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  • 凌力尔特降压开关稳压器提供60V瞬变保护

    凌力尔特(Linear Technology)发表采3毫米(mm)×5毫米四方平面无接脚封装(QFN)封装或MSOP-16E封装的400毫安培(mA)、40伏特(V)降压开关稳压器LT3667。新元件具备双组线性稳压器(LDO)输出，可为汽车和工业应用提供相当精巧的三组输出解决方案。LT3667可操作于4.3～40伏特的输入电压范围，并提供达60伏特的瞬变保护，因此适合汽车应用中常见的负载突降和冷启动状况。内部600毫安培开关可提供达400毫安培电流，并分配至两个LDO及一次侧输出的结合负载。稳压器内建的LDO具200毫安培精准可编程电流限制，以提供更高的可靠性；结合3毫米×5毫米24接脚QFN封装(或散热加强型MSOP-16E)和高切换频率，可使外部电容和电感维持小型，而提供精巧和具备散热效益的接脚占位。LT3667的主切换器运用高效率600毫安培开关，并将必要的振荡器、控制、逻辑电路和LDO整合至单一晶粒中，透过特殊设计方式可于宽广输入电压范围内实现高效率，同时电流模式架构更可达到快速的瞬变响应和理想的回路稳定性。其它特点包括电源指示灯、同步化能力、电池反接保护、电流和热限制和可编程欠压锁住。凌力尔特网址：www.linear.com

    半导体 凌力尔特 降压开关稳压器 LDO 编程

  • 凌华工业级伺服器搭载Intel Xeon处理器

    凌华科技前发表首款4U机架式工业级伺服器TRL-40，搭载最新英特尔(Intel)Xeon处理器E5-2600系列，提升伺服器运算效能，以灵活的模组扩充弹性，满足广泛工业应用需求。凌华科技输入输出(I/O)平台产品中心协理张晃华表示，由近年工业自动化的演进趋势，凌华观察到部分特定市场，如自动化光学检测、医疗影像及监控系统等，对于高效能系统要求愈趋重视，因此推出旗下首款工业级伺服器TRL-40，提供效能与稳定度皆大幅提升的工业级伺服器产品，以满足客户多样化应用需求。TRL-40支援智慧平台管理介面(IPMI)2.0的智能管理功能，PCIe(PCI Express)3.0高速通讯连接介面可连接多达三个PCIe×16的可变增益放大器(VGA)显卡，是专为影像处理及多工应用等高性能需求而设计，适用于自动化光学检测、数位监控系统、电视墙及医疗影像等应用。TRL-40搭载最新Intel Xeon处理器E5-2600 v2系列，大幅提升了尖峰负载性能，同时强化浮点运算及向量计算效能，伴随支援双通道第三代双倍资料率同步动态随机存取记忆体(DDR3)1600暂存器(REG)/错误校正码(ECC)记忆体，可支援最多八个暂存器型双列式直插式记忆体模组(DIMM)插槽，最高达128GB。凌华网址：www.adlinktech.com

