21ic讯 京瓷株式会社(以下简称“京瓷”)的全资子公司、晶体元件的开发制造公司—京瓷晶体元件株式会社此次成功开发出采用原子扩散接合法制造的水晶元件“零温度特性的标准具滤波器”,目前
今天美国运营商Verizon宣布出于安全方面的考虑将会禁止旗下用户通过Google Play Store或者安装包安装Google Wallet,主要的原因是Google Wallet这款软件的数据通过NFC芯片上的secure element(安全元件)进行传输,而
旋进旋涡流量传感器在众多行业中有着广泛应用,在选型、安装及使用中需要注意哪些事项呢?1、选型时就需考虑周全,首先要选择好传感器种类,再根据实际需求进行具体挑选。要保证使用精度、生产安全,需要对近期和远期
21ic讯 Power Integrations公司发布两份针对T8灯管替换应用的高效率、非隔离、高功率因数(PF) LED驱动器参考设计。新设计的特点是使用了极少元件,并采用简单的磁芯材料和单面电路板设计,使功率密度达到业界领先的
隆达电子(股票代号3698)2012年11月份营收新台币7.8亿元,较10月份减少8.75%。 隆达表示,第四季为LED产业淡季,新机种亦在开发中,目前正值新旧产品交接期。隆达估计,直下式背光电视预计明年渗透率可达40~50%,
?????? ?日本住友化学公司已经开始讨论停止在中国大陆生产液晶面板的主要材料元件。该公司原本计划投资200亿~300亿日元建设新工厂,但目前的判断是由于液晶电视市场已触及天花板等原因,材料需求将低于当初的预期。
微机电系统(MEMS)在行动市场的渗透率将节节攀升。MEMS业者已透过加速度计、陀螺仪在行动市场打下一片江山,近期更利用系统封装(SiP)与智慧软体平台,发展MEMS感测器融合(Sensor Fusion)技术;此一新概念可提高多元感
微机电系统(MEMS)在行动市场的渗透率将节节攀升。MEMS业者已透过加速度计、陀螺仪在行动市场打下一片江山,近期更利用系统封装(SiP)与智慧软体平台,发展MEMS感测器融合(Sensor Fusion)技术;此一新概念可提高多元感
封测大厂日月光 (2311)今年11月通讯应用封测量持续增长,尤其28 奈米封测订单稳健升温,法人认为,日月光单月封测与材料营收有机会较10月增长,亦即可望上月的117.88亿元新高再往上突破,续战新高。 日月光10月份封
一个由欧洲官方与私人携手成立、旨在进行纳米电子技术研发的联盟机构(jointundertaking)ENIAC,打算在欧洲建立3座试产晶圆厂,其中包括1座18吋(450mm)晶圆厂。ENIAC执行总监AndreasWild表示,该联盟估计2012年投资金
一个由欧洲官方与私人携手成立、旨在进行奈米电子技术研发的联盟机构(joint undertaking)ENIAC,打算在欧洲建立3座试产晶圆厂,其中包括1座18吋(450mm)晶圆厂。ENIAC执行总监Andreas Wild表示,该联盟估计2012年投资
三轴陀螺仪(Gyroscope)及其多功能组合(Combo)元件销售量将强劲增长。Yole Developpement研究报告指出,在消费性应用需求成长的驱动下,三轴陀螺仪及其多功能组合元件的销售额,将从2011年的4亿5,800万美 元,扩大到
一个由欧洲官方与私人携手成立、旨在进行奈米电子技术研发的联盟机构(joint undertaking) ENIAC ,打算在欧洲建立3座试产晶圆厂,其中包括1座 18寸(450mm)晶圆厂。ENIAC执行总监Andreas Wild表示,该联盟估计 2012年
产业评析:日月光(2311)为全球半导体封测业龙头,客户分布欧、美、日,整合元件大厂占营收比重约36%至39%。 看好理由:主力客户高通等本季订单动能大增,营收占比重回3月高水准,逾一成,本季IC封测及材料出货估
我很希望看到任天堂(Nintendo)即将推出的WiiU游戏机。为何如此要关心?是因为其中采用了许多瑞萨电子(RenesasElectronics)的元件。我并不是一个游戏玩家,但在任天堂即将推出WiiU之际,我立即注意到了这个消息。任天
“柔性基板上的成膜要用涂布工艺”,或者“玻璃基板不能使用卷对卷工艺”等定见,其实是不正确的。例如,将脂膜及金属箔以卷对卷方式卷绕,并以真空蒸镀成膜的技术10多年前就有了(图A-1)。而且一直主要用于柔性印刷
本期电子元器件价格指数报点103.46点,下跌0.81点,跌幅0.78%。电子元件价格指数仍显强势,但涨幅缩小至0.26%,细分品类中电容器和电感器上涨,涨幅分别是2.07%和1.17%;电阻器和晶体振荡器则分别下跌2.39%和1.55%。
半导体产业正在转换到3D结构,进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤,但就闸极堆叠的观点而言,过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案
LED凭借着体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、热量低、环保性高、坚固耐用等优点获得了广泛的认可和青睐。在短短几年之间,LED设施已经大范围的替代了传统的照明配件,尤其是在汽车、电子电器、医疗等尖端行业和
半导体产业正在转换到3D结构,进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤,但就闸极堆叠的观点而言,过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。