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  • 解读德国分布式光伏储能补贴政策

    德国复兴银行（KFW）联合德国联邦环境、自然保护和核反应堆安全部（BMU）支持分布式光伏储能的新政于2013年5月1日生效，标志着德国的分布式光伏政策从仅补贴发电单元扩大到了补贴保障光伏发电的储能单元。该政策只针对小于30kW的光伏设施，规定给予新安装光伏发电同步建设的储能设施最高不超过600欧元的补贴，既有光伏发电加装储能设施给予每千瓦最高不超过660欧元的补贴。自2000年开始，德国的上网电价政策促进了本国市场发展，同时也带动了全球光伏产业的发展。截至2012年底，德国光伏发电累计装机容量达32.3GW，其中仅2012年一年就新增装机7.6GW，德国连续多年保持了全球光伏发电第一大国的地位。光伏上网电价导致了德国国内电价上涨，德国政府每年支付了巨额的补贴费用。德国一官员称，2030年德国将为其能源变革支付高达10000亿欧元。高额补贴为什么没有让补贴机制停滞，德国新出台补贴小型光伏发电安装的电池储能设备的动机是什么？一是抓住储能领域巨大的商机，占据储能技术的领先地位。由于目前德国的居民电价高于光伏发电的上网电价，安装储能蓄电池后光伏发电可以更多的在居民侧消费，居民安装的小型光伏系统的收益率更高。如果给予储能系统补贴，可以进一步提高光伏电站安装储能系统后的收益率，安装和使用储能设施的积极性得以提高。著名研究机构IMFResearch研究结果表明，光伏储能领域的市场价值将从2012年的200万美元增长到2017年的190亿美元。经过对储能设施补贴，提前开展储能与太阳能发电结合的示范，有利于更多资金和研究力量关注储能，使德国在储能这一战略新兴领域再一次世界领先。例如，德国弗劳霍恩太阳能研究所在世界上的储能技术研究处于领先地位，最近已经开发出了0.5平米、容量25千瓦的液流氧化还原电池。二是进一步扩大分布式光伏发电的应用。德国土地资源有限，绝大部分的光伏发电属于屋顶光伏。目前屋顶光伏的装机容量已经影响到了电网的安全，在安装小型光伏发电系统的同时加装储能设施可以降低其对电网的冲击，提高电网接纳光伏发电的能力，促进光伏装机的发展。德国的配电网必须保证分布式光伏电源的接入，如果电网结构不具备接入条件，电网需经改造后接入光伏电源，电网改造费用需由全社会承担。安装储能设施可以减少电网的改造，有利于稳定居民用电电价。三是缓解分布式发电给电网运行带来的压力。目前，德国约90%以上的光伏发电接入在配电网，导致了配电网的管理和控制难度进一步加大，储能的接入有利于缓解电网的压力。特别是在中午这一光伏发电出力高峰时刻，电量通过储能设施储存后在夜间用电高峰（即光伏发电停止发电时）通过蓄电池放电，实现光伏发电与负荷匹配的优化。德国研究机构表明，未来可再生能源的比例将进一步加大，储能设施可以帮助光伏和风电等参与电力市场的竞争。但是，目前小规模的储能在未来难以发挥决定性作用，必须依赖于兆瓦级或者更大规模的储能设施，才能实现波动性可再生能源发电与负荷的实时匹配。四是全面实现德国无核化和实现能源战略转型的必然要求。日本发生核电事故后，德国提出了无核化要求，可再生能源由于清洁和对外依赖程度低等特性，成为了替代核电的首选。德国制定的目标是到2020年实现可再生能源发电占比达35%，2050年达到100%。目前的光伏发电储能设施的补贴政策为积极探索储能在光伏等可再生能源接入电网的示范提供了有力的财政支持。远期更高渗透率的可再生能源发电，甚至实现100%的可再生能源发电，必然要求储能在接入可再生能源方面发挥重要的作用。光伏储能实施将为储能在未来电网中的规模化应用积累管理和技术经验。反思我国的分布式光伏发电政策，主要是金太阳工程等相关政策。金太阳工程要求屋顶光伏最低规模要大于300kW，这一规模远大于德国补贴储能设施要求的光伏装机容量30kW。德国通过电价和补贴政策鼓励分布式光伏发电本地消纳，而我国的金太阳项目在政策设计之初规定的光伏容量过大，导致光伏发电点亮本地消纳基本难以实现。建议新能源发电政策的制定应综合考虑电源本身的特性和与电网的关系。

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  • 看欧洲电子策略 提高半导体制造能力

    据美国电子时代网站欧盟宣布将增加4条先进生产线建设计划，包括发光二极管和450mm晶圆等。此前，欧盟宣布建设全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)试生产线。该五条芯片试生产线项目是欧盟于5月23日宣布的“欧洲电子策略”的一部分，共涉及来自20个国家的128个公司，总投资将超过7亿欧元，包括欧盟各成员国和工业界的投资，其中欧盟将出资1亿欧元。五个项目中的大部分从2013年启动运行，持续到2015年底结束。五条试生产线项目分别是：(1)AGATE试生产线：该项目由法国晶圆制造公司Soitec公司领导，包括10家公司，目标是为功率半导体器件和发光二极管生产低成本的硅基氮化镓(GaN)晶圆，计划于2015年12月结束。(2)E450EDL试生产线，该项目由比利时微电子研究中心(IMEC)和荷兰艾司摩尔(ASML)公司领导，包括来自11个国家的43家公司，目标是为450mm晶圆验证设备、材料和前道工艺，计划于2016年9月结束。(3)EPPL试生产线：该项目由位于德国和奥地利的英飞凌(Infineon)公司领导，包括31家公司，目标是开发功率器件用薄晶圆，计划于2016年3月结束。(4)Lab4MEMS试生产线。主要工业试生产线分别位于ST半导体公司的两个工厂：前道工艺位于意大利的Agrate，后道工艺位于欧洲Malta，由分布在9个国家的研究中心、小企业和研究实验室共同参与支持。该项目于2013年1月启动，计划运行30个月。(5)Places2Be试生产线。该项目为期三年，总预算3.6亿欧元(大约4.65亿美元)，促进欧洲实现FDSOI制造工艺的工业化。该项目由在FDSOI领域处于领先地位的ST公司领导，并将在ST位于法国克罗尔市的晶圆厂和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)公司位于德国德累斯顿市的第一生产厂内建立试生产线。包括23个研究单位，目标是通过解决产量和应用等挑战，以将该技术带入工业界。欧盟副主席尼莉·克罗斯说：“我们没有任何时间可以浪费了，这些计划对实现欧洲电子策略做出了实质性的贡献。到2013年底，我希望看到工业界实现芯片制造量翻倍、生产量达全球产量20%的目标”。为此，5月29日克罗斯主持召开了各国家和地区部长会议，欧洲主要半导体制造商和世界知名研究人员也参与其中，共同商讨策略的实施。

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  • 研究称三星2012年芯片制造业营业额80%来自苹果

    据国外媒体报道，研究机构DigitimesResearch发布数据显示，三星公司2012年芯片制造业营业额的80%是由苹果公司贡献的。数据显示，三星芯片制造业营业额另外20%的贡献者是高通、德州仪器、Xilinx、Marvell、STMicroelectronics、东芝、Renesas。研究称三星2012年芯片制造业营业额80%来自苹果（TechWeb配图）Quartz网站称，在2012年，三星斥资70亿美元升级芯片制造工厂。值得一提的是，其中一个主要工厂位于美国德州奥斯汀市，它获得了40亿美元的投资，而该工厂负责生产苹果iPad5和iPhone5芯片。