    半导体 Intel 处理器 工业级 PCIE

  • IC Insights：2014年资本支出金额前十大半导体公司

    市场研究机构ICInsights预期，记忆体制造商与晶圆代工业者将会是2014年晶片制造资本支出增加幅度最大的半导体厂商；今年度整体半导体产业资本规模估计为622.3亿美元，较2013年成长8%。ICInsights指出，虽然包括SanDisk与Micron等记忆体供应商的2014年资本支出将会强劲成长，全球半导体产业资本支出规模前五大业者排行榜并未变动，Samsung与Intel稳居龙头，两大厂商的年度资本支出都超过110亿美元。排名第三的半导体业者是台积电(TSMC)，年度资本支出略低于100亿美元；前三大半导体业者的资本支出总和，占据2014年产业整体资本支出规模的52%。前五大半导体业者的资本支出总额，则占据年度产业整体资本支出622.3亿美元中的66%。在2014年，前十大半导体业者中的9家厂商，年度资本支出都超过10亿美元；10亿美元代表了在先进晶片制造领域永续发展的门槛，也因此资本支出排名全球第十的中芯国际(SMIC)积极想加入前面的「十亿美元」阵营。中芯2014年资本支出较前一年成长35%，2013年该成长率则为30%。根据ICInsights调查，SanDisk在2012年、2013年的资本支出分别减少28%与12%；该公司2014年度资本支出则大幅增加了86%，主要是为了扩展与夥伴Toshiba合作开发之先进3D快闪记忆体技术产能。另一家记忆体业者Micron的2014年度资本支出估计增加了10亿美元以上，成长幅度达58%；晶圆代工业者GlobalFoundries亦然。2014年资本支出金额前十大半导体业者 在资本支出规模的一致性方面，Samsung与Intel仍然表现卓越。在2012年至2014年之间，Samsung的资本支出规模估计达到353亿美元，其中有六成是用在记忆体制造；Intel在相同期间的资本支出金额总计则为326亿美元。如此的支出规模才足以支应这两家厂商建置数座先进12寸晶圆厂。在ICInsights的排行榜中，除了资本支出前十大半导体业者以外的其他IC厂商，2014年资本支出规模总计成长约3%；这些半导体厂商的资本支出增加速度略低于整体半导体市场，其中大部分业者在IC生产策略上正开始采取轻晶圆厂(fab-lite)或是无晶圆厂模式。

    半导体 半导体 IC INSIGHT

  • 移动芯片快速发展 打破集成电路原有格局

    【导读】移动芯片市场的爆发性增长，催动原有集成电路产业格局被重塑，产业主导者也在不断博弈的过程中易位，ARM崛起成为芯片产业的新领导者，继高通市值超越Intel后，台积电也正逐步向其逼近。 近年来，在移动互联网发展的强有力带动下，移动智能终端取代PC成为全球集成电路发展的新市场和新动力，2012年全球移动芯片销售额已基本与PC相关芯片持平。移动芯片市场的爆发性增长，催动原有集成电路产业格局被重塑，产业主导者也在不断博弈的过程中易位，ARM崛起成为芯片产业的新领导者，继高通市值超越Intel后，台积电也正逐步向其逼近。 在产业新方向和市场新格局的形成过程中，移动芯片相关设计及制造技术始终保持着快速创新的态势： 从设计的角度来看，基带及射频芯片与移动通信网络发展紧密相关，随着LTE的逐步商用，多网络制式共存的现状使得多频多模成为发展的基本要求，高通业已推出包括全部移动通信制式的28nm六模基带芯片，并且在支持多频段的射频前端整合上也具备领先优势。应用处理芯片在四核之后已开始步入八核阶段，更为复杂的并行调度模式不仅带来了更高的芯片硬件设计难度，也对操作系统的相应协同提出新需求。除多核复用外，通过提升单个核心的处理能力以促进应用处理芯片的升级也成为业界探索的另一新方向，三星、MTK、高通均广泛关注，苹果新近发布的A7即为首枚基于64位ARMv8指令集的芯片，据苹果官方数据显示，其整体性能比iPhone5上的A6芯片快2倍，是第一代iPhone上所用处理器的40倍。 从制造的角度来看，移动芯片制造工艺迅速跟进PC水平，28nm迈入规模量产。在应用及市场竞争需求的催动下，工艺技术预期仍将保持快速升级的步伐，Intel可用于移动芯片的22nm三维晶体管技术今年底将有产品面世，而台积电也在加大20nm、16nm的建设投资力度，根据其与苹果的代工协议，2014年代工20nmA8，并在2015年升级至16nmA9/A9X，几成定局。 借助于国内市场的有力带动和对国际开放性技术成果的积极利用，我国在移动芯片领域已初步实现核心技术和市场应用的双突破，取得了远佳于PC时代的产业位置。各细分领域出现一批领军企业，产品线日趋丰富、销售额逐步攀升的同时，在全球产业的影响力也实现快速提升;移动芯片国产化率得到快速提升，在多模基带芯片、多核应用处理芯片、多集成单芯片等重点领域均取得关键突破，并逐步深入对基础架构的理解和软硬件优化，在移动芯片制造环节已实现40nm工艺量产。 综上所述，我国现阶段不仅成功实现了从“无芯”到“有芯”的跨越，未来也进一步具备从“有芯”到“强芯”的可能。建议继续抓住移动互联网产业变革创新的重要机遇，充分利用好我国巨大的内需市场优势，围绕移动智能终端加强整体布局，优化移动芯片产业环境，强化设计、制造、终端间的产业互动，进一步突破移动芯片核心设计技术，实现集成电路技术与产业的整体升级。

