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  • 电子元器件价格一路上涨,终端产品即将迎来涨价潮

    近日消息，业界分析机构称，内存价格第一季顺利调涨后，第2季价格可望续涨近一成幅度，然而除了内存价格看涨，包括模拟IC领域的金氧半场效晶体管(MOSFET)、CMOS影像传感器等关键零组件，第二季同样涨声响起，若再加上新款手机芯片、中央处理器、绘图芯片的价格又高于旧款，系统厂第二季获利恐被明显压缩，终端产品看来不涨不行了。 各类芯片涨价情况 第一季是传统淡季，但内存市场却是热度不减，DRAM及NAND Flash价格持续大涨，连已经长达8年以上没涨过价的NOR Flash也在3月顺利涨价近1成幅度。 第二季进入智能型手机零组件备货旺季，加上PC市场的内存搭载容量大举提高，在龙头大厂三星带头下，业界对于DRAM、NAND Flash、NOR Flash第2季价格续涨已有共识。 然而内存涨价效应持续发酵，其它芯片价格也蠢蠢欲动。 由于智能型手机及PC的运算能力日益强力，新机型开始支持VR/AR、快速充电及无线充电、高速数据传输接口等新功能，但又要节能省电，单一系统内建MOSFET数量明显增加。由于国际大厂明显淡出，国内业者又面临晶圆代工产能受限压力，在供给日益吃紧情况下，已有通路商开始释出涨价消息，第2季看来有机会调涨价格。 至于手机用CMOS影像传感器(CIS)同样也是涨声响起。 以智能型手机为例，今年双镜头手机已是市场趋势，后镜头增加成两颗后，需求已明显放大。此外，苹果iPhone 8搭载3D传感器可望带动新需求，手机可能为了支持结构光或飞时测距(ToF)技术，需要增加2～3颗CIS组件，但包括索尼及三星等大厂，近2年并无大举扩产动作。总体来看，CIS组件第2季恐将供不应求，价格自然有涨价机会。 至于逻辑IC部分，今年上半年有许多功能强大的新产品陆续上市，价格都比上代产品贵。如英特尔新一代Kaby Lake处理器、超威Ryzen处理器、高通及联发科10纳米手机芯片等，都因为加入许多新功能，售价比起上一代产品高出1～2成。 至于绘图芯片同样因为加强平行及异质运算功能，辉达Pascal绘图芯片价格较上代高，即将推出的Volta价格可能更贵，超威即将推出的Vega绘图芯片价格看来也会比目前主流的Polaris高。 系统厂第二季将着手打造新产品，面临内存、处理器、MOSFET、CIS等零组件价格涨不停，恐将明显压缩获利能力。 因此，在苹果iPhone 8售价恐将调高至1，000美元以上情况下，包括华为、OPPO等新机都已喊涨，PC厂也主攻高价电竞市场。 由此来看，终端产品今年也会迎来涨价潮。

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  • 涨涨涨！苹果将采用NOR Flash,Cypress发布涨价通知

    苹果新手机iPhone 8将导入采用编码型快闪存储器(NOR Flash)，已让NOR芯片缺货更为严重。存储器业者透露，今年NOR芯片供给缺口将扩大至20%，主要供应大厂赛普拉斯(Cypress)也正式发出涨价通知，业者估计今年涨幅可能扩大至逾60%。 存储器渠道商透露，去年下半年以来，市场焦点一直以DRAM和存储型快闪存储器(NAND Flash)缺货为重心，两大主流存储器也从去年下半年迄今，价格上涨近六成。 但今年在苹果iPhone 8将跟进三星导入主动矩阵式有机发光二极管(AMOLED)面板，华为、OPPO及VIVO等大陆品牌手机也将跟进，加上车用及物联网也都大举导入NOR芯片，让NOR缺货也浮出台面，且如滚雪球般扩大。 集邦咨询光电研究中心(WitsView)分析，NOR Flash应用在AMOLED面板上的功能，主要是记忆状态跟补偿AMOLED的电流、亮度，AMOLED面板中的蓝色光会随使用时间增加，逐步分解消退，要藉由NOR Flash来维持AMOLED的持续性。 Witsview预估，今年AMOLED面板在智能手机市占率将接近三成。其中苹果iPhone系列手机就需要7,500万片，加速今年NOR Flash产品价格上涨。 据了解，台湾电子代工大厂已接受旺宏首季调涨NOR Flash报价10%。 市场排名第二的赛普拉斯和第三的美光，日前也正式发出涨价通知，甚至要求首季的报价作废，凸显NOR Flash缺货问题愈来愈严重。 虽然赛普拉斯和美光未对第2季NOR芯片涨幅做任何说明，但强调相关价格得在下月27日前重新议定。 存储器渠道商透露，推估今年NOR芯片供给缺口在各大手机厂及车用电子等导入下，缺口将比预期还严重，恐达20%。 至于第2季NOR芯片价格，旺宏、华邦电将调涨逾20%;赛普拉斯因很多NOR芯片是自用作为嵌入式多芯片封装(eMCP)存储器，导入车用，外卖有限;美光则打算淡出，预料涨幅也是跟进台厂。

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  • 真正的“Grow Getter”？还是与业务增长失之交臂