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  • 意法：欧元走软 帮制造业大忙

    彭博社报导，欧洲最大半导体制造商─意法半导体集团（STMicroelectronicsNVFR-STM）执行长表示，欧洲要让生产回流来提振制造业，弱势欧元可助一臂之力。2005年就担任意法半导体掌舵手的波佐提（CarloBozotti）受访时说：「我们喜欢看到一致性，但现在日本和美国与欧洲之间的总体经济政策出现重大差异。一旦有像欧洲这么大的成本基数时，日本和美国猛印钞票也没什么用。」波佐提今天在巴黎表示，意法半导体要和英特尔公司（IntelCorp.US-INTC）及德州仪器公司（TexasInstrumentsInc.US-TXN）等对手竞争是处于弱势的。波佐提表示，虽然晶片大客户都位在欧洲以外地区，但意法半导体大部分的成本是以欧元计算，若欧元兑美元汇率接近1.2美元，将有助于更多生产回到欧洲。相较之下，意法半导体是以1.3美元的欧元汇率估算财测。意法半导体在法国和义大利拥有2万名员工。法国、义大利和马尔他产地员工达8000人左右。波佐提表示，让工厂留在欧洲、靠近集团研究中心，使意法半导体将更多尖端产品迅速推行到市场上。

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  • IDC：全球半导体业2012年营收降2.2%

    （华盛顿4日电）市场研究公司IDC发布的最新“半导体应用预测”报告显示，全球半导体行业营收2012年同比下降2.2%，至2950亿美元。2012年下半年，全球半导体行业出现减速。这主要是由于PC、手机和数字电视等领域的消费者支出下降，以及工业行业和其他市场的需求减少。欧洲经济危机和中国经济的增长减速对全球需求产生了不利影响，而Windows8的发布未能提振PC销量，扭转当前的局面。与此同时，中国的半导体厂商继续压低平均售价，导致了整个行业的营收增长放缓。IDC预计，2013年全球半导体行业将恢复增长，营收同比增长率将达3.5%。IDC的这一报告跟踪了120多家半导体公司。2012年，大部分半导体公司的营收同比下降，其中包括前10大半导体公司中的8家。在营收超过10亿美元的半导体公司中，只有17家公司营收同比增长率超过5%。而在报告关注的前25大半导体公司中，只有7家实现了营收增长，包括高通、博通、恩智浦半导体、Nvidia、联发科、苹果和夏普。平板电脑应用处理器厂商全志科技是2012年营收增长最快的半导体公司。由于PC需求疲软，平板电脑和智能手机芯片表现不佳，2012年全球最大的半导体厂商英特尔营收同比下降3%，至500亿美元。第2大半导体厂商三星营收同比下降6%，这主要是由于数字电视的需求趋弱、面向苹果的市场份额下降，以及存储芯片价格的波动。IDC半导体行业研究经理帕尔马表示：“除了终端市场需求下降之外，半导体公司面临的挑战在于校正关键的价值定位。无论是调制解调技术、联网技术、传感器、混合信号处理器，还是电源管理技术，市场的许多领域都表现出强劲潜力。不过，在一个差异化很少、拥挤的市场中，竞争逐渐激烈，这导致了半导体行业营收的滑坡。大公司正在缩小产品线，将资源投向能够盈利的产品，而知识产权和经验将成为竞争优势。”IDC的能源技术和半导体行业项目副总裁莫拉雷斯透露：“正如我们在2013年全球半导体市场10大预测中所说，半导体行业的研发投资和资本支出仍维持非常高的水平，半导体厂商专注于创新，为许多下游行业带来了竞争力。信息系统的发展推动了市场整体的发展，以及半导体在更大范围内的应用。这将在市场整体的发展中扮演关键角色。”

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  • 日本Ceratec开发出LED灯具用高性能陶瓷荧光板

    从事高性能陶瓷产品业务的日本Ceratec公司开发出了仅由高性能陶瓷成分构成的LED灯具用荧光板“PhosCera”(正在申请商标注册)，最近已经开始样品供货。Ceratec预计，能够通过量产等实现低价格化。此次开发的荧光板主要用于采用“远程荧光粉”方式的LED灯具。远程荧光粉是指将荧光板与封装了多个蓝色LED元件(用作热源和光源)的基板分离配置的方式。荧光板涂层中的绿黄红各色荧光粉(平均粒径为10μ～20μｍ)在蓝色LED光源的照射下，会被激发从而发出各色光线。这些光线混合后，就会形成白色等照明光。此次开发的荧光板主要用于大型商业设施和工厂等大规模空间的LED照明器具。在绿黄红各色荧光粉颗粒表面，首先包覆了一层微细的特殊陶瓷粒子(粒径为几nm)作为接合层，然后将这样的颗粒与形成涂层母相的陶瓷粒子(平均粒径为10μ～20μｍ)混合，并使其分散到溶剂中制成“墨水”，再利用丝网印刷法将该“墨水”涂在作为荧光片基材的耐热玻璃表面(内侧)，然后干燥、烧制，形成荧光片的涂层。估计该涂层可利用陶瓷粒子的粘合功能，贴在玻璃表面。试制品上，陶瓷母相中均匀分散了绿黄红各色荧光粉的涂层的厚度约为80μm。Ceratec介绍说，陶瓷粒子是形成涂层的粘合剂，其主要成分是SiO2类陶瓷，“荧光粉由YAG(由钇和铝的复合氧化物Y3Al5O12构成的石榴石构造结晶)荧光粉和硫化物荧光粉构成”。通常，空气中的水分容易导致荧光粉劣化，但将荧光粉混在陶瓷粒子母相中以后，可以阻挡水分，提高耐久性。牧田，其他公司供应的远程荧光粉方式LED灯具估计是利用被称作有机粘合剂的树脂胶来固定各色荧光粉。据Ceratec介绍，“与采用有机粘合剂的产品相比，采用陶瓷粒子形成的母相后，灯具的耐热性、耐光性和发光效率全都会提高”，尤其是发光效率会大幅提高。关于耐热性，在使用试制品进行的长期耐热试验，中，经过2000个小时的暴露试验，在200℃的温度下，出现了在试验中涂层从基材玻璃上剥离的情况。而样品的“耐热性在500℃以上”。Ceratec表示，此次开发的荧光板具有出色的耐光性，因此可以用于紫外线LED和激光器等要求具备出色的耐光性的用途。

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  • 澳大利亚EEG拟为当地市场装配西屋太阳能组件

    美国组件制造商西屋太阳能(WestinghouseSolar)计划通过澳大利亚公司EEG进行组件装配，EEG是CBDEnergy的首选供应商，CBDEnergy将于今年晚些时候与西屋太阳能合并。西屋太阳能表示，分销至美国的产品将利用台湾制造的太阳能光伏电池躲避关税，而“澳大利亚制造”的品牌组件将用于当地市场。该公司预估，EEG将于2013年第三季度开始出货其250瓦交流和直流太阳能组件。预估该供应协议将持续到2015年十二月三十一日。预估2013年西屋太阳能将与CBDEnergy完成合并。

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  • Cree解读LED半导体照明外延及芯片技术的最新进展