    半导体 集成电路 移动芯片 PC

  • 2015年智能电表有望全面覆盖德国

    【导读】从2015年开始，德国政府将会为每个家庭安装智能电表，更换旧式电表的费用仅为8欧元(约合人民币66.33元)，而新电表的安装费用却高达782欧元(约合人民币6484.24元)。 报道称，上述消息来自德国联邦经济部一个工作小组的文件。据此，德国人在2022年之前或将缴纳104亿欧元(约合人民币862.35亿元)的安装费。目前，德国联邦环境部和经济部并没有强制用电者安装智能电表的计划，两个部门已于当地时间12月1日在柏林明确做出表态。 经济部表示：“是否需要让整个德国覆盖智能电表是新一届联邦政府的决定。 本文由收集整理

    半导体 智能电表

  • PT100热电阻温度信号隔离变送器，又研发出两隔离低成本产品

    导读：专为现场单路温度信号采集监测的低成本设计。可以将热电阻传感器采集的温度信号按变化量转换成线性标准模拟信号，该混合集成电路在同一芯片上集成了一组高隔离的DC/DC电源，信号零点、满度校准电路和热电阻线性化、长线补偿、干扰抑制电路，特别适用于Pt100热电阻信号转换成标准模拟电压电流信号。广泛应用在温度传感器信号的转换、放大及无失真远传，工业现场PLC或DCS系统的温度信号采集与变送。关键词：热电阻 热电阻传感器 Pt100热电阻 Cu50热电阻 热电阻测量 热电阻温度产品特点● 三线、四线或两线制Pt100/ Cu50热电阻信号直接输入● 精度、线性度误差等级： 0.2级（相对温度）● 内置线性化处理和长线补偿电路● 辅助电源与信号通道3000VDC两隔离● 辅助电源：5V、12V、15V或24VDC单电源供电● 国际标准信号输出：0-20mA /4-20mA/0-5V/0-10V等● 低成本、超小体积，使用方便，可靠性高● 标准SIP 12Pin符合UL94V-0阻燃封装● 工业级温度范围: - 20 ~ + 70 ℃典型应用● 温度信号采集及变换● 工业现场高精度温度测量● 热电阻信号转换与温度控制● 地线干扰抑制● 温度传感器信号转换成标准信号● 油温测量与报警● 信号远程无失真传输● 电力监控、医疗设备温度控制变送器SunYuan SY Z-W系列低成本小体积两隔离型变送器，专为现场单路温度信号采集监测的低成本设计。可以将热电阻传感器采集的温度信号按变化量转换成线性标准模拟信号，该混合集成电路在同一芯片上集成了一组高隔离的DC/DC电源，信号零点、满度校准电路和热电阻线性化、长线补偿、干扰抑制电路，特别适用于Pt100热电阻信号转换成标准模拟电压电流信号。广泛应用在温度传感器信号的转换、放大及无失真远传，工业现场PLC或DCS系统的温度信号采集与变送。芯片内部集成了高效率的DC-DC，能产生一组隔离的电源给内部输入端放大电路、长线补偿及线性处理电路供电和输出端放大转换电路、滤波电路供电。SMD工艺结构及新技术隔离措施使该器件能达到：辅助电源与信号通道之间 3000VDC两隔离，并且能满足工业级宽温度、潮湿、震动的现场恶劣工作环境要求。SY Z-W系列低成本小体积两隔离型变送器使用比较方便，只需很少外部元件，即可实现三线、四线或两线制Pt100/ Cu50热电阻传感器信号的采集与变送。产品选型举例例1： 信号输入：Pt100，温度范围 -20-100℃； 信号输出：4-20 mA； 辅助电源：24V。