发,降低生产成本及费用,世界先进已通过多家IDM客户认证,可望持续受惠此趋势。
中美贸易战为我国半导体行业敲响警钟,半导体自主可控不仅仅是口号,更是涉及到国家安全、国计民生的要务,随着自主可控呼声越来越大,集成电路产业发展需求必将倒逼芯片国产化进程。 未来设备国产化是必然选择,随着国家半导体行业的发展,国产设备市场空间超百亿。 晶圆厂投资热潮带动半导体设备增长 随着下游半导体行业景气度的提升以及晶圆工业的不断升级,全球迎来半导体晶圆厂投资热潮,这也将会带动上游半导体设备行业高增长。 据SEMI报告,2017-2020年,全球将新建62座半导体晶圆厂,中国大陆将占26座,投资12英寸(30mm)晶圆厂将占大比例。以罗方格晶圆厂数据为例,晶圆厂80%的投资用于购买,这必将大幅带动半导体设备行业的发展。 据SEMI预测,2017年全球半导体制造设备销售额约559亿美元,同比增长35.6%,首次超过2000年的市场高点477亿美元。预计2018年全球半导体设备市场销售额达601亿美元,同比增长7.5%。 其中晶圆加工设备将增加37.5%,达到450亿美元。前端部分、封装设备部分、半导体测试设备预计分别达到26亿美元、38亿美元、45亿美元,同比增长预计分别为45.8%、25.8%、22%。 SEMI预测,2018年,韩国、中国大陆、中国台湾将保持前三,销售额分别达到169亿美元、113亿美元、接近113亿美元。虽然韩国保持首榜,但中国设备销售增长率最高达49.3%。 晶圆制造关键设备国产化有待突破 晶圆制造产业属于典型的资产和技术密集型产业,罗方格晶圆厂,总投资的80%用于购买设备,而购买设备中的80%是晶圆制造设备。光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备为晶圆制造核心设备,分别占晶圆制造环节的23%、30%、25%。 光刻机作为半导体芯片最核心设备,技术难度高、价格在2000万美金以上,高端领域被荷兰ASML垄断,市场份额高达80%,最新出的EUV光刻机可用于试产7nm制程,可达3-4亿美元。全球晶圆代工厂台积电、三星、因特尔展开20nm以下制程工艺竞赛的今天,而国产技术领先光刻机仅能用来加工90nm芯片。 薄膜沉积设备单价在200-300万美元,一个晶圆厂需要30台左右。AMAT在CVD设备和PVD设备领域都保持领先,而沈阳拓荆、北方华创等国内企业正在突破。 刻蚀机,单价在200万美元左右,一个晶圆厂需要40-50台。国产刻蚀机市场份额已从1%提升至6%。中微半导体16NNnm以实现商业化,7-10nm已达到世界领先水平。 国家政策和资金扶持持续加码 2014年,国家提出建立从晶片到终端产品的产业链规划,强调集成电路设备材料端要在2020年之前打入国际采购供应链,分别从政策和资金加大推动半导体国产化进程,国家集成电路大基金已经进入密集投资期,目前大陆集成电路产业投资基金总额高达6532亿元,规模有望直逼1万亿元。 大基金覆盖IC设计、晶圆制造、芯片封测等领域。东吴证券认为,未来大基金和国家产业政策在设备方面的投资力度和政策扶持会持续加码,设备国产化是IC国产化的重中之重! 截至2017年9月,大基金累计投资55个项目,涉及40家IC企业,承诺出资1003亿。其中制造、设计、封测、装备材料投资占比分别为65%、17%、10%、8%。虽然在装备和材料环节投资规模力度小,但仍然推进光刻、刻蚀、薄膜沉积等核心装备。 未来将加大围绕国家战略的智能汽车、物联网、人工智能、5G等新兴产业进行投资规划。东吴证券认为,未来国家资金会持续不断的想设备端倾斜,毕竟只有真正掌握最核心工艺,才能够实现真正意义上的国产化。 半导体设备垄断程度高 国产化困难重重 2016年全球半导体专用设备前十市占率达92%,销售规模达379亿美元,而中国半导体设备前十销售额近7.3亿美元,其主要原因是集成电路行业属于典型技术和资本密集型行业,技术差距大,我国设备自制率仅14%,且集中于后道的封测环节,未来随着我国政策和资金持续扶持加码,关键设备有望实现技术突破。 1996年5月12日于荷兰瓦圣纳签署《瓦圣纳协议》,协定包括加入管制敏感性高科技输往中国等国家,基于该协议的技术封锁导致半导体设备国产化困难重重,只能依靠进口国外落后的设备和自主研发。 中国大陆晶圆厂支出成大 设备占率不断提升 据SEMI2018年最新数据,全球晶圆厂2017年、2018年、2019年设备支出分别为569亿美元、600亿美元、651亿美元,同比增长分别为38%、9%、5%,2016-2019年CAGR为16%,是自1990年以来首次连续四年正增长。 而中国大陆半导体设备需求2017年、2017年、2019年预计分别达68.4亿美元、100亿美元、172亿美元,同比增长分别为5.88%、57%、60%。