Vishay MOSFET荣获《今日电子》2013年度产品奖

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的-20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为4.8mΩ，是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封装的首款器件。