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  • 意法半导体最新的飞行时间测距传感器，让移动设备具有多物体检测和多阵列扫描功能

    近日，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)发布了采用其市场领先的FlightSense技术的第三代激光测距传感器VL53L1。新产品基于新的硅专利技术和模块级架构，首次在模块上引入光学镜头。镜头的加入可提升传感器内核性能，同时开启许多新功能，包括多物体检测、远距离玻璃盖板串扰抗噪和可编程多区扫描。这些先进特性将机器人、用户检测、无人机、物联网、穿戴设备等传感器性能提高到新的水平。 新传感器模块在4.9 x 2.5 x 1.56mm封装内集成一个新的镜头系统和940nm VCSEL不可见光源、处理器内核和 SPAD光子检测器。新增的光学镜头系统可提升光子检测率，从而提升模块的测距性能。内部微控制器负责管理全部测距功能，运行创新的数字算法，最大限度降低主处理器开销和系统功耗，使移动设备的电池续航能力得到最大限度提升。 意法半导体影像产品部总经理Eric Aussedat表示：“ST飞行时间测距传感器出货量已达到数亿颗，被用于70余款智能手机和消费电子设备。性能更高的第三代FlightSense支持很多新应用，包括人存在检测，同时提高了现有应用的传感器性能。” 新产品VL53L1完成一次测量操作只需5ms，适用于高速测距应用设备。关于智能手机自动对焦，新传感器检测速度比一代产品提高一倍。此外，VL53L1将传感器最大测量距离也提高一倍，达到4.5米，与广泛使用的2100万像素镜头的超焦距非常匹配。 创新的高性能设计架构可侦测同一个场景内存在的多个目标，还让设备厂商能够把SPAD传感器阵列再细分成数个子区。这些小感测区客户应用提供双摄像头立体视觉计算以及简单深度图应用所需的空间测距信息。 与其它测距传感器技术相比，意法半导体的新专利算法和直接飞行时间架构能够耐受更远距离的串扰，让VL53L1完全兼容更多的玻璃盖板材料和设计样式。 为方便用户快速集成，基于I2C的VL53L1模块配备一整套软件驱动器和技术文档。 VL53L1产品即日上市。

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  • 中芯国际今年开始研发7nm工艺！

    国内把半导体技术作为重点来抓，首先要突破的是3D NAND闪存，这方面主要是长江存储科技在做，而在芯片制造工艺方面，国内比Intel、三星、TSMC落后的更多，这方面追赶还得看SMIC中芯国际。日前中芯国际CEO邱慈云表态今年晚些时候会投资研发7nm工艺，不过他并没有给出国产7nm工艺问世时间，考虑到14nm工艺目标定在2018-2020年左右，估计国产的7nm工艺至少也得在2020年之后了。   中芯国际是国内最先进的半导体代工厂，2016年营收29亿美元，同比增长30%，不过与全球晶圆代工一哥TSMC台积电差距还是相当大的，后者去年营收约为300亿美元，半导体工艺更是领先——TSMC早就量产16nm FinFET工艺了，今年还会量产10nm工艺，SIMC目前最先进的工艺还是28nm，主力工艺还是40nm、55nm等。 2015年比利时国王访华时，中比双方签署了一系列合作协议，其中一条就是中芯国际、华为、高通与比利时微电子中心IMEC合作研发14nm FinFET工艺，预计会在2020年之前达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的16/14纳米工艺实现规模量产的目标。 中芯国际从28nm直接进入14nm，跳过了20nm节点，未来也很有可能跳过10nm节点，直接进入7nm节点。该公司CEO邱慈云博士日前对外表态称今年晚些时候会投入R&D研发资金开发7nm工艺，他还提到近年来中芯国际加大了研发投入力度，R&D投资占据公司12-13%的营收，2016年资本支出也创纪录地达到了27亿美元。 邱博士并没有提到国内7nm工艺的具体情况，目前看来只是开始投入研发资金，这一点上要比Intel、三星GF、TSMC早几年就研发7nm工艺要晚得多，不过他们依然是全球第五家表态研发7nm工艺的半导体公司，随着制程工艺越来越先进，全球有能力研发新工艺的晶圆厂越来越少。

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  • 10纳米成品率低正是摩尔定律终结的“信号”

    近期半导体业界一则“10纳米成品率低，导致延迟芯片出货”的报道引起业界的格外重视。摩尔定律一路走来，起起伏伏，经历了多次的“难关”，连英特尔也承认摩尔定律已由每两年前进一个工艺台阶，延缓至三年。台积电、三星称已进入10纳米制程的量产，正在开展7纳米的试产准备。 宣传不一样? 台积电称全球半导体业在10纳米时如同22/20纳米时一样，会很快顺利通过，马上进入7纳米的量产，并大肆宣传5纳米、3纳米已开始研发，准备了几百名研发人员。 英特尔一般情况下不出声，情急之下会表示台积电、三星的16/14纳米，实际上等同于英特尔的20纳米水平。不过英特尔并不认同10纳米是过渡节点。 各方这样的宣传都是基于自己的利益需要，因为业界常说的14纳米制程，缺乏公认的定义。它在IC电路的设计中并非有相对应的尺寸，包括如栅长、金属互联层间距等，在DRAM产品中，尺寸缩小也已经不是按0.7x规则。 站在代工立场，它需要尽可能吸引fabless继续跟踪，下更多的订单，因此宣传下一代工艺制程节点能降低功耗，提高主频，或者缩小面积，节省费用，并表示工艺制程的进程尚未到达终点。 站在英特尔的立场，它是IDM，在先进工艺制程方面已经领先，因此通常情况下它没有必要多说“漂亮话”，只要自己清楚就可以。台积电、三星都称今年试生产7纳米，2018年进入量产，似乎领先于英特尔。而近期英特尔公布的动作仅是在2017年投资新建一座7纳米制程的实验工厂，该实验工厂将会测试7纳米芯片生产制程。 按照英特尔原来的“制程、架构、优化”等三步走规划，7纳米制程的处理器最快在2020年出样、2021年发货。事实上，根据业内推测，这些7纳米的处理器不太可能在6到7年内问世。所以双方估计的进程差距甚大，目前尚难预言谁能走在前面。 定律将止? 不成熟看法，在工艺制程方面英特尔暂时领先是没有异议的，因为它最早推出22纳米的finFET工艺，至今已是第二代，或者第三代。它每年的研发经费高达100亿美元，是台积电的近5倍。它生产的处理器及服务器芯片从技术难度方面可能高于手机处理器芯片。例如英特尔的高级Xeon服务器芯片每块价格高达9000美元，别人还无法供应，仅此一家。 但是台积电的上升动力大，赶超的信心足，资金也有，因此也不能说它完全没有可能超过英特尔，各方正在博弈之中。 目前10纳米成品率低可能正是摩尔定律走向终止的“信号”，它一定是有些工艺变异(Variants)无法克服。据不成熟的判断，目前成品率应该在60%左右，不能令人满意，否则联发科、苹果及高通等不可能下订单给台积电。因此未来跨过10纳米制程，7纳米制程的时间可能会推迟更长。 推动fabless跨进下一代工艺制程节点，除了芯片的功耗下降及功能提高之外，必须在成本上有吸引力，否则就到了技术上可行、经济上成本让客户无法接受的时刻，实际上“定律”已经终止。 所以“定律”终止这句话，从市场角度，或者从技术制程角度看，可能各有各的说法。实际上业界评论定律在什么时刻终止并没有什么意义，相信全球半导体产业的发展不会停步，它将继续为人类的美好生活提供各类芯片。