产品型号： SY Z1-W1-P1-O1例2： 信号输入：Cu50，温度范围 0-100℃；信号输出: 0-5V；辅助电源：12V。产品型号： SY Z4-W2-P2-O4图１　SYZ-W系列隔离变送器原理框图典型应用图图2：SYZ-W系列电压输出型引脚定义及典型应用温度信号采集、放大、转换应用方案应用SunYuan SY Z-W系列两隔离变送器和SunYuan SY U-P-O或SY A-P-O系列两隔离放大器很容易实现热电阻信号的一路输入，多路输出（如果现场干扰严重，请选择SunYuan ISO系列隔离型变送器）。一路输入，多路输出应用方案的原理：将SY Z-W两隔离变送器输出的信号，接到SY U-P-O或SY A-P-O两隔离放大器的输入端，SY U/A-P-O两隔离放大器就会输出一组与输入端不隔离的信号，这样就实现了一路热电阻信号的输入，两路标准信号的输出。同理，将SY Z-W隔离变送器输出的信号，接到多个SY U/A-P-O两隔离放大器的输入端，每个SY U/A-P-O两隔离放大器都会输出一组与输入端不隔离的信号，这样就实现了一路热电阻信号的输入，多路不隔离的标准信号的输出。应用方案举例1：一路热电阻信号输入，两路电压信号输出。用模块SY Z1-W3-P1-O4和SY-U1-P1-O5实现一路Pt100信号输入（温度范围0-150℃），两路不同的模拟电压信号输出。其中一路输出0~5V信号，另一路输出0~10V信号。将SY Z1-W3-P1-O4的输出端并接到SY-U1-P1-O5模块的输入端（图4）。（如果现场干扰严重，请选择SunYuan ISO系列全隔离型变送器）。应用方案举例2：一路热电阻信号输入，两路电流信号输出。用模块SY Z1-W2-P1-O1和SY-A4-P1-O1实现一路Pt100信号输入（温度范围0-100℃），两路互相不隔离的4-20mA电流信号输出。将SY Z1-W2-P1-O1的输出端串入SY-A4-P1-O1的输入端，再输出4-20mA信号，同时SY-A4-P1-O1也输出一组4-20mA信号。（如果现场干扰严重，请选择SunYuan ISO系列全隔离型变送器）。 TAG： Pt100 隔离变送器 Pt100热电阻 温度信号

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  • 30分钟内自制可穿戴设备？MetaWear可穿戴设备DIY平台办得到

    可穿戴设备层出不穷，有健身追踪器，有智能手表，有虚拟现实显示器。亲，你有没有心动，自己来设计一个改变世界的可穿戴设备呢?现在，有了一个全新的可穿戴技术DIY平台!这款产品的开发者们最近已经开始在众筹平台Kickstarter上筹集最后的资金。如果你想实现自己的创意，你可以以约100美元的价格预订自己的MetaWear。

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  • Intel的“夸克”原来长这个样子

    “夸克”Quark X1000系列处理器是Intel针对物联网、可穿戴领域推出的一种微型处理器，以当年的32位奔腾架构为基础打造。在最新公布的一份文档中，Intel首次给出了“Quark”的真身照片(严格来说是渲染照)。