     如果企业管理者不注重实现业务增长，那么企业就不可能获得增长。随着新兴市场的扩张，全球化成为常态，增长的机会越来越有限，即便是细分市场领域也可能呈现饱和状态。经济环境的不确定性以及专家和预测师们的观点分歧让许多市场变得前景不明朗，而日趋白热化的竞争和复杂化的经营则使得企业的境况雪上加霜。 如何让企业获得增长?这个问题并没有正确或错误的答案，因此我们的最新研究主要侧重于影响企业增长的各个变量。 利润的“圣杯” 利润通常被认为是衡量企业增长的基本标准，因此也成为企业目标中的“圣杯”。增长还有许多不同的衡量方式，例如发展轨迹、员工人数和产品范围等，这些因素对企业的整体发展都有着切实的影响。这些要素通常需要先行增长才能实现利润增长，因此企业必须制定相应的策略来为增长铺平道路。 所有企业都有自己的增长之路要走。截至目前，在全球范围内追踪企业增长以及相关衡量标准的研究还相当有限。我们的最新研究试图改变这个现状，意在向世人揭示全球企业的增长情况以及商业环境的演进方向。 获得增长已成为全球趋势 我们的研究从个体企业的发展道路中总结出了一些全球趋势。研究表明，全球超过三分之一(36%)的企业在过去一年里没有实现利润增长。我们不禁要问，这些企业在他们的增长之路上走到了哪一步?他们有没有“获得”增长?他们的目标是什么?利润对他们来说是唾手可得还是遥不可及? 没有实现利润的病根可能出在战略决策上。例如，企业的资金可能投向了别处，或者用于其他增长方式，因而暂时没有实现利润增长。 利润增长强劲的企业无一不是采取了一种“Grow Getter”(有计划为企业的高增长做好准备，乐于大力投资科技、经常寻找新机遇的人)的方法。当机会来临的时候他们总能牢牢把握， 例如来自印度和墨西哥等新兴经济体的企业。“Grow Getter”企业通常会利用有前瞻性的技术投资来提高生产率，从而有能力进军新市场并灵活适应变幻莫测的宏观经济环境。 采用这种“Grow Getter”方法的企业通常能够实现较高的利润增长率和投资回报率。过去一年，印度企业中实现利润增长的比例高达 80%，而其他地区的企业则仍然处于规划和准备阶段。他们也许在其他领域实现了增长，但是利润增长指标却远远落后。 我们的最新研究得出了有趣而宝贵的成果，这些信息对于现代企业界的未来发展具有重要意义。有鉴于此，我们将继续报道全球商业环境的变化。 你是“Grow Getter”吗? 你的企业在“Grow Getter”的版图上处于什么位置?你会看这篇文章就表明你具备成为“Grow Getter”的潜质，但是你为企业制定了怎样的增长策略?面对踌躇满志、急于实施最新技术和系统的全球企业，你是否做好了和他们竞争的准备? 如果觉得自己还没有准备好，不妨仔细研究一下如何利用最新企业技术来提高你的生产率。我们很乐意帮助你在“创造”增长的道路上加快脚步。

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  • 美高森美航天太空产品支持Iridium NEXT卫星项目

     致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司祝贺Iridium Communications Inc.、Thales Alenia Space、SpaceX及其项目分包商成功发射首批10颗Iridium NEXT卫星。Iridium NEXT是Iridium新一代卫星群，代替及增强其覆盖全球的现有近地轨道卫星网络。该项目采用了美高森美20多万个非常适合卫星通信应用的器件。 Iridium NEXT作为太空中最大的商业卫星群，采用包括RTSX32SU、RTAX1000S和RT3PE3000L 在内的2000多件抗辐射的美高森美可编程逻辑器件(FPGA)，及公司许多JANS和JANTXV二极管，比如流行的1N6638、1N5806 和1N6640无隙密封型二极管。这些美高森美器件部署用于Iridium NEXT卫星所搭载的各种卫星总线和有效载荷应用，而美高森美商业FPGA则用于SpaceX的运载火箭。 美高森美航空航天营销总监Ken O’Neill称：“我们热烈祝贺Iridium NEXT团队成功发射首批10颗卫星，该项目利用我们60年丰富的太空传承和广泛的太空产品，我们感到非常自豪。美高森美可靠性高的创新FPGA、电源分立、系统和电源模块在这些新一代商业通信卫星中起着十分重要的作用，对此，我们感到很荣幸。我们将继续实现对航空和国防市场的承诺，为客户提供可信赖的产品，帮助他们在最苛刻环境完成任务。” 美高森美的分立产品包括8000多种认证产品清单(QPL)/认证制造商清单(QML)器件，占美国国防后勤局(DLA)QPL/QML清单全部认证产品的60%。据Databeans, Inc.标题为“2016军事和航空电子半导体”的研究报告称，美高森美是国防和航空半导体市场的领先供应商，约占20%市场份额。 美高森美的航空级产品包括二极管、整流器、齐纳二极管、瞬态电压抑制器(TVS)和MOSFET。此外，其FPGA可提供几种不同的密度和性能水平选择，使客户能够灵活选择适合应用的最佳尺寸。这些范围广泛的器件反映了公司重视向市场提供差异化解决方案，其中商业卫星通信是其持续承诺的一部分。除分立产品、电源DC至DC、混合、FPGA组合外，公司的振荡器、电机控制和遥测器件也理想用于特定的卫星应用。 美高森美领先太空创新超过六十年 美高森美拥有业界最全面的太空产品产品组合之一，提供耐辐射FPGA、抗辐射混合信号IC、抗辐射DC-DC转换器、精密定时和频率解决方案、线性和POL混合电路、定制混合解决方案以及抗辐射分立器件，包括最广泛的JANS Class二极管和双极产品组合。美高森美致力于在客户项目的整个产品生命周期中支持产品。公司继续进行创新并扩展产品组合，最近增添新型LX7730耐辐射遥测控制器IC，提供用于传感器监控、姿态和有效载荷控制的重点功能，以及RTG4™高速信号处理耐辐射FPGA系列。RTG4的可重编程快闪技术在最严苛的辐射环境中提供了全面的辐射引发配置翻转免疫能力，与SRAM FPGA技术不同，无需配置清洗。