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  • 2017年：新一代半导体材料应用与需求分析

    半导体材料升级换代。作为集成电路发展基础，半导体材料逐步更新换代，第一代半导体材料以硅(Si)为主导，目前，95%的半导体器件和 99%以上的集成电路都是硅材料制作。20 世纪 90 年代以来，光纤通讯和互联网的高速发展，促进了以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于通讯、光通信、GPS 导航等领域。第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3 电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。   半导体材料及用途(数据来源：公开资料整理) 国内半导体材料市场高速增长。半导体材料市场会根据半导体行业的变化而变化。目前，2015 年全球半导体材料市场产值已达到 434 亿美元，约占据整体产业的 13%，其规模巨大。国内半导体材料市场近年来受产业链增长拉动，半导体材料销售额保持较高增速，2006-2015 年保持平均 14%的增长率。2015 年已经达到 61.2 亿美元的规模，且占有率有持续增长的趋势。预计随着全球半导体产业向大陆转移，日本、台湾等占有率将有所下降，而大陆半导体材料市场将会进一步扩大。   2010-2015年全球半导体材料市场销售额(数据来源：公开资料整理)   2015 年全球各地区半导体材料市场占比(数据来源：公开资料整理) 主攻新一代半导体材料及集成电路。我国第一代、第二代半导体材料及集成电路产业与国际水平差距较大，而在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势的阶段，并且有机会实现超越。 新一代半导体应用领域广泛 ，潜在市场空间大。第二\三代半导体材料正在引起清洁能源和新一代电子信息技术的革命，无论是通信、照明、消费电子设备、新能源汽车、智能电网、还是军工用品，都对这种高性能的半导体材料有着极大的需求。未来第三代半导体技术的应用将催生我国多个领域的潜在市场，届时将产生巨大的市场应用空间。   砷化镓微波功率半导体各应用领域占比(数据来源：公开资料整理) 通信应用 ：5G技术引领通信革命，推动砷化镓半导体市场 通信技术更新换代，传输速度呈数量级增长 。从上世纪 80 年代至今，每一代移动通信标准都有着其标志性的能力指标和核心关键技术。1G 只能提供模拟语音业务;2G的 GSM 网络可提供数字语音和低速数据业务;3G 以 CDMA 为技术特征，用户峰值速率达到 2Mbps 至数十 Mbps，可以支持多媒体数据业务;4G LTE 网络用户峰值速率可达 100Mbps 以上，能够支持各种移动宽带数据业务。 5G 技术将引领新革命。相比前四代通讯技术，5G 网络的变革将更加全面，在进一步提高通讯传输速度的同时，更加强调连续广域覆盖、热点高容量、低时延高可靠和低功耗大连接等场景下的技术需求，为进一步升级的移动互联网市场，和新兴的物联网、智能汽车、智能制造、虚拟现实等市场提供多元化的技术方案。目前国际主流的行业组织、运营商、设备厂商和芯片厂商都在积极投入 5G 标准的制定，预计到 2020 年前后，5G 网络将实现商用。   历代通讯技术发展(数据来源：公开资料整理) 5G 技术需要海量新型半导体产品支撑 。每一代通讯标准的升级都伴随着通讯芯片厂商的起起落落，如 3G 网络直接带来了高通的崛起，同时也伴随着摩托罗拉通讯芯片业务(后拆分为 Freescale)的衰落;4G 时代，高通、联发科、海思、展讯等茁壮成长。 未来，5G 网络的商用必然将催生移动通信芯片升级换代的海量市场，同时也将带来通讯芯片市场版图的巨大变化。5G 技术高速率和低延迟的要求，对化合物半导体提出了新的需求。比如功率、线性度、工作频率、效率、可靠性等都需要达到极高的标准。由于 5G 通信全频带通信的特性，5G 手机中射频前端芯片数量将进一步增加，带动以 GaAs 为代表的第二/三代化合物半导体产业链发展。具体到实践当中，可以从设备端和基站端两分析。基站端需求 。5G 实际应用中，带相控阵天线的手机将发射信号给基站和微蜂窝基站，基站和微蜂窝基站将与相控阵天线对接以实现信号连接。基站使用的射频功率管一般采用 LDMOS 工艺，但现在 LDMOS 工艺正在被氮化镓(GaN)工艺取代。GaN 是宽禁带材料，意味着 GaN 能够耐受更高的电压，有更高的功率密度和可工作温度更高，能够满足 5G 通信基站的要求。 同时，5G 采用高频频谱虽然能提供更高的数据传输速率，但这一频段的电磁波传输距离很短，且容易被障碍物阻挡。因而移动运营商可能需要建设数百万个小型基站，将其部署至每根电线杆、每栋大楼，每户房屋，甚至每个房间，这也就意味着基于 GaN的 PA 芯片需求将出现飞跃增长。根据市场调查机构 Yole 的估计，GaN 功率器件需求有望在今后 5 年内爆发，复合增长率可达 90%以上。 手机端需求 。4G 手机中数字电路部分包括应用处理器和调制解调器，射频前端则包括功率放大器(PA)、射频信号源和模拟开关。功率放大器通常采用砷化镓(GaAs)材料的异质结型晶体管(HBT)技术制造。未来的 5G 手机也要有应用处理器和调制解调器。不过与 4G 系统不同，5G 手机还需要相控阵天线，每根天线都有独立的 PA 和移相器，并与一个覆盖整个工作频率的信号收发器相连，相应的半导体器件需求将会更大。 2015 年全球智能手机销量达 14.3 亿部， 中国智能手机出货量达 5.39 亿部。根据估算，2016 年度全球智能手机出货量预计达到 15 部，手机砷化镓功率元件需求量超过 160 亿只，国内手机市场砷化镓元件需求量接近 60 亿只。未来随着 4G 手机渗透率的不断提升和 5G 技术的商用化，手机用砷化镓元件还将不断增长。   2013-2017E年全球镓砷化镓 PA市场规模(数据来源：公开资料整理)   2013-2017E年镓中国砷化镓PA 市场规模(数据来源：公开资料整理)