    自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光LED以来，基于GaN基蓝光LED和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白光LED的光效已经超过150lm/W，而实验室水平已经超过了200lm/W，远远高于传统白炽灯（15lm/W）和荧光灯（80lm/W）的水平。从市场看，LED已经广泛应用于显示屏、液晶背光源、交通指示灯、室外照明等领域，并已经开始向室内照明、汽车灯、舞台灯光、特种照明等市场渗透，未来有望全面替换传统光源。半导体照明光源的质量和LED芯片的质量息息相关。进一步提高LED的光效（尤其是大功率工作下的光效）、可靠性、寿命是LED材料和芯片技术发展的目标。现将LED材料和芯片的关键技术及其未来的发展趋势做如下梳理：一、材料外延1.外延技术金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术是生长LED的主流技术。近年来，得益于MOCVD设备的进步，LED材料外延的成本已经明显的下降。目前市场上主要的设备提供商是德国的Aixtron和美国的Veeco。前者可提供水平行星式反应室和近耦合喷淋头式反应室两种类型的设备，其优点在于节省原料、生长得到的LED外延片均匀性好。后者的设备利用托盘的高速旋转产生层流，其优点在于维护简单、产能大。除此以外，日本酸素生产专供日本企业使用的常压MOCVD，可以获得更好的结晶质量。美国应用材料公司独创了多反应腔MOCVD设备，并已经开始在产业界试用。未来MOCVD设备的发展方向包括：进一步扩大反应室体积以提高产能，进一步提高对MO源、氨气等原料的利用率，进一步提高对外延片的在位监控能力，进一步优化对温度场和气流场的控制以提升对大尺寸衬底外延的支持能力等。2.衬底（1）图形衬底衬底是支撑外延薄膜的基底，由于缺乏同质衬底，GaN基LED一般生长在蓝宝石、SiC、Si等异质衬底之上。发展至今，蓝宝石已经成为性价比最高的衬底，使用最为广泛。由于GaN的折射率比蓝宝石高，为了减少从LED出射的光在衬底界面的全发射，目前正装芯片一般都在图形衬底上进行材料外延以提高光的散射。常见的图形衬底图案一般是按六边形密排的尺寸为微米量级的圆锥阵列，可以将LED的光提取效率提高至60%以上。同时也有研究表明，利用图形衬底并结合一定的生长工艺可以控制GaN中位错的延伸方向从而有效降低GaN外延层的位错密度。在未来相当一段时间内图形衬底依然是正装芯片采取的主要技术手段。未来图形衬底的发展方向是向更小的尺寸发展。目前，受限于制作成本，蓝宝石图形衬底一般采用接触式曝光和ICP干法刻蚀的方法进行制作，尺寸只能做到微米量级。如能进一步减小尺寸至和光波长可比拟的百nm量级，则可以进一步提高对光的散射能力。甚至可以做成周期性结构，利用二维光子晶体的物理效应进一步提高光提取效率。纳米图形的制作方法包括电子束曝光、纳米压印、纳米小球自组装等，从成本上考虑，后两者更适合用于衬底的加工制作。（2）大尺寸衬底目前，产业界中仍以2英寸蓝宝石衬底为主流，某些国际大厂已经在使用3英寸甚至4英寸衬底，未来有望扩大至6英寸衬底。衬底尺寸的扩大有利于减小外延片的边缘效应，提高LED的成品率。但是目前大尺寸蓝宝石衬底的价格依然昂贵，且扩大衬底尺寸后相配套的材料外延设备和芯片工艺设备都要面临升级，对厂商而言是一项不小的投入。（3）SiC衬底SiC衬底和GaN基材料之间的晶格失配度更小，事实证明在SiC上生长获得的GaN晶体质量要略好于在蓝宝石衬底上的结果。但是SiC衬底尤其是高质量的SiC衬底制造成本很高，故鲜有厂商用于LED的材料外延。但是美国Cree公司凭借自身在高质量SiC衬底上的制造优势，成为业内唯一一个只在SiC衬底上生长LED的厂商，从而避开在蓝宝石衬底上生长GaN的专利壁垒。目前SiC衬底的主流尺寸是3英寸，未来有望拓展至4英寸。SiC衬底相比蓝宝石衬底更适合于制作GaN基电子器件，未来随着宽禁带半导体功率电子器件的发展，SiC衬底的成本有望进一步降低。（4）Si衬底Si衬底被看作是降低LED外延片成本的理想选择，因为其大尺寸（8寸、12寸）衬底发展得最为成熟。但是，由于晶格失配和热失配太大，难于控制，基于Si衬底的LED材料质量相对较差，且成品率偏低，所以目前市场上基于Si衬底的LED产品十分少见。目前在Si上生长LED主要采用以6英寸以下的衬底为主，考虑成品率因素，实际LED的成本和基于蓝宝石衬底的相比不占优势。和SiC衬底一样，大多数研究机构和厂商更加青睐在Si衬底上生长电子器件而不是LED。未来Si衬底上的LED外延技术应该瞄准8英寸或12英寸这种更大尺寸的衬底。（5）同质衬底正如前面提到的，目前LED的外延生长依然是以异质衬底的外延为主。但是晶格匹配和热匹配的同质衬底依然被看作提高晶体质量和LED性能的最终解决方案。最近几年，随着氢化物气相沉积（HVPE）外延技术的发展，大面积GaN基厚衬底制作技术得到了重视，其制作方法一般为采用HVPE在异质衬底上快速生长获得数十至数百微米厚的GaN体材料，再采用机械、化学或物理手段将厚层GaN薄膜从衬底上剥离下来，利用此GaN厚层作为衬底，进行LED外延。日本三菱公司和住友公司已经可以提供GaN基衬底的产品，但是价格昂贵，对于一般LED的生长不划算。主要是用于激光器的制造或者非极性/半极性面LED的研究。美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）中村小组在非极性/半极性面LED研制方面做出了许多开创性和代表性的工作。非极性/半极性面LED可以规避传统c面LED中存在的极化效应问题，从而进一步提升LED尤其是长波长可见光LED的效率。但是高质量的非极性/半极性面LED必须依赖同质衬底，而非极性/半极性面的GaN衬底离实用化还有相当的距离。此外，日本、波兰、美国等一些学校和研究机构也在尝试使用碱金属熔融法、氨热法等手段在高压和中温条件下制造GaN块状晶体，但是目前都尚处于研究阶段。3.外延结构及外延技术（1）Droop效应经过若干年的发展，LED的外延层结构和外延技术已经比较成熟，其内量子效率最高可达90%以上。但是，近几年随着大功率LED芯片的兴起，LED在大注入下的量子效率下降引起了人们的广泛关注，该现象被形象地称为Droop效应。对产业界而言，解决Droop效应可以在保证功率的前提下进一步缩小芯片尺寸，达到降低成本的目的。对学术界而言，Droop效应的起因是吸引科学家研究的热点。不同于传统半导体光电材料，GaN基LED的Droop效应起因十分复杂，相应也缺乏有效的解决手段。研究人员经过探索，比较倾向的几个原因分别是：载流子的解局域化、载流子从有源区的泄漏或溢出、以及俄歇复合。虽然具体的原因还不明晰，但是实验发现采用较宽的量子阱以降低载流子的密度和优化p型区的电子阻挡层都是可以缓解Droop效应的手段。（2）量子阱有源区InGaN/GaN量子阱有源区是LED外延材料的核心，生长InGaN量子阱的关键是控制量子阱的应力，减小极化效应的影响。常规的生长技术包括：多量子阱前生长低In组分InGaN预阱释放应力并充当载流子蓄水池，升温生长GaN垒层以提高垒层的晶体质量，生长晶格匹配的InGaAlN垒层或生长应力互补的InGaN/AlGaN结构等。量子阱的数量没有统一的标准，业界使用的量子阱数从5个到15个都有，最终效果差别不大，阱数较少的LED在小注入下的效率更高，而阱数较多的LED在大注入下的效率更高。（3）p型区GaN的p型掺杂是早期困扰LED制作的重要瓶颈之一。这是因为非故意掺杂的GaN是n型，电子浓度在1×1016cm-3以上，p型GaN的实现比较困难。目前为止最成功的p型掺杂剂是Mg，但是依然面临高浓度掺杂造成的晶格损伤、受主易被反应室中的H元素钝化等问题。中村修二在日亚公司发明的氧气热退火方法简单有效，是广泛使用的受主激活方法，也有厂商直接在MOCVD外延炉内用氮气在位退火激活。日亚公司的p-GaN质量是最好的，可能和常压MOCVD生长工艺相关。此外，也有一些利用p-AlGaN/GaN超晶格、p-InGaN/GaN超晶格来提高空穴浓度的报道。尽管如此，p-GaN的空穴浓度以及空穴迁移率和n-GaN的电子相比差别依然很大，这造成了LED载流子注入的不对称。一般须在量子阱靠近p-GaN一侧插入p-AlGaN的电子阻挡层。