东吴证券预计,2019年中国大陆设备支出将成为全球支出最高的地区。 过去两年全球兴建17座12寸晶圆厂,十座设在中国大陆,东吴证券认为,从建设开工到投产产量整个周期需要3-5年,那么2018-2019年是中国大陆晶圆设备投资潮,全球半导体设备产业将出现前所未有的欣欣向荣局面。 2017年全球晶圆制造设备销售额达450亿美元,同比增长53.43%,远超其他设备,而中国晶圆制造设备资本支出在2018-2019年将达166.24亿美元,占中国半导体资本支出的60%,2015-2019年CAGR达20.55%,但中国设备在全球市场份额仅为4%,供给和市场份额极不匹配。 据CEPEA统计,2016年国产半导体设备在中国大陆市占率仅11%,IC设备占全部半导体设备销售49%,2018-2020年国产集成电路设备平均增长率有望超25%,2020年半导体设备销市占率有望达20%,IC设备有望达50亿元。 国产晶圆制造设备 未来三年有望超百亿 中国晶圆制造设备市场需求处于上升阶段,根据SEMI数据线性外推估计2015-2020年我国晶圆设备市场CAGR达32.43%、VLSI Research2017年公布数据中晶圆制造各环节设备比例假设与CEPEA预测2020年国产半导体设备市占率达20%假设这三个数据来推算,2018年、2019年、2020年国产晶圆生产设备市场空间有望达39.9亿元、70.82亿元、140亿元,增速分别为53.55%、77.5%、96.98%,2018-2020年累计市场空间达250亿元,CAGR为87%。 根据国产21挑12寸晶圆厂产线情况,综合考虑晶圆厂建设时间先、设备投资比例,东吴证券测算2018年、2019年、2020年我国国产晶圆制造设备市场空间达71亿元、137亿元、180亿元。以SEMI口径设备端测算2018-2020年的市场空间约250亿元,从兴建晶圆厂投资端测算2018-2020市场空间约387亿元。 虽然我国设备市场层现繁荣景象,半导体制造设备国产化进程不断加速,但国产化完全替代不是一撮而就,只有不断加强研发水平、提高技术能力,才能真真正正提高我国半导体制造设备的国际竞争力。
Microchip Technology Inc.(微芯半导体)于美国当地时间2018年5月29日宣布已完成其对Microsemi Corporation(美高森美半导体公司)的收购。Microsemi的股东以99.5%的赞成票以压倒性优势通过了本次收购。根据合并协议的条款,微芯以每普通股68.78美元现金支付给Microsemi的股东。由于收购完成,Microsemi于纳斯达克股票市场的普通股交易自今日起停牌。 Microchip Technology Inc.是全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商,为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品和卓越的质量。 Microsemi Corporation 为航空航天及国防、通信、数据中心及工业领域提供全面的半导体产品和系统解决方案。产品囊括高性能耐辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC及ASIC,电源管理产品,设置全球时间标准的时序/同步器件及精确时间解决方案,语音处理器件,射频解决方案,分立元件,企业存储和通信解决方案,安全技术和可扩展防篡改产品,以太网解决方案,以太网供电IC及中间跨接方案,以及其他定制设计能力及服务。Microsemi总部位于美国加利福尼亚州Aliso Viejo,全球约有4800名员工。 Microchip CEO Steve Sanghi先生表示:“完成了对Microsemi的收购,我们非常高兴。我由衷地欢迎Microsemi的员工加入Microchip大家庭,并且期待大家竭诚合作,作为一个整体共同追求同一战略目标,从而实现共赢。此次收购极大地丰富了我们的产品,对最终市场的多样化、运营能力和客户规模均有显著的积极影响。” 预计该交易将立即提高Microchip每股的非GAAP收益。基于现有信息,预计在收购完成后的第三年,产生的协同效应,将为Microchip节省3亿美元的成本。此次收购的支出主要来自:合并后公司资产负债表中的现金, Microchip现有的信贷额度,30亿美元的新定期贷款和20亿美元新发行的高等级担保债券。Microsemi先前未偿还的债务已于交易完成时一并结清。 据了解,这笔交易将大大扩展Microchip在多个终端市场的市占,包括通信、航空和国防等市场。这些市场领域占Microsemi销售额的60%左右。 Microchip表示,此次收购将使其服务的市场规模从180亿美元扩大至500亿美元以上。此次收购将进一步推动半导体领域前所未有大规模并购的进程。