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  • 手机厂家纷纷涨价全是因为它

    3月1日，乐视宣布，对旗下乐Pro 3进行价格调整。在这之前，魅族、红米、努比亚已先后宣布了涨价措施……手机厂家纷纷执行涨价措施，往常都想用低价策略吸引用户的厂家们这次都是因为什么呢? 有没有朋友发现目前市场上的闪存类产品价格在悄悄增长，包括我们熟悉的U盘、内存、硬盘类产品，这些产品和近期纷纷宣布涨价的手机是否有什么关系呢? 关键在于它们都使用了一种核心器件：Flash Memory，也就是大家说的“闪存”，而这类器件由于目前生产减少，出现了供不应求的状况，导致其价格上涨，最终反应在各类终端产品上。 那么到底有多少人知道Flash是什么呢?身处在这个高科技时代，理应更多的了解这方面的内容，才不至于被科技淘汰。接下来就为大家简单介绍一下什么是“Flash Memory(闪存)”。 Flash Memory(闪存) 为了避免概念复杂，我们以电脑的内存条和硬盘为例来说明： 内存条：每次开关机需要重新将数据加载到内存中运行，通电状态下可运行，掉电后数据丢失，无法保存; 硬盘：数据写入后可长期保存，在没有上电的情况下数据也不易丢失，可长久保存数据。 表 1 闪存说明 闪存就相当于上面的硬盘功能，可在没有电流供应的条件下长久地保存数据，正是这个特点让它成为各类便携式智能数字设备的宠儿。而目前市面上主要的闪存器件分为2种：Nand Flash、Nor flash. Nand Flash、Nor flash Nor Falsh技术在1988年被Intel开发出，在当时意义重大，彻底改变了EPROM、EEPROM一统天下的局面;东芝在1989年发表了Nand Flash结构，强调更多的降低成本，并且实现更高的性能。目前，NAND和NOR是市场上两种主要的非易失性闪存技术，它们各有特点，在不同的领域中发挥着重要的作用。 Nand Flash和Nor Flash在应用上各有所长，如下表所示： 表 2 NAND与NOR对比 从实用的角度来看,和Flash和NAND闪存之间的主要区别在于接口。NOR Flash全随机访问内存映射和专用接口(如EPROM)地址和数据行。另一方面,NAND闪存没有地址专线。它是由通过8/16发送命令,地址和数据总线位宽(I / O接口)内部寄存器，这样就为许多主控提供了更灵活的配置方式。 NAND Flash更适合在各类需要大数据的设备中使用，如U盘、各种存储卡、MP3播放器等，而NOR Flash更适合用在高性能的工业产品中。

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  • 慕尼黑电子展的逆天神作：各类传感器黑科技亮瞎了！