但AlGaN和量子阱区之间极性的失配被认为是造成载流子泄漏的主要原因，因此近期也有一些厂商尝试采用p-InGaAlN进行替代。4.无荧光粉单芯片白光LED现有白光LED主要采用蓝光LED加黄色荧光粉的方式组合发出白光，这种白光典型的显色指数不高，尤其是对于红色和绿色的再现能力较弱。此外，荧光粉也面临诸如可靠性差、损失效率等问题。完全依赖InGaN材料作为发光区在单一芯片中实现白光从理论上是可行的。近年来，国内外的一些高校和研究机构也都开展了相关研究。比较有代表性的是中科院物理所陈弘小组利用InGaN量子阱中In的相分离实现了高In组分InGaN黄光量子点，和蓝光量子阱组合发出白光。但是该白光的显色指数还比较低。无荧光粉单芯片白光LED是很具吸引力的发展方向，如果能实现高效率和高显色指数，将会改变半导体照明的技术链。5.其他颜色LEDGaN基蓝光LED的外量子效率已超过60%，这意味着蓝光LED器件已经相对成熟。因此，人们开始把眼光投向氮化物材料能够覆盖的其他波段。传统的III-V族半导体制作红外和红光波段的发光器件已经十分成熟，所以对氮化物而言发展绿光和紫外光LED显得更有意义。（1）绿光LED绿光波段是目前可见光波段效率最低的，被称作“GreenGap”。InGaN在绿光波段效率低下的原因是因为In组分较高和量子阱较宽引起的极化效应变得更强。前面提到的生长非极性/半极性面LED是提高绿光LED效率的有效方法，但是受限于同质衬底目前还不具实用性。近期，德国Osram公司的研究人员重点研究了光泵结构的LED。他们采用蓝光LED作为泵浦源激发绿光InGaN/GaN多量子阱，得到的绿光LED在350mA下峰值波长为535nm，流明效率为127lm/W，高于直接将载流子注入绿光MQW的LED。（2）紫外LED紫外光在固化、杀菌、预警、隐蔽通信等领域有重要应用。传统的紫外光源都是真空器件。氮化物材料是最适合制作紫外光LED的材料系，但是由于位错密度高，同时发光区为AlGaN（不含In，无法利用InGaN发光效率对位错不敏感的优势），GaN基紫外LED尤其是深紫外LED（波长280nm以下）的效率还很低。日本的Riken研究所和美国南加州大学的ArifKhan小组是研究深紫外LED的先锋。Riken可以将深紫外LED的外量子效率做到3.8%，输出功率达30mW。二、芯片工艺1.正装芯片正装芯片是目前市场上使用最多的芯片，日本日亚公司是该技术路线的典型代表。它一般是在蓝宝石图形衬底上生长LED材料，从表面p-GaN出光，并在蓝宝石背面蒸镀一层反射膜。需将芯片的一部分区域干法刻蚀至n-GaN以制作共面电极。正装芯片的结构简单，制作成本低，适合小功率工作。由于蓝宝石衬底的散热能力不强，正装芯片大功率工作时会受到一些限制，但是日亚公司凭借其材料质量上的优势实现了LED在高结温下依然具有可观的效率。其使用外量子效率84.3%的蓝光LED正装芯片封装得到的白光LED在20mA下可实现249lm/W的光效；高功率白光LED在350mA电流下光效为183lm/W。正装芯片的关键技术包括：（1）透明导电膜目前产业界主要使用氧化铟锡（ITO）电极作为p-GaN表面的透明欧姆电极。ITO是在太阳能电池和液晶领域被广泛使用的透明导电膜，在蓝光区域有良好的透光性。另一方面，In元素在地球上的储量不丰富，属于稀有金属。因此，人们开始寻找新的透明导电材料代替ITO，比较有代表性的是ZnO透明薄膜。ZnO也属于宽禁带半导体，对蓝光透明。但是其稳定性、接触特性等与ITO相比还存在差距，因此产业界尚未开始使用。（2）表面粗化前面提到，蓝宝石图形衬底的使用增强了光在GaN和蓝宝石界面处的散射，大幅提高了LED的光提取效率。在p-GaN表面或ITO电极表面也可制作相应的粗糙化结构来增强光的散射。日亚公司的代表性技术之一，就是将ITO透明电极制作成网状结构，以利于光的出射。一些机构也开始研究采用自组装生长ITO纳米线的方法在LED表面形成粗化结构。此外，也有人尝试采用干法刻蚀的方法在p-GaN上制作二维光子晶体结构，利用光子晶体的禁带实现蓝光的全部出射。但是大面积均匀的光子晶体的制作十分困难，成本很高，且会对电特性造成一定破坏，因此在产业界使用不多。（3）DBR反射器DBR反射器主要用于蒸镀在被减薄的蓝宝石衬底背面，将原本从蓝宝石背面出射的光反射至LED表面出射。早期的反射镀膜使用Al、Au等金属，但成本过高，目前较多使用的是由SiO2/TiO2介质膜组成的DBR反射器。2.垂直结构芯片垂直结构芯片是目前高端LED芯片采用的主流技术路线。它是在p-GaN表面蒸镀高反射率金属欧姆电极并将LED倒扣焊接在Si或金属热沉上，然后把衬底剥离掉露出粗糙的n-GaN，在n-GaN表面制作欧姆电极，器件工作时电流垂直流过芯片。这种设计不损失制作共面电极时刻蚀掉的那一部分发光面积，且电流垂直流过芯片避免了横向流动的拥塞效应，同时散热能力变得很强，因此芯片在大功率条件下工作的性能很高。但是工艺步骤比较多，制作成本比正装芯片要高。美国Cree公司是该技术路线的代表，已经开始量产1W电功率下光效达200lm/W的白光LED器件（非传统1×1mm2尺寸的芯片）。其关键的技术包括：（1）衬底剥离对于Si衬底，一般采用湿法腐蚀的方式去掉衬底即可。而对于蓝宝石或者SiC衬底则一般采用激光剥离技术进行分离，它是将紫外激光聚焦到衬底和LED的界面处，让GaN吸收激光紫外的能量生成液态Ga和N2从而使衬底与GaN外延层分离。该技术可以一次剥离整片衬底，效率很高，但是需要尽可能避免激光对LED外延层造成的损伤。（2）表面粗化激光剥离后的n-GaN表面是粗糙的N极性面，将其浸泡于加热的KOH溶液之中，KOH可以腐蚀GaN表面形成随机排布的金字塔结构，这种结构十分利于光的散射。该技术的专利掌握在UCSB中村小组手中，但许多厂商实际都在使用相同的技术。3.倒装芯片蓝宝石衬底是限制正装LED芯片散热的主要因素，美国Lumileds公司率先在业界开发了基于Si基热沉的倒装芯片结构。它首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅底板并在其上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片倒扣后与硅底板焊接在一起，光从蓝宝石衬底的背面出射，热量通过电极焊料从Si基热沉导走。这样的结构较为合理，即考虑了出光问题又考虑到了散热问题，适合制作大功率LED。当蓝宝石衬底的激光玻璃技术发展起来后，曾经一度认为倒装芯片是一种介于正装芯片和垂直结构芯片之间的过渡技术。在大多数企业放弃倒装结构的时候，Lumileds公司依然坚持了这种技术路线，即使能够将蓝宝石衬底剥离掉也还是保留了共面电极的设计。这种倒装结构在chiponboard（COB）技术发展起来以后又重新回归到人们的视野中。COB技术是在陶瓷基板上采用印刷电路的方式制备出已经设计好串并联电路的若干芯片电极焊点，将LED倒装芯片一颗颗依次焊接在board上实现大功率的器件。这种设计简化了封装，实现了大功率器件的小型化，为照明灯具的设计提供了便利。4.高压交/直流驱动LED单颗LED芯片工作于低压直流状态下，为了适用220V的市电，LED照明光源需要配套相应的驱动电源。但是将220V高压变为3V左右低压的电源转换效率不够高，同时寿命受限于电解电容，在实际使用中存在许多问题。在芯片层面实现多颗LED小芯片的串并联可使得LED工作在更高的驱动电压下，主要有两种思路。一种是利用LED作为二极管的整流特性，将多颗LED小芯片组成电桥结构，直接采用220V交流电驱动LED，这种方式的优点是省去了变压器，但是每半个周期只有部分LED点亮，因此效率不高。另一种是将多颗LED小芯片串联起来，采用高压直流电驱动。这种方式依然需要电源适配器，但是由于变压后的电压是几十伏，所以驱动电源的效率高，可靠性也高，相比传统方式还是有所改善。因此，高压直流驱动LED芯片目前是韩国和台湾厂商研究的一个热点。以上对目前的LED材料外延和芯片工艺的关键技术以及发展状况进行了概括。在各国企业和研究机构的大力投入下，LED材料和芯片技术已经比较成熟，芯片的光效已经不再是限制LED照明应用的主要瓶颈。半导体照明技术下一步的发展是在尽可能降低成本的同时提供比传统照明更好的光色品质和人眼舒适度。这对LED材料和芯片提出了新的要求，如果高效率和高显色指数的无荧光粉单芯片白光LED能够实用化，则无疑是对半导体照明技术的一项颠覆性革命。