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  • “极限”计算机芯片可承受最高300摄氏度

    由德国弗劳恩霍夫研究所微电子电路与系统(IMS)研究人员开发出的新型微芯片能够在无损性能的情况下承受住300摄氏度的高温。因为芯片是为地热研究而设计，研究小组表示这种耐热生产工艺的应用前景非常广阔。地球核心释放的能量几乎是无穷尽的。地球内部7000摄氏度（12600华氏度）的热量可以成为未来能源资源的一部分，但想要对地热进行开发和有效利用需要先进的技术。地下4000到6000米（2.5到3.7英里）深温度可达到几百摄氏度，这个深度足以开发出大量的地热。然而，能够进行钻探开发的设备根本无法承受这样高的温度。由德国弗劳恩霍夫研究所微电子电路与系统(IMS)研究人员开发出的新型微芯片能够彻底改变这一切。这种小型芯片能够在无损性能的情况下承受住300摄氏度的高温。开发地热远比向地下钻孔要复杂。地球的地壳的热度并不平均，因此需要一系列的传感器和控制系统共同作用，找到最佳的能源开采地点。专为加热设计的传统半导体芯片也会在200摄氏度左右达到受热极限，但在此之前芯片的性能已经开始退化了。达到250摄氏度，芯片就被烤化了。过去的研究主要涉及制造主动冷却系统，在温度升高的情况下保持探针正常工作。弗劳恩霍夫研究所研制的芯片即使在高温条件下工作也不需要任何冷却系统。该芯片使用0.35μm（350纳米）制造工艺，是近几年市面上的芯片尺寸的10倍。但现代因特尔芯片最高耐受温度只有100摄氏度。其它耐热芯片大都使用1μm（1000纳米）低效率制造工艺制成的，因此350纳米并不算最差。工程师使用一个绝缘芯片(SOI)互补金属氧化物半导体（CMOS）设计使电路能够承受高温。绝缘芯片能够用来对抗来自电流漏泄产生的热效应。IMS研发芯片中的每个晶体管本身都有绝缘层，使其与周围的晶体管绝缘。不受控制的电流漏泄能够产生芯片故障，以及性能低下。除了绝缘防护晶体管之外，IMS研究人员还使用了钨来减少因高温而产生的长期损伤。因为芯片是为地热研究而设计，研究小组表示这种耐热生产工艺的应用前景非常广阔，比如，航空电子传感器能够安置在飞机涡轮发动机附近以获得更为精确的数据，还可以用于长期处于高温环境下的工业生产中。弗劳恩霍夫研究所对制造工艺的早期测试结果十分满意，计划在2014年进行正式应用。

    半导体 晶体管 温度 绝缘 计算机芯片

  • 高通再见？传苹果计划自行设计iPhone基带芯片

    DigiTimes援引业内人士透露的消息称，苹果正计划为2015款iPhone机型，自行设计一款基带芯片。此外，预计该芯片将交由三星和格罗方德(Globalfoundries)代工。作为手机内相当重要的一部分，基带芯片(或称基带处理器)，其负责掌柜的是手机上的所有无线通信(radio)。而目前，高通仍然是苹果的iPhone、iPad产品线的基带芯片供应商。