    传感器作为物联网的基础设施，扮演着十分重要的角色，其采集数据的质量直接决定了物联网的智能化水平。3月14日开幕的慕尼黑上海电子展上，一家奥地利的公司艾迈斯半导体(AMS)带来了几项带有黑科技潜质的传感器技术，让人眼前一亮。 能够检测滴水流量的超声波流量传感器 智能水表早已不是什么新鲜事物了，但是智能只解决了水表读数信息的传输便捷问题，并没有解决水资源的节约问题。如果水管或者水龙头只是轻微泄漏，水流量很小，有可能水表读数根本就不会变化，这些水就白白浪费了。据介绍，每年因为运输过程中的泄漏、水表老化等原因所造成的水量浪费占到总流量的10—20%。 艾迈斯半导体推出的超声波流量传感器(UFC，Ultrasonic flow convertor)有望解决这个难题。在展会上，他们展示了跟一家水表公司合作共同研发的UFC水表。这款水表采用超声波探测的方式检测水管中的流量，能够检测的最小流量为0.5L/h，一般1毫升水有20滴，也就是说这款带有UFC传感器的水表能够检测的最小流速为2~3滴/秒。而且水表核心的流量检测部分工作电流只有9μA，耗电量极低，保证了水表的工作寿命长达十年以上。   如果配上水泄漏报警和定位信息，水厂就能实时监控水网中任何微小的水管泄漏，真正做到节约每一滴水。对于家庭用户来说，也能有效防止因为水龙头老化故障造成的水费损失。这对于我们这个水资源比较匮乏的国家来说，无疑具有很重要的现实意义。实际上，这项技术在“水比油贵”的中东地区十分受欢迎而且被大量运用。 能精准识别颜色的光学传感器 颜色构成了缤纷的世界，每个人肯定都有自己喜欢的颜色。但是要描述颜色却不是一件容易的事情，用户不可能将标准的比色卡随身携带。艾迈斯半导体带来的颜色辨识方案就有效解决了这个问题。 下图中圆柱状物体是光学镜头，将光学镜头放在色标卡上，与之相连的手机上会显示出颜色的名称。在实际工作中，光学镜头会向物体表面发射一束白光，经物体表面反射后被镜头中的三个光学传感器接受并分析。因为每一种颜色都是红、绿、蓝三原色的组合，经过分析之后，可以计算出物体表面颜色中三原色的组合比例，这个组合比例在国际标准的CIE色度系统中就相当于该颜色的坐标，与CIE标准色度系统比对就能知道是哪种颜色。   这种颜色辨识技术相对于光谱分析技术，具有速度快、成本低的优点，可以集成到手机里，方便使用。用户可以在生活中随时将自己喜欢的颜色记录下来，尤其对于家庭装饰、衣服、平面设计等这些对颜色比较敏感的领域，用户可以精准的定制出属于自己的颜色。因为有CIE标准色度系统作为参照，厂家在制作产品颜色时也能标准化操作，而不会是“偏蓝一点、再红一点”这样主观性、模糊化的描述。 他们的东西还有这个(见下图)，黑绳顶部发光的白点实际上是一个1mm×1mm的光学传感器，目前采集图像的分辨率为250×250p，下一代产品的分辨率将达到680×680p，可以用在狭小空间的图像采集。他们目前正在跟医院合作，将这个技术用在胃镜上，可以将胃镜探头变成一次性使用，防止细菌感染的卫生安全风险。   这是一个激光测距仪(见下图)，下图中左侧圆柱形物体即为激光扫描仪，激光的频率为100Hz，以60转/min的速度旋转，可以360°扫描，测距范围200m，精度5cm，扫描的信号经过计算处理后在右侧的屏幕上显示，可侦测方圆200m以内的移动物体，也可用于家庭机器人的环境地图建模和路径规划。   这是一个针对冷链物流运输监测的标签式温度传感器，检测精度0.5℃，它可以每隔一段时间(这个时间由用户自己设置)唤醒一次，测量环境温度并记录。达到目的地后，用户用读卡器读出所有温度记录，就可以查看运输过程中是否出现环境温度超出标准范围的异常情况，尤其是疫苗、生鲜等这些对温度敏感的物品。该产品可以贴在包装箱上，如果发现出现温度异常记录，用户就可以重点检测这一箱的物品，而不用检测所有的包装箱。   艾迈斯半导体新任大中华区副总裁陈若中表示，艾迈斯半导体一直专注于为业界提供高精度的传感器解决方案，尤其在光学传感器、环境传感器、图像传感器、音频传感器这四大领域都有深厚的技术积累。传感器技术是基础，它需要与大数据、软件算法、云平台结合才能发挥更好的作用，也欢迎各种应用型企业与之合作，开发出更多有价值的方案和产品。

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  • 贸泽电子全力加速中国智造崛起

    由半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 倾力打造的“2017 Mouser智造创新论坛”于3月14日在上海世纪皇冠假日酒店盛大举行，以智造创新为主题，旨在从元器件厂商的角度，向观众介绍在智能创造的领域中的精妙设计和更优选择。活动吸引了200余位行业精英报名，跨平台影响范围达近千人，重量级嘉宾为观众讲述半导体的风雨传奇路与最前沿的技术。   贸泽电子智造创新论坛活动现场 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平携手德州仪器无线产品业务拓展经理赵宗睿、英特尔感知计算部门应用工程师尹彦、安森美半导体高级现场应用工程师任宝栋以及恩智浦半导体微控制器大中华区市场经理张小平等嘉宾齐聚一堂，分别就TI无线解决方案、Intel实感技术、安森美创新物联网解决方案以及NXP安全处理器等方面发表了演讲，并详细解答了观众提问，为观众带来了一场思想上的饕餮盛宴。   贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士致开幕词 田吉平副总裁在开幕词中说到：“中国正在处于前所未有的科技变革之中，以科技创新为核心的智能创造，目前已渗透各行各业，逐渐改变着人们的生活习惯。根据国家方针，振兴实体经济是当前供给侧结构性改革的主要任务。而制造业升级、智能制造是大势所趋。中国市场是贸泽电子亚太市场战略的重中之重，智造创新论坛将成为一个与半导体厂商、创客们共同成长的平台。” 当前新一代信息技术正与制造业深度融合，以数字化、网络化、智能化为代表的智能制造技术正日益成为未来制造业发展的主要趋势，但是我们在科技领域还不能算是强国，仍存在大量的技术瓶颈，比如核心集成电路芯片、传感器、高性能分立器件等。   现场观众积极提问反响热烈 关于这一点田吉平副总裁说到：“这不是一朝一夕可以解决的，但可以学习借鉴国外先进的产品和技术，研发属于我们自己的产品。全民创新对中国未来的影响力是很深远的，庞大的人口基数使得想法创意层出不穷，对贸泽电子来说，除了前瞻性地把握全球应用和技术的趋势，同时也会更好地为设计工程师提供海量的半导体和元器件选择以及专业的技术支持。而贸泽电子希望通过自己的力量加速中国智能智造崛起，让工程师们感受到贸泽电子精神中的速度与热情。” 贸泽电子拥有丰富的产品线与卓越的客服，通过提供采用先进技术的最新产品来满足设计工程师与采购人员的创新需求。我们库存有全球最广泛的最新半导体及电子元件，为客户的最新设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况，而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