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  • 半导体行业想自主，还得靠中国自己！

     为什么说“核心技术受制于人是我们最大的隐患”?中国工程院院士倪光南在近召开的2017中国半导体市场年会上表示，我国网信领域已经用几十年的发展实践证明，真正的核心技术是买不来的，是市场换不到的。“中国发展到了现在这个阶段，连比较重要的技术人家都不会给你，更不要说核心技术了。”倪光南说，“因为这类技术关系到一个国家的核心竞争力，被所拥有的国家奉作‘定海神针’、‘国之重器’，不能随意开放、随意买卖，所以最关键最核心的技术必须靠自己研发、自己发展。”     真正的核心技术是买不来的 有观点认为，那些世界市场上通用的软硬件不可能存在后门。倪光南用维基解密网站日前发布的相关文件否定了这一观点。 该网站披露了据称是美国中央情报局(CIA)黑客项目的大量文件，其中详细列明了当局如何利用黑客科技侵入智能手机、智能电视、手机应用等等。文件显示了CIA如何利用硬件和软件系统的漏洞，包括美国公司的系统漏洞来进行入侵行动，却并未通知这些公司其系统存在问题。 倪光南表示，对于这类复杂的软硬件，设计者仅仅为了测试或维护，就要设置许多不公开说明的功能，如有需要，其中的一些就可以用作入侵的“后门”。总之，那些世界市场上通用的软硬件是存在后门的。 倪光南还援引“中兴被罚”事件强调我国应自主研发核心技术的必要性。近日，中兴通讯因“违反美国的出口禁令”而被美国司法部等课以8.9亿美元巨额罚款。而由于目前中兴在芯片等核心技术上还依赖于美国方面，眼下只能咽下这一苦果。 在倪光南看来，近年来中国在掌握包括CPU、操作系统等在内的网信核心技术方面有了很大进展，但总体说来核心技术仍受制于人，还未构成自己的技术体系和生态系统，尤其是存在着某些短板(如芯片制造等)，这在“中兴被罚” 事件中暴露无遗。 目前，由于中国与发达国家的差距已经不是很大，而且追赶很快，一些外国跨国公司就开始调整策略，从对中国实施封锁禁运转变为推行“技术合作”。但是众多事实表明，这种“技术合作”往往是徒有其名，实际上只是为了给外国产品穿上“中国国产”的马甲以打入中国市场，并以此诱使中国放弃继续追赶的努力。 倪光南强调，希望“中兴被罚”能够促使人们认清“真正的核心技术是买不来的，是市场换不到的”这一历史教训，在发展核心技术上坚持走自己研发、自己发展的道路，不要因受到诱惑而转向，导致功亏一篑。

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  • 联芯获联电28nm技术授权，内地芯片又将遭受创击

     晶圆代工厂联电获准授权28 纳米技术予中国子公司联芯集成电路制造(厦门)，联芯28 纳米预计第二季导入量产，将抢攻中国手机芯片市场。 联芯甫于去年底投产，目前以40 纳米制程技术为主，月产能约1.1 万片规模。 联电近日公告，获准技术授权28 纳米技术予中国子公司联芯，技术授权金额2 亿美元。联电表示，联芯将尽快导入28 纳米制程，预计第二季可进入量产，将抢攻中国手机芯片市场;联芯预计至今年底月产能将扩增至1.6 万片规模。 至于2 亿美元技术授权金，联电指出，将依进度认列，只因与联芯为母子公司关系，对损益无影响，仅有现金收入。 N-1规则，14nm量产后的推进 根据台湾规定，投资大陆的技术要比台湾的落后一代，也就是所谓的“N-1”规则，联电这次进入大陆，是因为其14nm正式投入量产。 23日也宣布，自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。 联电CEO颜博文表示，这次达成14nm量产的里程碑，象征联电成功携手客户，将先进技术导入市场，同时与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。 联电14纳米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28nm增快55%，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较28纳米减少约50%。 此14nm客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14nm产能。 联电宣布自主研发的14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术， 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。 颜博文强调，14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界标准，速度比28 nm增快55%，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较28nm减少约50%。 28nm进攻大陆，中芯国际受冲击? 联芯集成电路是联电和厦门政府合作的12寸晶圆厂，计划开始于2015年，而到2016年6月，该工厂已经交付投产，并在7月底投入试产，良率也高达98%。在产能布建上，2016第4季月产能约达3千片，从2017年开始，逐季扩充产能，2018年第二季平均月产能就可达到2.5万片规模。 业界人士认为，联芯55/40纳米制程可用来生产嵌入式芯片、CMOS影像感测器、通讯芯片等，高通将成为联芯主要客户之一。 目前，联电28纳米制程采用崭新的应力技术(SMT， t-CESL， c-CESL) 与嵌入式SiGe，以强化电子迁移率的表现，专为需要高效能与低功耗之应用产品所开发。目前已采用28HLP SiON 与28HPM/HPC HK/MG 制程量产多家客户产品。联电现正积极扩增28纳米产能，以满足客户对此广受欢迎制程的高度需求。 28HLP-采用强化的SiON技术 联电高效能低功耗(HLP) 制程为40纳米平顺的制程移转途径，具备了便于设计采用，加速上市时程，以及优异的效能/成本比。针对有高速要求的客户应用产品，此制程提供了大幅提升的效能与功耗，速度可较业界其他晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。 28HPM/HPC -采用高介电系数/金属闸极堆叠技术 联电28HPM/HPC 技术广泛支援各种元件选项，以提升弹性及符合效能需求，同时针对多样的产品系列，例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板电脑、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数/金属闸极堆叠及丰富的元件电压选项、记忆体位元组及降频/超频功能，有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。 在联芯进入28nm之后，因为联电的良率明显比中芯国际的稳定，而这个制程更是中端手机芯片和高端网络芯片的必备制程，他们进入大陆，势必会给中芯国际造成冲击。对于中芯来说，需要应对的问题又多了一个。