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  • LED照明需求放量，照明安全议题浮出台面

    LED照明需求放量照明安全议题浮出台面全球节能减碳意识的高涨，加上LED应用转趋成熟，LED应用于照明产品的比重持续拉升，无论是室内照明或是室外照明皆逐步采用LED产品，随着LED照明应用范围的扩大，LED光源对于健康的影响也在近期备受广泛讨论，包括直视LED蓝光对于视网膜黄斑的危害，以及对于退黑激素抑制的影响。LED光源优点LED的高发光效率、使用时间长、回收容易与环保特性让LED光源一跃成为照明应用宠儿，LED的能量转换效率高，使用寿命比萤光灯与白炽灯都要来的久，加上不含汞等有害物质，是目前最为环保的光源选择，另一方面，LED光源不具红外线与紫外线，可以避免晒黑问题，以及可以减少灯源产生的高温，而LED的反应时间快，人眼感受不到光源的闪烁。部份学界提出蓝光造成的健康疑虑不过，随着LED应用领域的不断扩大，加上消费者对于LED接受度也逐步提升，LED光源对于健康的影响广泛受到讨论，其中，使用者长时间盯着包括电脑、电视与手机等背光萤幕，使得蓝光LED对于健康影响最受关注。LED光源中的蓝光具有波长短的特性，蓝光波长约在380-495nm，是可见光中波长最短但能量最高的光，一份经由重庆大学教授严永红所做的教室光环境光生物安全性研究指出，经过动物实验发现，随着蓝光强度增加，蓝光对于视网膜黄斑损伤加重，另一方面，也有研究指出，蓝光的照射恐为老年黄斑病变症的病因。关于蓝光对于健康的影响，除了造成视网膜黄斑损伤以外，此项研究也同样对于蓝光是否抑制退黑激素分泌进行实验，以短波的蓝光与色温4,000k的萤光灯进行照射比较，发现波短的蓝光会抑制退黑激素的分泌，并且提高警觉程度，以及提高体温、心律，专家认为，长时间注视著电视萤幕、电脑萤幕与手机萤幕，对使用者的眼睛与生理时钟恐有影响。此外，LED光源不同色温的使用也会对健康造成不同的影响，一般来说，色温值越高，光源颜色越偏冷色调，色温值越低，则越偏暖色调，中高色温使得使用者精神集中，但若用色温7,000K的LED光源，则可能加速倦怠感的出现，根据实验结果，色温过低，如2,500K~3,000K较容易使人有想睡的感觉，相较之下，色温3,500K~5,000K的LED光源，也是有人认为这样的选择较为适中。

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  • LED灯巧配LIFI，局域网数据传输可达每秒3Gb

    最近，德国FraunhoferHenrichHertzInstitute(以下简称HHI)宣布在实验室环境中，使用普通的LED灯泡，成功实现了3Gbps的数据传输速度，在现实生活场景(比如展会中)，这个系统也能够达到500Mbps的速度。可见光通讯(VisibleLightCommunications，简称VLC)，有时它也被称作LIFI。最近几年它得到了尤其多的关注，一个很重要的原因是LED照明正在日益流行。与白炽灯和荧光灯不同，LED是固态电子器件，这就意味着它能够像其他电子元件一样控制，并且实现高速转换。VLC本质上也是WiFi，只不过它采用的是兆赫辐射(光)，而不是微波(WiFi)当然，它的接收终端是光电探测器，而不是天线。

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  • IHS：2012年工业电子半导体市场供应商前十强 TI仍居首