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  • “芯科技 智社会 创未来”——东芝再次发力慕展

    日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)存储&电子元器件解决方案公司旗下东芝电子有限公司宣布，将在3月14至16日的慕尼黑上海电子展E4馆4300展位上，以“芯科技 智社会 创未来”为主题，展示东芝针对“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”4大应用领域所研发的最新技术、产品和解决方案呈现给迅猛增长的中国ICT市场。 依托领先的芯片技术，构建智能的社会生活，从而开创充满想象力的未来——这主题不仅仅展示了东芝作为先进半导体技术和产品的全球领导者的社会责任和愿景，更是对东芝半导体现状的描述。依托该主题，东芝本次展会将展出以应用领域划分的“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”的最新技术和产品。具体包括： 一、“Automotive”：以“提供安全舒适驾驶”为主旨的东芝汽车电子解决方案 这一系列方案包括已经被广泛用于量产车型仪表盘的显示控制器CapriconTM系列、旨在致力于实现更安全舒适驾驶体验的ADAS[注1]方案中所用到的图像识别处理器ViscontiTM系列、基于符合中国5.8GHz标准的ETC全套RF解决方案以及众多针对未来无人驾驶、车联网和新能源汽车应用的车载器件和解决方案。 二、“IoT”：以“连接人与物”为己任的东芝物联网解决方案 这一系列方案代表了东芝技术对人、物相连的最新贡献以及其对未来IoT发展趋势的把握。相关解决方案包括基于东芝蓝牙组网技术的智能照明方案、ApP LiteTM智能穿戴(血压测量)解决方案、TransferJetTM结合15W中功率无线充电二合一解决方案，以及基于移动外围器件(MPD)的VR解决方案等。 三、“Industrial”：以注重“保护环境”为标准的东芝工业电子解决方案 以高效、低功耗和高可靠性著称面向工业应用的东芝产品正在让生活变得更绿色环保。东芝本次带来的工业类产品种类齐全、可靠性高、性能出众。其中工业类产品相关的解决方案尤为精彩，包括更高效的大功率压接器件IEGT的解决方案、低压MOS管应用于无人机/电动工具的解决方案、节能环保低功耗的步进电机高效驱动解决方案、风扇马达控制解决方案，以及高效逆变器解决方案。 四、“Memory & Storage”：以“支撑信息社会”为目标的东芝存储解决方案 信息社会依托于信息存储，东芝凭借着最全面的存储产品线以及最前沿的存储技术成为信息社会发展的可靠支撑。本次展会上，东芝将带来其最新3D BiCS FLASHTM技术、东芝企业级SSD和HDD系列产品，以及东芝存储产品在服务器/云存储、数据中心等领域的用户案例。 在此，再次欢迎各位莅临东芝展台，参展信息如下： 1. 时间：2017年3月14日(周二)～16日(周四) 2. 地点：中国・上海新国际博览中心(Shanghai New International Expo Centre) 3. 展位：E4馆4300

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  • 贸泽电子宣布再度携手华人第一车手董荷斌征战2017

    2017年3月13日-最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 宣布2017将再度将赞助董荷斌，这也是贸泽电子自2011年起连续第七年赞助这位华人第一车手个人参赛，继续向世界传达贸泽电子对速度的坚持，彰显中国速度。 2017赛季除了世界耐力锦标赛(WEC)之外，董荷斌还将参加亚洲宝珀GT系列赛和亚洲勒芒系列赛等赛事。过去一年董荷斌收获颇丰，华人第一车手在亚洲勒芒系列赛、中国超级跑车锦标赛等大赛中均表现不俗，收获多个分站赛冠军。除此之外，董荷斌还积极参与校园活动，在贸泽电子的促成下多次造访高校与同学们交流赛车技术和比赛经验，促使学生车队以更高标准要求自己，向世界彰显中国速度的同时为中国汽车的未来贡献了宝贵力量。 贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁田吉平女士说道：“对速度的追求根植于贸泽电子的血液之中，我们很荣幸在过去六年中见证他风驰电掣的高光时刻。我们想通过董荷斌的杰出表现传达这样的声音：贸泽电子在最新科技的推广与市场化，始终走在行业前端，极速响应设计工程师最新需求，在中国市场的深耕过程中，藉由董荷斌在国际顶级赛事的精湛表现，传达我们致力于帮助中国工程师理解贸泽电子的品牌精神，和对速度和先进科技的坚持。” 看似不相关的两个行业内在却有着千丝万缕的关系，论精密度，赛道上高速驰骋的赛车离不开赛车内部精密的元器件的有效协作，成败往往就在毫秒之间，作为世界顶尖的电子元器件分销商，贸泽电子在对元器件的精密程度要求上和赛车并无二致;论速度表现，董荷斌在比赛中克服各种不同赛道的技术挑战正如同Mouser承诺以最快的速度提供最先进、最优质的产品。 董荷斌对Mouser品牌中的“极速”精神十分认同，同时表达了对贸泽电子常年陪伴的感谢：“贸泽电子是我职业生涯最坚实的后盾，对速度的热爱让我们彼此认同，而对最新技术的专业研究让我感受到了贸泽电子的主张与坚持。人生没有多少个七年，贸泽电子已经成为了我职业赛车生涯的一部分，融入了我每一次加速、过弯和冲过终点的瞬间。” 贸泽电子拥有丰富的产品线与卓越的客服，通过提供采用先进技术的最新产品来满足设计工程师与采购人员的创新需求。我们库存有全球最广泛的最新半导体及电子元件，为客户的最新设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况， 而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