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  • 一张图带你了解骁龙835：最牛SoC不是吹的

     几乎每一代高通骁龙处理器都在半导体工艺上有所进步。从去年14纳米工艺的高通骁龙820到今天10纳米工艺的高通骁龙835，高通用实力演绎了什么叫每一步都有惊喜! 近日，继高通835芯片在世界移动大会上首次亮相之后，在北京迎来了其亚洲首秀 作为业界第一款商用10纳米FinFET制程的移动平台，骁龙835拥有更为强大的性能与能效、快如光纤的千兆级LTE、沉浸式体验等诸多先进特性。 搭载骁龙835平台的终端将于今年上半年面市，全球范围内第一批骁龙835手机应该是月底发布的Galaxy S8家族，而国内首发该SoC的厂商应该是小米，官方已经确认小米6会基于该平台研发。 下面，一起来看看太平洋电脑网制作的图片吧，了解一下骁龙835到底有哪些过人之处。

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  • 高通骁龙835芯片引领移动芯片市场，未来不是高通自己的戏。

     几乎占据安卓手机主导地位的美国高通公司，每一次发布旗舰处理器都成为业界关注的焦点。日前，高通旗舰级芯片骁龙835在中国亮相，10纳米的制造工艺让这家美国公司继续称霸移动芯片市场。 今年年初，高通骁龙835在CES展上首次亮相。与上几代骁龙820、821相比，835的10nm工艺相比14nm使得芯片速度快27%，效率提升40%，而芯片面积也变得更小。 目前，骁龙835已经开始进行生产，不过它要等到今年上半年才能正式出货。据悉，下周将发布的三星S8将锁定骁龙835的首发，还有外界猜测，4月将要发布的小米6也将搭载骁龙835。 在业界看来，芯片厂商之所以如此积极采用10纳米工艺，有着技术上的迫切需求。因为先进的工艺是降低产品功耗、缩小尺寸的重要手段。这可以让高端芯片更轻薄省电，将有助于提升手机厂商的产品均价与竞争力。 例如大屏、超薄、超高像素、大内存、大电池容量再到去年的双摄，这几年已逐渐成为用户和手机厂商最关注的功能，而这些功能之所以能实现离不开有着先进工艺制程的芯片。 据了解，今年估计会有5颗10nm芯片先后问世，除了高通的835、联发科Helio X30、海思的Kirin 970、还有苹果用于iPad的A10X以及三星的Exynos 8895。 相比之下，高通835优势在于更广泛的应用场景，以至于高通此番对外宣传时把835称作一个移动平台而非芯片。除了智能手机和平板电脑，该公司表示，该芯片也是专门为VR构建而成。 据高通介绍，骁龙835的设计在热限与功率效率可满足AR/VR的需求，同时支持了Google mobile VR平台Daydream，以及在声音与视觉品质的提升。这对手机厂商而言，一颗芯片便解决了手机和VR两套产品设计，提升效率同时也大幅减少成本。 除此之外，骁龙835还将用于低处理能力的物联网设备、云计算和机器学习。最近数年，高通越来越专注于在一个芯片中提供完整的系统解决方案，例如骁龙系列芯片中就直接集成有ISP、DSP和传感器技术。 不管什么场景，如何集成，可以确定的是，移动芯片在2017年真正进入了10纳米时代。 华为小米搅局芯片战争 在手机芯片领域，高通盘踞霸主之位已多年，背后离不开其持续的投入和创新，但随着智能手机市场竞争激烈和上游原材料紧缺的局面，芯片市场陆续涌入了不少玩家，对高通的影响自然是与日俱增。 老对手联发科从来没有放弃蚕食高通的市场份额。2016年，联发科就靠着Helio P10、X20、X25在千元机里表现相当不错，像魅蓝系列、MX6 、Pro 6、360N4等等。联发科也一直希望打入高通的高端市场。 据了解，联发科今年推出的Helio X30芯片也引入台积电的10nm工艺。相关产品预计在下半年规模上市，虽然比高通的835晚些，但联发科的成本优势依然是众多国产手机品牌看重的地方。 联发科称，Helio X30已经投入量产，相关设备将在今年第二季度面世，甚至联发科还与台积电商谈7nm的工艺，虽然有些激进，但也说明与高通的竞争程度在不断加剧。尤其是在OPPO、vivo两家去年的高速增长下(两家产品都有用联发科和高通的芯片)，联发科必然会与高通抢夺更多订单。 此外，从低端市场成长起来的紫光集团旗下的展讯通信，在去年(展讯+锐迪科)拿到了全球手机基带27%的市场份额，与联发科只有1个百分点的差距。 去年，展讯推出的14纳米八核Intel X86架构的64位LTE芯片平台SC9861G-IA，其瞄准的其实是高通和联发科都很重视的中端市场。这家背后英特尔投资并联合研发该芯片的公司对高通也形成了一定威胁。用展讯通信董事长兼CEO李力游的话来讲，去年已经做到6亿颗芯片的展讯，必须往高处走了。 另一方面，影响高通位置的恐怕还要有手机厂商，从目前不断涌入该市场的玩家也可窥见一斑。 目前，苹果、三星、华为以及刚入局的小米都推出自研芯片。在高通主要的安卓阵地上，三星和华为在芯片上的布局已让高通损失了不少订单。 从腾讯科技了解的情况来看，三星的Exynos和华为的海思麒麟在自家高端产品中使用频率和规模在不断加大。尤其是同样基于三星10nm工艺的Exynos 8895版S8的性能超出骁龙835版本。从跑分结果来看，Exynos 8895版其单核心成绩1978分，多核心6375分。相比之下，搭载高通骁龙835处理器的三星S8 Plus单核成绩为1929分，多核成绩为6048分。 要知道，三星在制造工艺、芯片技术等方面拥有先进和完整的流程，对于自家产品完全可以提供更好的技术支持。如行业流传的一句话：“同样用的是三星屏，可三星手机显示效果就是比其他手机品牌好，且供货优先三星自己。”芯片制程工艺又未尝不是。 自从有了海思麒麟，高通便再无缘华为的高端手机，这个打击高通现在或许已经习惯。海思麒麟处理器主要被用在华为的旗舰系列Mate系列和P系列中，虽然高通的芯片华为也在用，但基本在中端机上，联发科的芯片使用在了以畅享系列为代表的入门机上。 从华为终端的战略部署来看，海思麒麟用在高端产品目的是为了保证利润，而随着华为对利润的更高追求，其必然会加大对自主芯片的使用，这对高通的影响不言而喻，但前提是华为需要加强海思麒麟的量产能力。 今年3月，继苹果、三星、华为之后，小米也加入了自研芯片的行列，推出澎湃S1芯片。从28nm工艺和整体特性来看，这是一款针对入门级智能手机的芯片，对于高通、联发科而言，中低端芯片市场又多了一个竞争对手。 但从长远来看，小米的芯片部署应该会像学习三星、华为，因为随着芯片的不断迭代，小米必然会将澎湃使用在自身的高端产品上，用以提升利润。 央视曾经透漏，中国每年进口的芯片所花费的价值都已经超过了原油，中国在芯片核心技术的突破已经迫在眉睫。然而核心技术的突破并不是一蹴而就的，在芯片行业有个著名的理论叫做“十亿起步，十年结果”，意思就是做芯片初期就需要10个亿的投入才能开工，而要做到有稳定的成就，需要长达十年的不懈努力和投入。 现在有三星、华为、小米，未来也必然会有更多手机厂商加入。来自Strategy Analytics数据显示，高通2014年市占率为52%，2015年骤降至42%;2016年全年数据尚未出炉，但上半年高通份额续降至 39%。 与此对应的高通业绩也是一路下滑。从2015年开始，高通公司营业收入出现罕见的负增长-5%。其中芯片销售收入下滑较大，达到-8%。2016财年的第一、二、三季度数据显示，高通的营业收入分别下滑-19%，-19%和-12%，其中芯片销售收入分别下滑-22%、-23%和-16%。 现在，智能手机霸主基本上三年一换，高通又岂能稳如磐石呢?