    据IHS提供的IHSiSuppli研究公司工业电子市场跟踪报告，在2012年，工业电子的八大龙头供应商收入纷纷下降，反映出了这一深陷困境的市场已经陷入疲软。八家公司加上两家获益的公司组成了十强，全部加起来的收入总计为121.9亿美元，或占工业电子半导体市场总收入301.5亿美元的40.4%。这一市场的领头羊是美国德州仪器公司，尽管收入不佳，但仍在努力保持领先地位。正如德州仪器公司，前十强中排在第二至第八位的其它供应商们也存在类似状况，忍受着整整一年的收入逆转趋势，如下表所示。在圈内，只有两家公司收入增长了，其服务的市场是更广泛的半导体行业的发展区。 2012年工业电子半导体市场供应商前十强（按收入[百万美元]排名）“2012年，随着全球芯片市场在安防、测试与测量、马达驱动器、计量、医疗电子和可再生能源方面的增速放缓，工业电子半导体行业整体萎缩了5.4%。”IHS工业电子分析师JacoboCarrasco-Heres表示，“在细分市场上的绩效衰退，削弱了供应商们生产芯片的热情，结果导致八家企业收入损失，损失范围从0.7%至20.4%不等。”德州仪器公司保持了20.9亿美元的收入，在行业中名列前茅，即使如此，它的年收入也已下滑了6.6%。德州仪器公司在医疗电子、建筑和家庭控制市场上颇有建树，却被马达驱动器和自动化设备方面需求疲软给拖累了。风能和太阳能领域年景不佳，致使德州仪器在能源配电与发电市场上接连受挫。2011年被德国英飞凌公司挤在后面，意法半导体公司在去年回到了排名的第二位，而前者则再次落回第三名。意法半导体公司的收入为14.7亿美元，下降了11.6%，与之相比，英飞凌公司的收入为14.6亿美元，却更大幅度的下降了19.3%。两家公司的收入于各方面均有所衰退，却在建筑与家庭控制的灯光细分市场上找到了成长空间。第四名美国英特尔公司的收入为13.4亿美元，紧接其后的是，收入为12.3亿美元的美国模拟器件公司。两家公司的年收入均有7%至8%的衰退。排名第六和第七的是圈内损失最严重的两家公司。第七名的日本三菱公司衰退了20.4%，收入为9.44亿美元。第六名的日本瑞萨电子公司仅比其略胜一筹，衰退了19.9%，收入为11.5亿美元。由于马达驱动市场萎靡不济，使这两家公司在生产与过程自动化市场上的收入大为缩水。十强中，最后一家收入无增长的是第八名美信集成产品公司，其收入稳定在8.65亿美元。排名前十强中的两家有收益的公司，分别是日亚化学公司和松下公司，两者均来自日本。拜日亚化学参与了普通照明领域的发光二极管(LED)市场所赐，使其得以从第十六名一路飙升。日亚化学的收入达到了8.22亿美元，增幅强劲，达到24.4%。对日本松下公司而言，因其参与了高性能细分市场，诸如安全摄像头、医学应用等领域的缘故，也于去年上升了9.8%，收入达到8.21亿美元，摆脱了2011年的第十一名位置成功跃升。其中，意外被挤出了前十强的是，2011年分列第九和第十名的荷兰恩智浦半导体公司以及美国赛灵思公司。

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  • 日系半导体公司一季度恢复盈利

    根据Digitimes的研究报告显示，日本前三大半导体公司，东芝，瑞萨电子和索尼，尽管2012财年（从2012年4月至2013年3月）收入按年继续降低，但利润已经提高。其中，东芝今年第一季度NAND闪存营业收入达到了1730亿日元（17.1亿美元），达到2010年第一季度以来的最高水平。NAND闪存营业收入上升是由于出货量增加和价格稳定。东芝已经看到半导体营业收入和营业利润连续三个季度增长。瑞萨电子今年第一季度营业收入，环比下降1.9％，达到1739亿日元。然而，在连续七个季度的经营亏损之后，该公司报告经营利润达到80.3亿日元。由于数码相机出货量疲软，索尼半导体部门（主要集中在图像传感器）的收入下降11.5％，在2013年第一季度季度收入为1641亿日元。尽管如此，索尼的目标是2013年营业收入增加至5000亿日元。

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  • 德光伏企业Solar W orld巨亏冀欧盟双反脱身

    在欧盟多晶硅双反中，德国光伏企业SolarWorld是最早提出投诉并要求对中国进行惩罚的企业之一。2012年7月，以SolarWorld为主导的25家欧盟光伏企业向欧盟委员会提出申请，要求欧盟委员会对进口自中国的光伏产品进行反垄断、反倾销和反补贴调查。两个月后，欧盟委员会宣布，将对进口自中国的光伏产品进行反倾销调查；11月8日，欧盟委员会宣布发起反补贴调查。至此，在欧盟市场内，反倾销与反补贴的“双反”齐下，中国光伏企业遭到前所未有的阻击。此次在欧盟市场内带头向中国光伏企业发难的SolarWorld，正是之前在美国市场向中国发难的同一家德国光伏企业。2011年10月，以Solarworld为首的7家企业，联合向美国政府递交了要求对中国75家光伏企业出口到美国的产品进行“双反”调查，并采取贸易限制措施。2012年5月，美国决定对中国输美太阳能组件最高征收250%的惩罚性关税，使本来具有20%至30%成本优势的中国企业备受打击，当年6月份对美出口同比猛跌近60%。事隔两个月，SolarWorld就联合25家欧盟光伏企业，在欧盟市场发起了对中国光伏企业的“双反”调查申请。欧盟是目前世界上最大的太阳能市场，其装机容量比美国市场要大10倍左右。若此次做出不利中国企业的裁决，影响将更大。Solarworld原先是一家贸易企业，后来转型为一家太阳能企业，其产业链覆盖从原材料到太阳能晶片、太阳能电池到太阳能工厂。企业在德国、西班牙、法国、南非和美国等地设有企业，并雇用了2600名职员。其位于美国俄勒冈州的公司(SolarWorldIndustriesofAmerica)雇员人数约为1000人。不过，Solarworld此次“双反”申请能否成功，还须拭目以待。目前，一半欧盟成员国反对向中国征收光伏关税。德国的立场已经转变。默克尔表示，希望能与中国就进口关税问题达成协议，以避免两败俱伤的贸易战。而且，在欧盟的光伏“双反”政策今年12月份最终落实前，SolarWorld也可能就已自身难保了。据媒体报道，SolarWorld现在面临破产，急需10亿美元借债以避免破产。目前企业正在中东寻找主权基金的帮助，以完成转型。企业老板弗朗克·阿斯贝克被迫承认他的公司存在财务困境，并开始与债权人谈判。面对债权人，阿斯贝克把主要责任都推到中国企业身上，并声称如果对于中国光伏产品征收预期中的反倾销税，那德国乃至欧洲光伏市场将于2013年下半年恢复公平竞争，而其公司也将走出困境。从Solarworld的财报发现，2011年，由于整个光伏行业的光伏组件产量过剩以及硅片供应合同遭到取消等原因，该公司减损支出3.13亿欧元，其中主要为用于老旧生产设备的账面价值削减，企业的亏损大约2.33亿欧元。2012年1至9月期间，经营亏损接近1.9亿欧元，流动资产损失率高达60%；在2012年三季度后，其总亏损额已超过10亿欧元。2013年第一季度企业发布的公告显示，行业继续面对恶劣的经营环境，集团忙于重组，经营亏损为4000万欧元。事实上，阿斯贝克的企业也曾经享受了来自政府的巨额补贴。《明镜周刊》报道称，在德国，阿斯贝克曾为获得尽可能高额的太阳能补贴而奔走多年，并且取得了成功。据莱茵西法仑经济研究所计算，电力消费者通过缴纳电费而支付的太阳能光伏发电设施补贴总额，超过了1000亿欧元。巨额补贴支持了光伏企业的发展，也给阿斯贝克个人带来了巨大的好处。从太阳能世界公司创建至今，他已将大约2800万欧元的股息纳入囊中；此外，他通过出售股权，获得了4000万欧元的收入；不仅如此，他还领取董事长兼首席执行官的薪酬，在业务良好的年份，这份薪酬高达100万欧元左右。