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  • 新能源车“接棒”驱动功率半导体市场新引擎

    赛迪顾问发布的数据显示，受电子信息制造业生产增速总体加快的影响，2016年我国功率器件市场规模持续扩大，达到1496.1亿元，同比增长7.2%，增速较2015年有所回升。然而，观察下游应用市场的拉动效力，2017年以手机和移动通信基站为代表的通信类整机产品产量将有所回调，相关功率器件产品市场规模增速将有所放缓，而工业控制类产品仍将保持稳定、消费电子穿戴设备等产品尚未形成爆发式增长，计算机产品快速下滑……在此情况下，汽车电子市场对于功率半导体拉力的重要性就不断凸显出来，成为2017年中国功率器件市场增长的关键因素。 中国功率半导体行业2017年初即取得良好开局：在收购恩智浦公司RF Power部门后，建广资产又以27.5亿美元收购了恩智浦公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率半导体MOSFET产品线。未来，中国功率半导体企业应当抓住国家大力推进新能源汽车的良好契机，加快推动行业的进一步发展。 新能源车驱动功率半导体成长 功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。 作为仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体运行于弱电控制与强电之间，在降低电路损耗、提高电源使用效率中发挥着重要作用。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。市场分析机构IMSResearch的报告指出，未来功率半导体的增长点将来自新兴领域，包括电动汽车及新一代通信、云计算等。 对于中国市场来说，虽然新能源车市场此前受到补贴下降、推荐目录重审等影响，增速有所放缓，但是业界普遍认为，随着第二批推荐目录的出台，将逐步改善市场局面。3月1日，工信部正式发布《新能源汽车推广应用推荐车型目录(2017年第2批)》，共有40家企业201款新能源车型上榜。其中，纯电动车型有157款、插电式混合动力车型有44款。新能源汽车投资合作热潮再度涌动。 根据赛迪顾问的报告，功率半导体占到新能源汽车新增半导体用量的76%、新能源整车半导体用量的50%。IGBT模块是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，成本占到新能源整车成本的10%，占到充电桩成本的20%。由于未来几年新能源汽车及充电桩市场将进入爆发期，IGBT等功率半导体作为其核心器件也将迎来黄金发展期。预计未来5年国内新能源汽车和充电桩市场将带动200亿元IGBT模块的需求。 国际半导体厂提前布局 由于消费类电子市场增长趋于平缓，汽车电子成为IC行业企业关注的下一个热点，各大国际半导体厂商都在积极布局。 由于智能手机等消费类电子市场增长趋于平缓，汽车电子开始成为IC行业企业关注的下一个热点，目前各大国际半导体厂商都在积极布局。比如，高通公司通过并购恩智浦半导体的方式进军汽车电子市场;安森美并购了Fairchild，以补足其在中、高压功率器件上的不足;瑞萨则通过收购Intersil巩固其在汽车电子市场的地位。 无论汽车电子是否会真正“接棒”消费类电子市场，在智能化、电子化的大趋势下，这将会给整个半导体市场带来新的活力和增长点。英飞凌科技(中国)有限公司大中华区总裁苏华指出：“要达成二氧化碳减排目标，汽车行业必须专注于更高效率的内燃机，动力总成电气化。”功率器件的智能化，可以让电子控制系统达到更高安全等级。例如在IGBT内部增加电流和温度传感器，当系统可能出故障时，能做初步的判断，可以首先尝试降低车辆输出扭矩和速度，而不是直接关闭。在电池电压偏高时，降低功率器件开关速度，保护开关电路安全;在电池电压正常时，做最高效开关动作。 东芝电子(中国)有限公司技术部副高级经理刘文鑫认为，汽车用功率半导体将有四个主要的发展趋势，那就是高可靠性、高集成度、大功率化和可生产性。 应以新能源车市场作为突破口 随着我国大力发展新能源汽车行业，下一步我国功率半导体企业应当重点在新能源汽车用功率半导体领域取得突破。 继2015年收购恩智普公司RF Power部门后，2017年初建广资产又以27.5亿美元收购了恩智普公司标准产品部门，该部门主要产品之一是功率器件MOSFET产品线。与此同时，以中车株洲电力机车研究所有限公司IGBT为代表的自主高端功率器件产品已成功进入电力传输、工业自动化和铁路运输特别是高速铁路等重点应用领域。中国在功率半导体领域也开始取得逐步进展。 根据《电力电子器件产业发展蓝皮书》，在中大功率(电压1200V～6500V)和中小功率(900V以下)领域，我国高频场控电力电子器件技术和产业取得了长足的进步，建立了从电子材料、芯片设计、研制、封装、测试和应用的全产业链。中小功率的MOSFET芯片已产业化，批量生产的单管已在消费类电子领域得到广泛应用;IGBT模块的封装技术也上了一个大台阶，采用国产芯片的4500V、6500V/600A～1200A的IGBT模块进入小批量的量产阶段。 随着我国将大力发展新能源汽车行业，下一步我国功率半导体企业应当重点在新能源汽车用功率半导体领域取得突破。上海华虹宏力半导体制造有限公司科长黄景丰表示：“希望IGBT也能乘上新能源汽车发展的东风，与广大同行共同努力发展。”IGBT未来主要的成长驱动力来自于HEV/EV。我国的新能源汽车发展也经历了几个阶段，从燃油车发展到油电混合车，气电混合车，再到纯电动车。不同能源的驱动方式也催生了功率半导体的广泛应用，作为电动车动力的核心，马达逆变器将驱动IGBT模块飞速发展。根据我国新能源汽车2020年规划，到2020年各型新能源汽车年产出要达到200万辆。 根据我国功率半导体的技术发展路线图的规划，未来我国应提升轨道交通、电力系统和新能源汽车用的高压大容量IGBT模块的产业化水平，开发超大容量平板全压接IGBT模块产品、进一步提升快恢复二极管FRD芯片和高压功率MOSFET芯片的技术水平。

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  • 意法半导体晶圆厂发生火灾 iPhone 8将受到影响

    近日，据外媒报道，上周意法半导体(STMicroelectronics)晶圆厂失火，后被迫关闭，需要好几周时间修复并重启生产。此次火灾，恐连累最新款 iPhone的生产进度。 据悉，由于这是意法半导体唯一的3D感测器生产设施，3D感测器生产周期长、良率又低，厂房多停止运作一天，意法半导体越难赶上生产时程。 目前，意法半导体相关供应链尚未做出反应，业内人士认为是苹果和意法半导体正在对火灾造成的后果进行评估。 外媒巴伦周刊表示，本次火灾发生于意法半导体法国Crolles 厂，不会影响 iPhone 8 内部 3D 感测模组的 CMOS 感测器生产，受到冲击的是三星和苹果相机模组的微处理器。 再者，微处理器的操作前置时间(lead time)短，只需3周，不至于延误 iPhone 8 生产时程。 不过，近期一直传由于意法半导体的3D摄像头传感器无法按时大规模供货，导致苹果iPhone 8上市被延期。 据悉，意法半导体为欧洲第三大半导体公司，是苹果公司的主要供应商之一。