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  • 美国空军选用PTC服务备件管理解决方案优化其供应链

     近日，PTC宣布美国空军已选用PTC服务备件管理(SPM)SaaS解决方案来实现综合性供应链规划，并增强全球各地空军维护中心(AFSC)的武器系统支持。PTC SPM SaaS是Servigistics®服务生命周期管理解决方案系列的一部分。 美国空军以管理着全球最复杂的供应链之一而备受尊崇，目前拥有5,000多架飞机、650,000多个项目，在整个全球支持着1,500个地点的武器系统。PTC服务备件管理以SaaS模式提供，能让美国空军更为高效地管理供应链，并改善库存绩效。 有了PTC服务备件管理SaaS解决方案，美国空军就能更精确地进行需求预测、减少规划工作量、实施具有保障能力的综合供应规划、获得几近实时的供应链度量指标、改善物流成本估算，并优化各个地点的飞机可用性。凭借PTC云解决方案，美国空军能够在安全可靠、符合国防部要求的环境下开展协作和共享信息。可扩展服务备件管理SaaS解决方案是结合航空航天和国防工业多年来积累的经验打造而成，在以下方面提供了敏捷的综合性规划流程，能帮助美国空军为作战人员提供更好的支持： · 需求规划，用于生成独立(计划外)和非独立(计划内)预测，包括预测算法的行家选择，以及飞行时数等起因的应用。 · 库存优化，旨在实现指定武器系统的可用性，同时尽可能减少库存投资、遵守财政约束，并结合基于战备完好性的备件配置(RBS)原则、飞机正常运行时间、供应比率优化以及其他业务规则。 · 供应规划，旨在制定供应和分配计划，从而将维修、采购、(再)分配订单与当前或未来需求相挂钩。分配规划可协调各项资产，以支持武器系统可用性，并主动管理维护/运行地点的材料缺口。 · 异常管理，具备强大的错误报告和事件管理能力，用于向用户通报相关信息，并提出自主建议，以针对需求规划、库存优化和对分散的规划人员工作队列内的异常情况进行协调。 · 性能管理，具备分析、数据分层、指标、报告和仪表板功能，用于支持根本原因和假设分析。 PTC总裁兼首席执行官Jim Heppelmann表示：“美国空军拥有全球最大、最复杂的供应链之一。我们很荣幸能以PTC技术支持美国空军实现物流基础设施的现代化。” PTC服务备件管理还被美国海军、美国海岸警卫队、洛克希德马丁和波音等领先的航空航天及国防机构所采用。借助PTC服务备件管理，美国海岸警卫队的飞机可用性提升了6%，不能执行任务的补给减少了4%，准时交付率提高了40%，服务水平达到91%，同时还降低了运行成本。美国海军还利用PTC服务备件管理连年实现大幅节约。

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  • 骁龙835芯片亮相北京发布会

     近日，高通公司在北京举行骁龙835芯片亚洲首秀发布会，这是835芯片继2月份在世界移动大会首次亮相后，在亚洲的首次亮相。 骁龙835首次采用了10纳米制造技术，不断提升的芯片制造工艺，可以降低手机功耗，同时更小的尺寸、更小的封装，还可以给智能设备的设计师更好的设计灵活度，设计更轻薄的手机。 10纳米不到头发丝直径的千分之一，对于最新的835芯片，在不到硬币大小的芯片内，集成了超过30亿个晶体管。高通上一代芯片产品820、821采用了14纳米制造工艺，810芯片采用了20纳米工艺，2014年2月发布的801芯片采用了28纳米制造技术。 骁龙835芯片中，DSP运算模块在整个平台中所占比重增加，显示下一代旗舰智能手机将可能在设备端获得更好支持深度学习和人工智能的能力。“大家知道，DSP适用于多维数据矩阵预算，适用于神经网络计算、深度学习。”高通产品市场高级总监张云介绍说。 就在一天前，ARM公司发布的下一代技术中，也将芯片端对人工智能、深度学习的支持作为一大特点。目前谈论人工智能，人们更多谈论的是云端的智能，而芯片商从设备端对人工智能的发力，将有望在越来越强大的云体系之中，避免智能终端功能角色的弱化。 此外，骁龙835芯片宣布支持千兆LTE网络，也显示了芯片商对LTE(4G)网络进一步优化的态度。业界预计，2019年5G将规模商用，届时5G网络将实现10Gb/s以上的峰值下载速率，是目前的数十倍以上，目前LTE的持续演进，预计在2018年实现千兆下载速率，而能否体现千兆LTE网络的价值，需要芯片商、终端设备商的跟进。 此外值得注意的是，骁龙835芯片对沉浸式体验的优化，以及宣布支持移动PC，显示高通正在尝试在智能手机市场之外拓展更多智能终端市场。目前，AR/VR市场被业界看好，但待进一步成熟，而PC市场目前是英特尔的优势市场。