据媒体报道,5月31日,中国反垄断机构派出多个工作小组,分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证,标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。 去年12月和今年5月中国反垄断机构相继约谈三星、美光,当时DRAM正经历破纪录的七季连涨,发改委方面当时表示,已注意到DRAM行业价格的飙升,将会更多关注未来可能由行业“价格操纵”行为引发的问题,可能存在多家公司协同行动,推高芯片价格,谋求获利最大化的行为。 报道称此次调查内容可能涉及三家厂商在近年来DRAM市场的价格飞涨以及业界反映的产品搭售问题,三大巨头有碍公平市场竞争的行为以及部分企业的举报推动了此次中国反垄断机构调查的启动。
日本东芝集团本周五表示,公司已经完成向美国私募股权公司贝恩资本(Bain Capital)为首的财团出售其芯片部门,出售价格为180亿美元。 此次交易本应于三月末完成,由于中国反垄断机构的审查时间延长,交易因此推迟至今。上个月,中国批准了这笔交易。 东芝存储器是全球第二大NAND芯片制造商。去年,经过漫长又激烈的竞争后,贝恩财团拿下了东芝的这个芯片部门。东芝集团在西屋核电部门投入数十亿美元超支成本,差点使公司陷入危机之后,只好采取出售芯片部门这一下策。 贝恩资本为首的财团还包括韩国芯片制造商SK Hynix、苹果、戴尔科技、希捷科技和金士顿科技。 东芝后来在一份声明中表示,根据和贝恩的交易,东芝又购回了芯片部门40%的股份。
苹果供应商 Dialogue 半导体近日提醒投资者其今年的营收将会低于预期。该消息呼应去年 11 月传出的苹果将开发自研电源管理芯片以摆脱的 Dialogue 半导体的依赖的消息。 Dialogue 半导体通过《金融时报》发布声明,称苹果已经决定今年将较往年削减「30%」的电源管理芯片订单。目前苹果业务占比该公司全年营收四分之三。Dialogue 半导体的 CEO Jalal Bagherli 预计明年的情形也会类似于今年。 虽然苹果正逐渐切换至其自研电源管理芯片,但 Dialogue 半导体表示其会继续为余下的订单满足苹果的技术、质量、价格和产量需求。 现在看来,苹果会逐步逐渐削减供应商的电源管理芯片比重,而不是一次性抛弃。不过苹果的做法通常是同一个配件搭配多个供应商以降低风险和增加议价能力。至于砍掉的那 30% 订单由谁来补以及是否就是苹果自研芯片现在还不是很清楚。
由于新品不给力,AMD这两年来在游戏显卡上一直处于守势,不过桌面显卡去年遇到了好运,挖矿显卡改变了这个市场,AMD、NVIDIA都不愁显卡销路,反而是供货跟不上,所以过去的Q1季度中显卡销售创造了一个高峰,来自JPR的统计数据显示Q1季度独显出货量同比暴涨了66.4%,销售额达到50亿美元,AMD的份额增长到了34.9%,相比去年同期增加了7.4个百分点。 市场调研公司JPR之前公布了全球GPU市场的报告,现在又公布了全球AIB独显市场报告。过去的这个季度中,独显出货量环比增长了6.4%,同比大涨了66.4%,而同期PC下滑了7.3%,这种逆势生长的原因大家也都猜得到,Q1季度是矿卡销售的一个高峰。 AMD在Q1季度的份额达到了34.9%,环比增长了1.2个百分点,同时增长了7.4个百分点。NVIDIA当季份额65.1%,环比下滑1.2个百分点,同比下滑7.4个百分点。反正这个市场就这么两家公司,此消彼长,AMD前进一点就意味着NVIDIA份额失守一点。 至于具体的出货量数据,JPR会在收费报告中给出,而从官方的乞丐版数据表格中,我们可以看到从去年Q3季度到现在,每季度中AIB独显出货量一直保持在大约1500万块的水平上,今年Q1季度销售额达到了50亿美元,换算一下平均每块显卡售价在330美元左右,价格可不低,毕竟挖矿显卡普遍比较高端,不是那种狂牛版。 JRP统计显卡数据有史以来最高的独显出货量是1998年,达到了1.15亿块,2016年独显市场出货4700万块,如果没有挖矿的刺激,2017年也不会比2016年好到哪里去,但是挖矿市场改变独显市场,根据JRP之前的统计,去年矿卡销量超过300万块,今年Q1季度就达到了170万块,不过Q2季度开始矿卡销量就会暴跌了。