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  • 半导体市场供不应求 锗金属价格7日涨幅6%

    近期小金属锗报价持续上涨,近7日涨幅接近6%。据了解,锗多用于光纤和半导体。业内人士表示,随着近期全球半导体市场出现供不应求的局面,势必会加大产能,对锗的需求量也将逐步放大。 锗是重要的半导体材料,在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用。根据2015年美国地质调查局数据显示,全球锗终端用户中纤维光纤占30%、红外光纤占20%、聚合催化剂占20%、电子和太阳能器件占15%。 然而,全球锗的资源比较贫乏,数据显示,全球已探明的锗保有储量仅为8600金属吨。锗资源在全球分布非常集中,主要分布在中国、美国和俄罗斯,其中锗资源分布最多的国家是美国,保有储量3870吨,占全球含量的45%,其次是中国,占全球41%。 由于前期我国对锗的开采盲目无序,导致我国锗资源没能分享到应有的利益。2010年起,我国拉开了稀有金属整合的大幕,锗作为稀散金属,属于国家重要的战略资源,政府也对此加大保护,加强了资源整合力度,严格控制锗的产量和出口。 据统计,中国锗年产量从2008年以来一直保持在100吨左右的水平。不过,在中国对稀有金属的整合之下,未来几年锗的产量将会逐步下降,预计控制在120吨左右。因此,未来全球市场中锗金属价格走高是大趋势。 随着半导体市场对锗金属的需求不断加大,市场上锗金属鉴于其资源稀有,未来价格势必水涨船高。A股市场中,云南锗业、罗平锌电、驰宏锌锗等个股有望受益。

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  • 推新型低温锡膏焊接工艺，英特尔助力“中国制造2025”

    高热量、高能量、高二氧化碳排放量——困扰电子产品制造十几年的“三高”难题，终于有望破局。3月14日，在全球最大的半导体产业盛会SEMICON China 2017上，英特尔(展位W5-5523)向产业伙伴介绍了其新型低温锡膏(Low Temperature Solder，简称LTS)焊接工艺，这是一种创新性的表面焊接技术，能够有效减少电子产品制造过程中的热量、能耗与碳排放，同时可进一步降低企业生产成本。这项关键突破性技术将为制造业发展注入新动能，在中国全力推动产业升级、全面实施“中国制造2025”的大背景下，这项工艺将为节能减排的环保目标和低碳经济做出贡献，是创新驱动发展的有力体现。 作为半导体行业的领军者，英特尔一直以来都是企业社会责任领域的表率。英特尔不仅在提供绿色环保的最终产品方面身体力行，在产品的研发、制造、回收等各个环节也引领业界，并推动整个产业链使用更环保、更绿色的材料、技术、工艺和生产制造流程。新型低温锡膏焊接工艺就是英特尔践行企业社会责任、推动绿色发展的又一成果。 新型低温锡膏焊接工艺的研发由英特尔启动，并携手战略合作伙伴联想集团以及锡膏厂商共同推进。开发与验证所需要的科学原理与测试方法都体现了真正的创新，通过不同的合金焊接材料配比(锡、铋)以及助焊剂的调整，结合回流焊温度与时间的组合，数千次的试验最终成就了这项业界领先的创新工艺。由于用铋替代银、铜作为锡膏的金属成分，不仅降低了生产成本，而且节约了宝贵的银、铜资源。 新型低温锡膏焊接工艺与采用表面贴装技术(SMT)的标准电子组装技术相同，但通过新型低温锡膏焊接工艺，原件焊接最高温度只有180摄氏度左右，比传统方法降低了大约70度。整个测试和验证过程使用低温焊料，利用现有回流焊设备，在降低生产成本的同时成功实施新工艺。 联想旗下生产研发基地联宝承担了该工艺的实际验证，发现其碳排放显著减少。联想计划2017年在8条SMT生产线实施新型低温锡膏焊接工艺，预计可减少35%碳排放。截至2018年底，联想将有33条SMT生产线(每条生产线配备两部焊接炉)采用新工艺，预计每年可减少5,956吨CO2排放，相当于670,170加仑汽油燃烧产生的二氧化碳排放量。新工艺在“烘烤”过程中减少了热应力，进一步提高了设备可靠性。在早期部署阶段，联想发现制造过程中印刷电路板翘曲率降低了50%，每百万零件的缺陷率也有所减少。   低温锡膏焊接的峰值温度由250°C降至180°C左右，并将印刷电路板翘曲率降低了50%以上。 新型低温锡膏焊接工艺可广泛应用于所有涉及印刷电路板的电子行业制造流程，更为产品集成化拓展了更大的设计自由度和想象空间。英特尔将与合作伙伴以及业界同行一道，推动这项技术的普及应用，助力集成电路产业创新，支持“中国制造2025”实施，促进绿色发展，共建生态文明。

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  • 大联大世平集团推出基于Toshiba产品线的 电机驱动参考解决方案