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  • 对华光伏反倾销引发欧盟内讧

    欧盟对中国光伏产品反倾销正在进行，初裁即将于6月6日出炉。届时，中国输欧光伏产品有可能被征收税率为37%至68%的临时惩罚性关税。这或将成为中欧迄今为止最大的贸易摩擦、全球涉案金额最大的贸易争端。2011年，中国向欧盟出口了总价值210亿欧元（约合1665亿元人民币）的太阳能面板和相关部件，出口量占中国光伏制造业总产量的70%，占中欧贸易总额的7%左右。贸易大战一触即发，作为攻方的欧盟，却临阵起了内讧。5月24日，成员国就欧盟对华光伏反倾销建议案进行投票。当天，吸引更多舆论目光的则是，代表欧洲1000多家光伏企业的欧洲平价太阳能联盟公开抗议，称欧盟正在葬送欧洲20多万个工作岗位。值得注意的还有，最初提起对华光伏反倾销申请的是德国企业，但德国总理默克尔却多次在公开场合表示，将不遗余力阻止欧盟向中国光伏产品征收惩罚性关税。中欧此次贸易纠纷的形势非常复杂，硝烟弥漫的战场笼罩层层迷雾——无论是商务部专家，还是受邀赴欧盟谈判的中国行业商会，以及光伏企业，都向《中国经济周刊》反映了欧盟在反倾销程序上、决策上的不透明。“欧盟对中国光伏反倾销仍待走完程序，如果一旦欧方决定对中国光伏产品征收惩罚性关税，中方一定会有对应的报复性措施。贸易战是中方不愿意看到的情形，但是不以我们的意志为转移。”商务部国际贸易经济合作研究院亚欧合作研究中心主任李钢说，“如果最后中方不得不应对，使中欧双方利益都受损，欧盟愿意看到吗？”“‘双反’也救不了它”2012年9月6日，欧盟委员会宣布启动对中国出口的所有光伏组件和部件进行反倾销调查。欧盟认为，中国光伏产业对欧盟产业造成损害，并披露了100多家欧盟认为对其产业造成损害的中国企业。按照欧盟的司法程序，反倾销案的初裁最后期限是今年6月6日。如果初裁通过，欧盟立时就将对中国光伏产品征收临时惩罚性关税，直至今年12月对该案进行最终裁定。在这6个月内，中欧双方可以继续磋商，寻找争端的解决办法。最终裁定时，这项临时惩罚性关税可能延长为有效期5年的中长期措施，当然，结果也可能向好，税率被降低，或者终止征收。反倾销调查的最初申请方是德国企业SolarWorld。为了向中国开展“反倾销”诉讼，达到欧盟要求的“代表行业至少25%的企业”，SolarWorld还发起成立了行业组织EUProSun，联合了20多家欧洲的太阳能面板和部件生产企业。SolarWorld同时还提起了对中国光伏产品的反补贴申请，将在今年8月进行初裁。“SolarWorld在前几年无论是规模，还是销售额，一直名列世界前茅。但是，光伏行业发展非常快，SolarWorld在技术更新、市场开拓、成本控制等方面，动作太慢了，跟不上中国光伏企业发展的步伐，也跟不上全球光伏市场的反应速度，导致成本居高不下。它有了生存危机，在这种情况下提出‘双反’。”国内光伏企业阿特斯（CSI.NSDQ）全球市场高级总监张含冰对《中国经济周刊》说，“说实话，‘双反’也救不了它。”根据欧盟反倾销法，企业提出反倾销调查的申请，有相应证据，欧盟委员会有义务立案调查。但在李钢看来，欧盟对中国光伏产品反倾销，原因是多层次的。“欧洲至今还没有从欧债危机中真正走出来，拖累了经济增长。2012年前后，德国等欧洲国家取消或者减少了对光伏产业、光伏产品的补贴，由此造成今天的局面。欧盟反过来对中国企业采取措施，是不公正的。”李钢对《中国经济周刊》说。不透明、不公正的反倾销更让中国企业诟病的，是这次反倾销调查过程中的不透明、不公正。“由于欧盟暂时不承认中国的市场经济地位，要选用第三方替代国（地区）的数据来裁定中国光伏产品出口欧盟是否为倾销。”代表中国光伏行业前往欧盟谈判的中国机电产品进出口商会（下称“机电商会”）有关人士对《中国经济周刊》说，第三方替代国（地区），一开始欧盟选的是美国，在中方提出抗辩意见后，选用了印度。“选用第三方替代国（地区）数据，也需要在当地找到企业配合。开始我们也提了中国台湾地区，但台湾地区没有企业配合。不过，即便印度企业愿意配合，但在欧盟调查过程中，对印度企业的问卷，连非保密卷我们都没有看到，里面的数据会不会有问题，我们不太清楚。”上述机电商会人士说。这一点同样遭到了中国光伏企业的不满。对华光伏反倾销立案后，欧盟从应诉的150家中国光伏企业中抽取了7家抽样企业，英利是其中之一。英利绿色能源控股有限公司法务总监樊振华对《中国经济周刊》表示，作为抽样企业，他们向欧盟提交了调查问卷，并接受了现场核查。“欧盟采用了印度一家公司的相关数据，作为第三方替代国（地区）数据，来计算所谓的倾销幅度，但是，现在程序上欧盟还没有把这些信息向企业披露。”樊振华还认为，选用印度作为第三方替代国（地区），本身就是反倾销调查的一个瑕疵。“因为印度太阳能产业发展比较缓慢，技术革新、规模效应等跟中国企业都要差很多，所以它的成本是比较高的，这样比较对于中国企业是很吃亏的。采用印度企业数据算出来的中国光伏产品倾销幅度，那可能就是比较高了。”樊振华说。欧盟对中国光伏产品征收惩罚性关税的税额，目前还没有官方说法，但外媒披露的一份欧盟委员会文件副本显示，欧盟对中国光伏产品征收反倾销税的计划共涉及100多家光伏企业，对它们征税的税率不等，浮动范围在37%至68%之间，平均税率为47.6%。该份文件副本还显示，尚德电力、赛维LDK、天合光能、晶澳太阳能将分别被征收48.6%、55.9%、51.5%、58.7%的关税。“目前根据媒体报道，欧盟给英利的税率是最低的，37.3%。但这没有经过官方证实。”樊振华说。据樊振华介绍，100多家应诉的中国企业中，7家抽样企业会各自得到适用的单独税率，从37%到68%不等。非抽样的应诉企业，适用抽样企业的平均税率。而根据此前美国对中国光伏产品反倾销的经验，那些没有应诉的中国光伏企业，最后很可能被课以最高税率68%。“征税有可能会追溯3个月，但现在情况不明朗。”上述机电商会人士告诉《中国经济周刊》。欧盟反倾销“损人不利己”？欧盟对中国光伏产品反倾销，不仅引起了中国光伏企业的强烈反弹，也遭到了欧盟企业的谴责。欧洲平价太阳能联盟发起的致欧盟委员会贸易委员卡雷尔?德古特的公开信，得到了欧洲20多个国家的700多家光伏企业、1024名企业高管的联名签署。后发表声明称，制裁中国光伏企业将“摧毁”整个欧盟的光伏市场。公开信强调，欧盟市场上光伏供应链的价值70%在欧洲创造，上下游供应商创造的产值约400亿欧元，贡献了26.5万个工作岗位。而主张制裁中国光伏产品的那些企业，最多创造不过8000个工作岗位。