德国慕尼黑理工大学(Technical University of Munich;TUM)物理学家组成的研究团队开发出分子纳米开关,能够透过施加电压在两种不同结构的状态之间切换。该团队表示,这项研究发现可望作为开创性组件的基础,从而以整合且能直接寻址的有机分子取代硅组件。 TUM物理学系的纳米科学家Joachim Reichert表示:“仅用一个单分子进行切换,就可能让未来的电子组件朝微型化的极限向前迈进一步。” 该研究团队最初开发的方法是使用外加电压,让他们能与强光场中的分子形成精确的电接触。在大约1V的电位差下,分子改变其结构:使其变得平坦、导电且散射光线。这种强烈依赖分子结构的光学行为,激发了研究人员的创意,因为在这种情况下可以观察到散射活动——拉曼散射(Raman scattering),同时透过外加电压的方式进行开启和关闭。 研究人员使用的是由瑞士巴塞尔(Basel)和德国卡尔斯鲁尔(Karlsruhe)的团队合成的分子。这种分子在充电时会以特定的方式改变其结构。它们排列在金属表面上,并采用具有极薄金属涂层为尖端的玻璃碎片角落进行接触。这使得电接触、光源和集光器整合于一。研究人员使用该碎片将雷射光直接照射在分子上,并测量随施加电压而变化的微小光谱信号。 可实现电切换的有机分子(来源:Yuxiang Gong/TUM/Journal of the American Chemical Society) 从技术角度来看,在各个分子之间建立可靠的电接触极具挑战性。科学家们如今已经成功地将这一过程与单分子光谱学结合起来,使其能以极高的精确度观察到分子中最小的结构变化。 分子开关的挑战 根据研究人员在《美国化学学会期刊》(Journal of the American Chemical Society)发表的文章,早期以分子开关数组建立运算的尝试,一部份受到限于“金属-分子-金属”接点直接化学特性化的挑战。尽管低温扫描探针研究提高了对于电流和电压诱导构形切换的机理了解,但“金属-分子-金属”构形大部份仍然是从间接证据推断而来的。 因此,开发强大的化学灵敏技巧有助于该领域的发展。在这项研究中,物理学家透过振动光谱探测了双能态分子开关的构形,同时透过外加电压进行操作。他们的研究着重于在室温下稳定单分子开关中测量单分子拉曼光谱,并显示其信号调变近乎两个数量级。 在国际合作团队的共同努力下,物理学家团队成功地将单分子作为光信号的开关组件;其微小的尺寸使纳米系统适用于需要透过电势切换光源的光电应用。
6月1日早间消息,ARM发布新的高性能CPU和GPU设计,分别是Cortex A76和Mali G76。 A76由Austin团队设计,和A57/A72一脉相承。作为比较,A73/A75是Sophia团队,A53/A55是Cambridge团队。 在发布会中,ARM一直强调新CPU的笔记本级性能,架构师Mike Filippo表示,Cortex A76相当于i5-7300,如果IP厂商缓存设计得更好,那么可以媲美i7。 当然,演示中3.3GHz的A76功耗超过了5W,这对于手机来说肯定是不可接受的,笔记本倒还好。 官标的数据方面,基于台积电7nm工艺的3GHz A76核心比10nm 2.8GHz的A75核心性能提升35%、省电40%、机器学习的负载能力提升4倍。 GeekBench 4跑分方面,整数和浮点相较于A73提升了90%和150%,最终得分提升35%。 A76同样支持DynamIQ拓扑特性,官方建议1+7/2+6这样的Big.little大小核设计。 关于详细的架构资料需要时间整理,一个目前看到值得一说的参数是从A73的三发射升级为四发射。 Mali-G76,Bifrost家族新品 Mali G76的性能密度提升了30%,节电30%,用于手机的图形性能会提高50%,现在可以支持最高8K分辨率的屏幕了。 Mali G7x都是每核心三个执行单元,G76将执行单元的线程数从G72的4条增加到8条,也就是每核心24条线程,不过Mali G76的总核心配置上限从32核降为20核。 但ARM称,Mali G76 MP14会比Mali G72 MP18要强,如果IP厂商配置得好,最高可以达到G72 2倍的性能。 新的纹理映射器相较G72,3D渲染吞吐量翻倍。 A76和G76预计将在2019年的智能手机上登场,当然,ARM希望能在笔记本形态上和Intel有实力过过招。
北京时间5月31日晚间消息,国外媒体报道,苹果公司(以下简称“苹果”)在俄勒冈州华盛顿县新设立一个硬件工程部门,并从英特尔等公司招聘了二十多名员工。 报道称,苹果的此次招聘似乎从去年11月就开始了。该团队可能致力于自主研发ARM架构芯片,从而取代Mac计算机所使用的英特尔处理器。 据招聘信息显示,应聘者需要具有“设计验证专业知识”,主要负责对成品与最初的设计规格进行对比,确保产品符合要求。 目前尚不清楚苹果将为该部门招聘多少员工,以及他们究竟将开发什么产品。据彭博社之前曾报道,苹果或在2020年发布首款基于自主设计的ARM芯片的Mac计算机。