    2017年3月14日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---宣布，其旗下世平推出基于Toshiba产品线的电机驱动参考解决方案，其中包括三相无刷无感电机驱动方案、三相全波正弦PWM驱动方案、马达驱动控制方案、三相电机驱动方案。 电机是一种利用电和磁的相互作用实现能量转换和传递的电磁机械装置。小到家电，如风扇、洗衣机、冰箱以及空调等，大到办公设备、电动车、汽车、工业应用等等，可以说几乎任何需要提供动力的地方都需要电机。   图示1-电机应用示意图 大联大世平针对马达电机应用，凭借其多年对Toshiba产线的了解，推出以下参考方案： 一、基于Toshiba TB6588FG的三相无刷无感电机驱动方案; 二、基于Toshiba TC78B016FTG的三相全波正弦PWM驱动方案; 三、基于Toshiba TMPM374FWUG的马达驱动控制方案; 四、基于Toshiba TB6585带 Hall的三相电机驱动方案; 一、基于Toshiba TB6588FG的三相无刷无感电机驱动方案   图示2-大联大世平推出基于Toshiba TB6588FG的三相无刷无感电机驱动方案系统框架图 功能描述：模拟信号调速;正反转控制;旋转速度侦测;超前角控制;过流保护和热关断保护。 重要特性：三相全波无感驱动;工作电压范围：7V-42V;内置基准电压源 5V。   图示3-大联大世平推出基于Toshiba TB6588FG的三相无刷无感电机驱动方案照片 二、基于Toshiba TC78B016FTG的三相全波正弦PWM驱动方案   图示4-大联大世平推出基于TC78B016FTG的三相全波正弦PWM驱动方案框架图 功能描述：复归功能;PWM 频率可选;可设置最低转速;刹车功能;正/反转功能。 重要特性：三相全波正弦PWM驱动;自动超前角设置。   图示5-大联大世平推出基于TC78B016FTG的三相全波正弦PWM驱动方案照片 三、基于Toshiba TMPM374FWUG的马达驱动控制方案   图示6-大联大世平推出基于Toshiba TMPM374FWUG的马达驱动控制方案框架图 功能描述：开关控制 BLDC 的启动和停止;开关控制 BLDC 的正转和反转;改变滑动变阻器的阻值来控制马达的转速。 重要特性：运用矢量控制BLDC;直流无刷;兼容三电阻和单电阻采样。   图示7-大联大世平推出基于Toshiba TMPM374FWUG的马达驱动控制方案照片 四、基于Toshiba TB6585的带Hall三相电机驱动方案   图示8-大联大世平推出基于Toshiba TB6585的带Hall三相电机驱动方案框架图 功能描述：带Hall三相电机驱动;模拟电压调速;正反转控制;过流保护、热关断保护、欠压保护。 重要特性：工作电压范围：4.5V-42V;正弦波 PWM 驱动;超前角调制;内置基准电压源4.4V。   图示9-大联大世平推出基于Toshiba TB6585的带Hall三相电机驱动方案照片

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  • 国内厂商齐聚中国电子展，携手展现基础元器件产业风貌

    中国推出《中国制造2025》，德国推出“工业4.0”，美国推出“工业互联网”战略规划，这些举动无一不显示着电子信息技术正深刻影响着世界经济格局的演变。作为电子信息产业的重要基础、创新的支撑和长远发展的关键,电子元件行业对电子信息产业的发展起着至关重要的作用。从全球范围来看,世界各先进国家都将电子元件作为国家发展战略的重要组成部分,纷纷采取有力措施,大力推进电子元器件行业的快速发展。同时，物联网、5G、自动驾驶等技术的发展也极大地拉动了全球电子元器件的销量，作为电子产品的主要生产地，中国对电子元器件有着巨大的市场需求，本地化研发和生产也为国内企业带来广阔的发展机遇。 中国电子市场快速发展，阻容器件面临新机遇 根据市场调查机构 IC Insights 的数据显示，截至 2016 年 12 月底为止，全球晶圆产能(以 8 吋晶圆计算)达到每月 1,711.4 万片。其中，中国大陆地区的产能成长最多，占全球市占率接近 11%，排名全球第五位。因此，中国也正面临着加速发展国产芯片业的重要窗口期。一方面，国际上半导体产业已趋于成熟，国际资本介入半导体产业的脚步显著放缓，全球芯片市场近两年持续萎缩，唯有中国区域市场例外;另一方面，摩尔定律放缓，但制造工艺还在前行，且投资不断加大，这正好符合我国半导体产业投资并购的急切需求。从国内环境分析，除了沉淀出来的PC以及完整的供应链市场外，智能手机也在加速洗牌，机型也处于不断升级的过程之中。同时，智能家居、智能汽车、智能机器人、虚拟现实等已处在暴发的前夜，还有接踵而至的5G、物联网、人工智能、区块链等新业态，无不形成了对芯片的超大需求。 从最简单的收音机，到复杂的手机、无人机，电阻电容器件作为基础器件必不可少，同时随着大量电子产品生产、采购的本土化，给国内产品电阻电容厂商带来巨大发展机会。加之本土产品性价比高，技术服务快捷、周到也越来越受到设备厂商的欢迎。在本届的CEF电子展上，来自全国多家阻容厂商将一齐亮相，包括福建火炬电子科技股份有限公司、蚌埠市双环电子集团有限公司、四川永星电子有限公司、江苏坚力电子科技股份有限公司、陕西华星电子集团有限公司等，它们将向用户展示国内阻容器件的最新产品及最新发展趋势。 芯片国产化让继电器连接器产业看到新曙光 继电器是一种具有广泛应用的电控制器件，可通过输入量的变化来控制被控量的变化，常将其看作一种自动开关，一般由控制系统和被控制系统两大部分构成。继电器在其电路中常起着自动调节、安全保护、转换电路等多种作用。现已广泛应用于自动控制、通讯、遥测、电力电子等设备中。连接器亦称作接插件、插头和插座，它在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器是电子设备中不可缺少的部件，一般每个电流通路总会有一个或者多个连接器。连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器。 数据显示，我国一年制造11.8亿部手机、3.5亿台计算机、1.3亿台彩电，牢牢占据世界第一，继电器和连接器作为这些电子设备的重要器件，需求量继续上涨，未来将迎来巨大的发展机会。而现状是，我国作为全球最大的芯片需求市场，每年消耗全球54%的芯片，但国产芯片自给率则不足三成，市场份额不到10%。这也激起了国产当自强的热情，很多国产芯片企业在此发力，相应国产可替代的号召，在此领域创新创业。在本届的CEF电子展上，我们将看到大批国内继电器连接器厂家，包括福建火炬电子科技股份有限公司、蚌埠市双环电子集团有限公司、四川永星电子有限公司、江苏坚力电子科技股份有限公司、陕西华星电子集团有限公司等，他们将共同携手展示国产继电器连接器的全新产业链风貌。

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