    半导体 骁龙835

  • 线圈一体型“micro DC/DC”转换器　扩充升压型产品阵容 最适于以单节电池驱动的设备、无线设备、音响设备！ 输入电流0.8A升压“micro DC/DC” XCL102/XCL103系列

     特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本东京、 6616:东京证券交易所 东证第二部)研发了线圈与控制IC一体化的升压型“micro DC/DC”转换器XCL102/XCL103系列。 此次研发的XCL102/XCL103系列是一种将线圈与控制IC一体化的超小型(外形尺寸∶2.5mm x 2.0mm x h1.0mm)升压微型DC/DC转换器，只需在外部零件中增加陶瓷电容就能组成电源电路，因此将为节省基板面积的空间和缩短研发工期做出贡献。此外，因内置线圈，所以基板设计变得容易，可将辐射噪声和电路的工作故障控制在最小限度。 输入电压范围为0.65V(工作保持电压)～6.0V，输出电压范围为2.2V～5.5V(精度±2.0%)，可以0.1V步进进行设置。开关(工作)频率为3.0MHz，控制方式可从PWM控制(XCL102)或PWM/PFM转换(自动切换工作模式)控制(XCL103)中选择。 XCL102/XCL103系列与以往产品的升压微型DC/DC转换器XCL101(输出电流为150mA，VIN=3.6V、VOUT=5.0V时)相比，在相同条件下输出电流为500mA，可支持更大电流的应用程序。 此外，以往产品仅支持PFM控制，采用PWM控制型(XCL102)与PFM/PWM转换(自动切换工作模式)控制型(XCL103)作为控制方法，可支持广泛的应用程序。 特瑞仕的微型DC/DC转换器的重大特性之一就是，通过降低辐射噪声，也最适于易受噪声影响的无线设备等应用程序。工作开始电压为0.9V，工作保持电压为0.65V，您也可用于以单节电池驱动的应用程序。 作为其他功能，还内置了软启动、负载切断、CL自动放电、旁路开关功能。保护电路内置了过流限制、积分闭锁、输出短路保护。 此次研发的产品通过加入产品阵容，可进一步根据用途进行选择。 特瑞仕今后也将根据市场需求努力扩大“微型DC/DC”的XCL系列。 【XCL102/XCL103系列的特点】 ・因是超小型线圈一体型微型DC/DC转换器，所以可节省基板设计的空间 ・因输入电流为0.8A，输出电流为500mA，也可支持大电流应用程序 ・最适于以碱性或镍氢 电池驱动的设备、无线设备、音响设备 ・可实现降低无需辐射噪声 ▲XCL102/XCL103系列 CL-2025-02 (2.5 ×2.0, h=1.0mm) ▲XCL102/XCL103系列 Efficiency vs. Output Current  

    半导体 micro DC/DC 升压型 线圈一体型 xcl102/xcl103系列

  • 安富利任命傅锦祥(Frederick Fu)为安富利亚太区总裁

     近日， 全球领先技术分销商安富利今天宣布擢升傅锦祥先生为安富利亚太区总裁，任命即刻生效。傅先生将直接向安富利首席执行官William J. Amelio汇报，在新任上，全面负责本地区的战略方向与业务成长。 傅先生有30余年亚洲地区电子行业从业经验，担任过工程、市场和商业管理的多个职位。他于2006年10月加入安富利，时任安富利中国区总裁，负责公司中国地区的电子元件业务增长。最近，他担任安富利亚洲和日本代理总裁。 加入安富利前，傅先生在电子行业多个领域工作过，包括半导体IDM、硬盘驱动和EMS业务等。 他曾任Surface Mount Technology 公司首席市场官，负责全球市场营销和公司全球网络构建。在此之前，他任职STMicroelectronics 台湾总裁，并在STMicroelectronics 台湾和STMicroelectronics 新加坡工作了14年。Frederick拥有香港大学工业工程硕士学位。 安富利首席执行官William J. Amelio表示：“Frederick是一位出色的领导，在推动公司成长和实现经营卓越方面成绩骄人。他是帮助我们实现战略推进，为设计工程师提供从设想和产品构思到批量生产阶段无缝支持所需的正确领导人。他所具备的商业头脑和对安富利业务的深入理解，他的领导能力和远见卓识，都将有助于在整个亚洲地区激励我们的电子元件和分销业务提升地位和扩大全球影响力。” 傅先生表示：“这些市场为我们培育成长机会，在业内推广领先解决方案蕴藏了巨大潜力。我们的全套创新解决方案及丰富的技术经验、卓越的设计和供应链服务，不仅让我们公司拥有别人难以企及的内部设计能力，也为客户提供有及时上市优势的解决方案。” 他补充说：“能担任这一职务，在客户与供应商的支持下，推动我们的业务发展，加深在本地区的影响力，这让我深感荣幸。”