他们还引用欧洲独立经济研究机构“预测研究所”近日所做的一项调查说，如果欧盟对中国光伏产品征收20%的惩罚性关税，将导致欧盟在此后3年内失去17.55万个就业岗位，损失184亿欧元的光伏产业增加值；如果惩罚性关税达到60%，3年内将失去24.2万个就业岗位，以及272亿欧元的光伏产业增加值。“他们代表两个利益阵营。”李钢说，对中国光伏产品反倾销，对欧盟光伏产业链上前端的零部件供应方，以及最终的用户，都是有损害的。只有和中国企业同样从事太阳能面板制造的企业，要求制裁中国光伏产品。机电商会也就此发表声明称，对中国产品设限将伤及欧盟广泛的上下游企业。中国光伏生产企业所使用的原材料、设备及生产技术大部分由欧美进口；中国光伏电池和组件的出口为当地下游产业如光伏发电安装业创造了数以万计的就业岗位。机电商会数据显示，2011年，中国从德国进口多晶硅7.64亿美元，占中国同类产品进口额的20%；进口银浆3.6亿美元。此外，几年来，中国累计从德国、瑞士等欧洲国家采购约180亿元的光伏生产设备。这极大地推动了欧洲上下游产业的发展，目前在相关领域的欧洲就业人数高达30万人。“德国计划到2020年，再生能源发电量占到20%。但是，政府对光伏产业的补贴在下降，要完成20%的指标，唯一途径就是让成本降下来。如果对中国产品课以重税，一定会使成本急剧上升。这也是导致德国强烈反对制裁中国产品的原因。”张含冰说。欧盟“算小账”的潜在风险李钢用“一团雾水”来形容欧盟成员国对中国光伏反倾销建议案的投票。“表决是不公开的，不知道谁支持，谁反对。”不过，由于欧盟实行统一的贸易政策，各成员国的投票结果不一定会影响欧盟的决定。而且，在他看来，这一次欧盟对华反倾销显得“一意孤行”。机电商会赴欧谈判的遭遇也能印证这一点。本来，经过中国政府与欧盟委员会多次沟通磋商，双方同意由机电商会代表中国光伏产业就该案价格承诺问题与欧盟委员会进行谈判，但机电商会表示，他们在提出务实可行的价格承诺方案后，欧方直接回绝了谈判方案，也不回应谈判工作组提出的问题和解释。“由于欧方完全没有表现出通过磋商解决问题的诚意，导致首轮谈判无果而终，宣告破裂。”机电商会在随后发表的声明中说。对此，欧盟贸易司发言人在回应中国媒体时，否认了“首轮谈判破裂”的说法，他说，按照欧盟的程序，正式的实质性的谈判只会在初裁之后进行，现在中欧之间仅是技术性磋商。阿特斯在欧洲的律师团队也持这样的看法。据他们在欧洲了解到的信息，针对中国光伏产品的临时惩罚性关税一定会开征。“从6月6日初裁到12月份终裁出台，这个期间一定是个很艰难的谈判过程。”张含冰对《中国经济周刊》说。还有业内人士指出，事实上，欧盟委员会根本无心与我国机电商会谈判，光伏反倾销的谈判，不仅局限在光伏行业，谈判更多的是在两国政府层面。路透社5月22日披露的一份文件显示，欧盟监管方加大对中国当局的施压力度，威胁对中国太阳能面板和电信设备征税，意图将中欧投资协定、中欧自贸区协定等内容捆绑在一起谈判，以实现让中国开放更多市场的深层次目标。“对于光伏反倾销，现在技术性的谈判已经不重要了，眼前的核心问题是，如果欧盟执意要对中国光伏产品征收惩罚性关税，中方会采取相应的反制性措施，涉及多少金额会是对等的？下一步，贸易摩擦会不会由光伏产业延伸到其他产业，欧盟对短期的经济账过于算计，会不会影响中欧经贸领域的深度合作？经过这个事件，要让欧盟也有一个反思。”李钢说。据了解，中国商务部去年11月1日决定对原产于欧盟的太阳能级多晶硅进行反倾销和反补贴立案调查。这是在欧盟对华光伏产品进行“双反”立案的背景下，中国国家层面支持中国光伏企业的反制措施。另外，近日有消息称，中国酒业协会已将葡萄酒反倾销申请递交商务部，商务部将对进口葡萄酒进行反倾销调查。寻求欧盟以外的市场尽管高层已经就光伏反倾销一案展开磋商，但一些中国光伏企业还是难掩悲观。有分析认为，欧盟“双反案”裁决之后，中国光伏产业将面临生死抉择，甚至一半企业将破产。“所谓损人不利己，是在安慰大家，控制悲观情绪蔓延，然后再慢慢想办法。”一位光伏企业负责人告诉《中国经济周刊》，自今年3月份以来，中国光伏产品出口欧盟几乎已停滞。“由于有征收关税的风声，欧盟国内的进口商要求中国企业押货款30%，以备将来缴税。3月份以来，中国企业基本没有出货了。因为本来就不挣钱，只想回笼资金。押货款30%，怕拿不回来，就算拿得回来，也押不起。自2011年以来，由于中国光伏产品产能过剩，有些企业出于回笼资金的需要，本来就是低于成本销售的。”欧盟这次反倾销，对中国企业的影响，比上次美国反倾销要大得多。首先在涉案金额上，2011年，中国光伏产品对美国出口金额约为31亿美元，而这次欧盟反倾销案中涉案金额达210亿欧元。此外，美国反倾销针对的是中国生产的太阳能电池片，中国企业采购非中国生产的电池片就可以规避。但这次欧盟反倾销范围更广，阻断了中国企业曲线救市之路。“抵制欧盟反倾销，和中国光伏企业反思自己的问题，是两码事。”上述光伏企业负责人说。樊振华对记者说，从英利方面，不论是否存在反倾销的影响，企业都要不断进行革新，控制成本；另外要不断拓展新兴市场，包括东南亚、南美、非洲市场，同时也在培育中国市场。“从政府层面，也要有宏观的把握，如果过多地把资源投入到某一个行业中，就会出现产能远远高于市场需求这种局面。”张含冰说。

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  • iSupply：三星成全球第二大芯片厂商

    市场研究机构iSupply调查报告显示，三星2013年第一季度系统芯片市场份额为10.5%，屈居第二。全球芯片市场霸主依然为英特尔，拥有15.1%的系统芯片市场。今年1月到3月，三星芯片销售额为77.7亿美元，英特尔为111.6亿美元。接下来是高通的5.3%市场份额，销售额39.2亿美元。排名第四位的是东芝，市场份额为4%，销售额29.3亿美元。作为对比，三星去年第四季度市场份额为11.1%，去年平均份额为10.3%，前年为9.2%。对比发现，三星的进步虽然不是很大，但份额正在慢慢增加。内存芯片方面，三星以33.3%的市场占有率稳居第一，共营收47.2亿美元，第二位是SK海力士半导体公司，市占率17.4%。有业内人士分析认为，三星全球芯片市场份额增加主要得益于该公司近年来在系统半导体（systemsemiconductors）技术所进行的大规模投资。系统半导体，又被称作为“系统级芯片”（Systemonachip）主要指的是将电脑所有零部件或其他电子系统元件整合到一个集成电路上。目前，这一技术已经被广泛应用于新款智能手机与平板电脑设备中。

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