    半导体 苹果 iPhone 基带芯片

  • 日月光与华亚科技携手合作拓展系统级封装技术（SiP）

    全球第一大半导体封装测试厂日月光半导体今日宣佈与DRAM 晶圆代工厂商华亚科技携手合作拓展系统级封装(SiP, System in Package)的技术製造能力。华亚科技将提供日月光2.5D 晶片技术应用的硅中介层(silicon interposer)的硅晶圆生产制造服务，以扩展日月光现有封装产品线，此合作模式将结合华亚科技在前段晶圆的代工制造优势与日月光封测的高阶製程能力，提供高品质、高良率与具成本价格竞争力的解决方案，来服务下一个市场成长的需求与客户群。半导体在科技产品演进的技术发展扮演重要角色，如今半导体产业链必需面对高性能和频宽、低耗功率与效能提昇的挑战，价格更是技术发展与市场成长的考量因素之一。根据Gartner 报告指出，个人电脑与伺服器将逐渐缓慢成长，然而，至2017 年超迷你行动电脑(ultra-mobile PC)、平板电脑(Tablet)、智慧型手机(Smart phone)与物联网市场（IOT）的产品应用将为主流。未来，晶片商必需提供整合多功能且更快速与更智能的客制化产品晶片，封装与系统制造商必需能提供製程与生产最佳化的完整产业链。日月光不断在封装设计上研发新技术，尤其是应用在可快速移动的行动装置上的高阶2.5Ｄ和3Ｄ晶片的技术。2.5Ｄ和3Ｄ晶片系统级封装（SiP）是运用微小化封装技术的电子组装和系统组装的高阶SiP 模组。除此之外，日月光也透过集团的电子製造服务的环电(USI)，提供客户完整的系统封装技术整合服务，包括设计、制造到后勤运筹服务，系统封装技术将会广泛的应用在相关生物辨识触控、感测器、无线装置、电源管理、相机模组、射频前端和照明的领域上。华亚科技总经理Scott Meikle博士表示：「华亚科希望透过此次合作，以高品质与具成本竞争力的制造能力协助日月光在系统级封装的解决方案，与DRAM生产相辅相成，华亚科和日月光的合作在半导体产业链上极具潜力。」日月光集团运营长吴田玉博士表示：「日月光肯定这项产业链的合作是实现系统整合的成功关键，透过深厚的伙伴关系的建立能为客户带来更多的价值与及时解决方案。华亚科是DRAM 晶圆代工制造的领导厂商，新开发的硅中介层( silicon interposer)硅晶圆生产制造服务与能力有助于日月光提供完整的系统封装解决方案，此外，日月光专业的研发团队也持续不断与材料、设备供应商和客户共同开发晶片封装的专利，进一步扩展和强化系统封装(SiP)技术的产品线。」

    半导体 晶片 封装技术 系统级封装 SIP

  • TI在美筹款660万美元 款项用于公益事业

    【导读】日前，德州仪器为“联合之路(United Way)”活动在全美范围内举行筹款，所得款项将全部用于公司所在社区的教育、健康等问题。 据悉，今年发起联合之路活动的 TI 园区包括：宾西法尼亚洲的伯利恒、北卡罗来纳州的 Cary、加利福尼亚州的 Grass Valley、亚利桑那州的菲尼克斯以及伊利诺伊州的邵姆堡。2013 年及以前开展过相关活动的其它 TI 园区包括德克萨斯州的奥斯汀、马里兰州的日耳曼敦、加利福尼亚州的圣地亚哥、德克萨斯州的谢尔曼以及首都华盛顿。 此次活动一共有5600多名德州仪器的员工参与了筹款，共计筹得330万美元，比去年上升 10 万美元。此外，加上退休人员捐赠和公司支持，以及德州仪器基金会 的320 万美元拨款，总金额达 660 万美元。 自 1961 年公司一位创始人帮助组建 UWMD 以来，TI 已成为该地方组织最大的综合捐资方。包括亚利桑那州图森、德克萨斯州斯塔福德、新罕布什尔州曼彻斯特、加利福尼亚州圣克拉拉及桑尼维尔以及缅因州南波特兰在内的众多 TI 园区都在当地社区开展了声势浩大的相关活动。 本文由收集整理

    半导体 创始人 TE

  • TCL入股深纺织；小米营收将上攀千亿

    集微网消息 文/陈冉

    半导体 小米 TCL

  • 马云联手史玉柱65.4亿元购入华数传媒2.87亿股股份

    华数传媒今日发布公告，称阿里巴巴与华数传媒签署战略合作协议，马云、史玉柱斥资人民币65.4亿元购入华数传媒2.87亿股股份。华数传媒今日发布公告，称杭州云溪投资合伙企业（有限合伙）（简称“云溪投资”）将以22.80元/股的价格购入其发行的2.866亿股股份，总金额达到65亿元人民币，入股后云溪投资持有华数传媒20%股份。

    半导体 马云 阿里巴巴 史玉柱

  • Vishay MOSFET荣获《今日电子》2013年度产品奖

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的-20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8mΩ，是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封装的首款器件。

    半导体 电子 封装 Vishay MOSFET

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