    半导体 安富利亚 傅锦祥

  • 英特尔第一块大容量Optane固态硬盘将售，最高 1.5TB

        关于被英特尔吹得叮当响的 Optane 黑科技就不用多说了，英特尔称其是 60 年代到现在的最新革命性内存和储存类别技术，此类非易失性设备不仅将内存和存储结合在一起，而且比 DRAM 更便宜、比 NAND 更快，至少比传统 NAND固态硬盘快 10 倍的速度。在 Optane 储存的背后是与美光合作开发的 3D Xpoint 非易失性存储器介质，融合了英特尔先进的系统内存控制器、接口硬件和软件 IP，有助于充分释放未来众多产品的巨大性能潜力。 去年 12 月份的时候，英特尔的第一款 Optane 存储正式出现在成品 PC 上，也就是为 2017 年准备的 ThinkPad T 系列，不过遗憾的是最高只有 16GB 或 32GB 可选。今年 2 月初，英特尔宣布第一代 Optane 储存正式出货，并且希望 Optane 储存接下来体积更小，密度更高，同时更加便宜，耐用性更高，推动全面普及。 更大容量的 Optane 储存要等到何时呢?日前英特尔官方进行回应，声称不用等多久，因为第一代大容量的 Optane SSD 固态硬盘 DC P4800X 系列周日开始出货，最大容量可以达到 1.5TB。当然了，率先出货的只是售价 1520 美元的 375GB 款， 750GB 款要等到第二季度，而最高 1.5TB 的款式还要等到下半年。 这一次，英特尔终于分享更多关于实物 Optane 储存的信息，今天我们就来看看到底英特尔还公布了哪些值得一看的内容。 DC P4800X 性能远超 DC P3700 首批大容量的 Optane 硬盘均相容 NVMe PCIe 规范和 U.2 插槽，说明可以在大多数工作站和服务区上使用，包括 AMD 最新公布的基于 32 核处理器 Naples 服务器平台。按照英特尔的计划，采用 Optane 技术的 DRAM 内存可能要等到明年才会登场，但在此之前，还是没有关于 Optane 消费级固态硬盘的消息，毕竟 DC P4800X 系列主要针对企业和服务器领域。       除了英特尔之外，没有其他厂商打造 Optane 储存了吗?其实英特尔的合作方镁光也有，只不过不叫做 Optane，而是取名为 QuantX ，去年秋季就曾通过 PPT 展示过相关产品了，有 200GB、400GB、800GB 和 1.6TB 容量版的固态硬盘，同样率先在今年晚些时候部署到企业级市场。 Optane 第一代 DC P4800X 系列固态硬盘的性能数据还只是第一次公布，主要是与三年前的 SSD DC P3700 系列相比，当时这一代 PCIe 固态硬盘是数据中心随机读取和写入最快的产品。但是，DC P4800X 系列更快，远超现实中能达到的性能水平，简而言之你的平台环境越好性能就越出色。 英特尔描述称，Optane 储存的随机写入速度是传统固态硬盘的 10 倍以上，读取速度则快 3 倍左右，这是在最优环境如高端 PC 和服务器下的极端速度，就标准的 4K 数据块测试来说，差不多是读取快了 70%，写入快了 30%，DC P4800X 相比 DC P3700 性能提升了 5 到 8 倍左右。 具体来说， DC P4800X 系列读取最高为 2400MB/s，写入 2000MB/s，4K 随机读取为550,000IOPS，写入 500,000IOPS，相当无敌。另外，DC P4800X 每天写入次数指标为 30DWPD，写入数据量为 12.3 PBW，相比 P3700 的 17DWPW 和 7.3PBW 也要高出将近一倍。     Optane 将改善数据中心效率和成本 除了公布具体测试成绩之外，英特尔表示 Optane 一定会是未来的储存技术，但传统基于 NAND 的闪存不会灭亡，而且 Optane 必然不会一夜之间完成翻天覆地 。还在不断研发和完善的 Optane 储存价格相当昂贵，那些加入 MRAM 或 RRAM 技术的硬盘同样会有春天。 有意思的是，英特尔花了如此之长的时间来研发 Optane 固态硬盘，耐用性及高度可靠性的问题暂时未完美解决，因为 DC P4800X 系列固态硬盘还是提供五年质保，究竟实际耐用性如何还有待测试。英特尔只是表示，Optane 固态硬盘将加快数据中心服务器之间的数据移动，储存性能一直是服务器的瓶颈， Optane 将大幅减少等待时间，提高服务器效率，尤其是处理大型数据集的效果明显。 一般消费者可能不会有如此明显的感受，最大的受益者应该是云服务提供商， MySQL 和 Memcached 应用的效率提升明显，例如像百度搜索和新浪微博的服务器，在使用 Optane 固态硬盘之后，将能够更快实现社交或搜索请求的即时响应速度。     英特尔预计，采用 DC P4800X 系列固态硬盘的服务器，在 MySQL 下的速度相比 DC P3700 快 10 倍以上，更快的速度必然能够让处理事务成本降低 91% 左右。当然了，要想 Optane 硬盘发挥完整性能，就要改动数据中心的基础架构，这一成本代价相当沉重，不过从长远来看，Optane 未来对加速数据库、云和深度学习等方面的应用是有益的。 此外，Optane 固态硬盘对支持企业预置型部署和云部署模式的内存计算平台 SAP HANA 也能促使发挥更出色的性能，因为 Optane 固态硬盘自带的 Memory Drive 功能能够模拟内存计算，直接运用到内存计算当中。 Optane 固态硬盘开始渗透到企业中 英特尔最后表示，越来越多的企业开始考虑 Optane 储存，其中 Facebook 已经评估一年多了，暂时还没有评估结果，而 IBM 也已经将 Optane 储存部署到 Bluemix 云服务当中，只得到实测结果。另外，惠普将会提供基于 Optane 固态硬盘的 3PAR 阵列储存系统，届时阵列储存系统的延迟将从 400 微妙或 1 毫秒缩减到 200 微妙。 此外，Optane 也兼容 Vmware VSAN 虚拟化存储环境。阿里巴巴承诺在其数据库和深度学习的基础设施使用 Optane 储存。目前英特尔还与微软合作将 Optane 带到 Windows Server 存储环境当中。至于其他公司，包括联想、Nutanix 和戴尔都已经证实，很快将推基于 Optane 储存的硬件产品。  

    半导体 英特尔 optane固态硬盘

  • 汇聚创新视界，引领行业未来——CCBN年度创新奖颁奖典礼隆重举行

    以“视界融合，智享未来”为主题的CCBN2017行业盛会在初春的三月如期拉开帷幕。3月22日，作为CCBN展览会重要组成部分的“CCBN年度创新奖”颁奖典礼在北京国际会议中心CCBN2017主题报告会现场隆重举行。中国工程院院士邬贺铨、湖南广播电视台副台长聂玫、广东省广播电视网络股份有限公司总经理杨力分别获得“CCBN杰出贡献奖”;北京市新闻出版广电局、安徽省新闻出版广电局、广东省新闻出版广电局三家机构荣获“CCBN2017用户组织贡献奖”; “CCBN2017产品创新奖”分别授予了有线网络运营商、设备制造商、技术服务供应商等共二十家企业(获奖名单见下表)。 国家新闻出版广电总局党组成员、副局长田进、国家新闻出版广电总局科学技术委员会副主任杜百川、国家新闻出版广电总局广播科学研究院副院长周毅、国家新闻出版广电总局广播科学研究院副院长杜国柱、重庆市文化委员会副主任江卫宁、天津广播电视网络有线公司党委书记、董事长杨红杰分别为获奖单位和个人颁发了奖杯和证书。 党的十八大以来，习近平总书记高度重视科技创新，强调要把创新摆在国家发展全局的核心位置，围绕实施创新驱动发展战略、加快推进以科技创新为核心的全面创新。2017年是十三五发展规划实施承上启下的关键之年，中国广电科技创新事业产业的发展也即将进入新的跨界融合发展阶段! 科技创新是推动社会发展的原动力，也是推动广播电视发展的一个新动力，更是广播电视产业向着更为广阔空间发展的生命力，通过评选我们相信，科技创新能改变人们的生活方式，新媒体的不断涌现也真正体现了创新魅力所在，未来中国广播技术的发展将迈向新的台阶，与全球广播事业共同前进。 CCBN2017产品创新奖 获奖企业名单

    半导体 ccbn 科技创新

  • 台湾IC设计产业恐陷10年失落

    台湾IC设计产业产值在2016年被大陆一口气超前，面对全球半导体新兴技术将全面朝向5G、物联网(IoT)、工业4.0、虚拟实境/扩增实境(VR/AR)及人工智能(AI)等全新世代技术及应用发展，酝酿庞大市场商机，然目前台系IC设计业者除了联发科之外，几乎绝大多数业者的投资布局都相当缓步，半导体业者忧心地指出，若台湾IC设计产值成长动能一直未见起色，台湾IC设计产业未来可能陷入失落的10年。 半导体业者表示，由于技术发展跟不上脚步，难以抓紧市场商机，台湾IC设计产值开始走向负成长趋势恐难避免，除非联发科持续购并国外芯片大厂，否则未来营运包括成长率、毛利率、市占率、营益率及投资报酬率等纷将全面走跌，更遑论其他IC设计业者，营运走滑情况可能更明显。 过去美国硅谷及台湾竹科考量投资IC设计公司，最简单的方法就是看这家公司是否有能力在台积电投片，因为台积电的晶圆代工价格较高，若IC设计公司能负担得起，应是芯片本身效能与成本具备超越其他同业的竞争力。 此外，台积电业务单位向来对于客户相当严选，能够在台积电投片的IC设计公司，必须后续在芯片市场表现及营运成长前景，获得台积电一定程度的肯定，因此，过去投资国内、外IC设计公司的重要依据，就是能否有能力在台积电投片生产。 半导体业者表示，以这样的条件来看，目前恐怕有超过80%的台系IC设计公司，已难具备投资的吸引力，现阶段除了联发科及少数一直跟着台积电制程技术的台系类比IC供应商，仍坚守在台积电投片，其他的台系IC设计业者投片订单多已流窜到联电、大陆、甚至韩系晶圆代工厂。 由于以终端成熟产品市场为主力的台系IC设计公司，已无力承担台积电晶圆代工成本结构，被迫四处寻求更便宜的晶圆代工来源，以应付客户每年、每季要求芯片降价压力，这种现象自从进入12吋晶圆世代就非常明显，甚至在进入28纳米制程技术之后，只剩下联发科在台积电投片。 半导体业者表示，国际芯片大厂及大陆IC设计业者持续抢进台积电10/16纳米最先进制程技术，甚至摩拳擦掌投入7纳米世代，相较之下，台湾IC设计产业在先进制程落后情况恐愈益严重，让不少半导体业者感到忧心，未来在新世代制程技术的竞赛上，台湾IC设计业者势必将居于下风，恐影响产业整体竞争力。 值得注意的是，全球5G、物联网、工业4.0、车联网、VR/AR及人工智能等全新应用风潮急速窜起，可能引爆相当可观的市场商机，现阶段台系IC设计公司在资金、人力及市场投资持续慢半拍的情况，虽然可以降低芯片投资的风险，但这亦已预告未来几年台湾IC设计产业恐难有大突破，产值成长空间非常有限，届时将面临与大陆差距持续拉大的窘境。 近年来业绩成长较佳的台系IC设计公司除了联发科之外，多是偏重供应端客户进行变革的PC相关芯片及类比IC解决方案，由于台系IC设计公司多仍在成熟产品市场打转，与新世代技术及应用发展渐行渐远，业者纷采取保守的偏安策略，恐影响未来10年台湾IC设计产业发展。

    半导体 集成电路 ic设计 半导体

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