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电压高（120V）、转换熟读快（120V丨us）的功率MOSFET放大器
电压高（120V）、转换熟读快（120V丨us）的功率MOSFET放大器
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高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
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东芝量产为基站和服务器推出的30V电压功率MOSFET
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation) 专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器的30V电压功率MOSFET系列产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品已于6月底投入量产
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东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)最近为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖低导通电阻和高速交换性能。主要功能1
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Vishay推出SiSS27DN器件扩充Gen III P沟道功率MOSFET
首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和
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东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容
推出拥有顶尖[1]低导通电阻性能和高速交换性能的60V产品东芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品
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东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖[1]低导通电阻和高速交换性能。即日开始
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东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产
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Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣
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继2012年表现黯淡之后,中国功率MOSFET市场将恢复生机
21ic讯 在绿色能源和节能计划的带动下，加之出口回升，预计今年中国市场的功率MOSFET出货量继2011年大幅下滑之后反弹。这暗示中国以及其它主要全球经济体的形势好转。功率MOSFET广泛用于多种电子产品与系统之中。据I
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继2012年表现黯淡之后 中国功率MOSFET市场将恢复生机
在绿色能源和节能计划的带动下，加之出口回升，预计今年中国市场的功率MOSFET出货量继2011年大幅下滑之后反弹。这暗示中国以及其它主要全球经济体的形势好转。功率MOSFET广泛用于多种电子产品与系统之中。据IHS公司的
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恩智浦发布采用LFPAK56封装的汽车功率MOSFET
业界最全符合汽车工业标准的Power-SO8 MOSFET产品组合，可用于众多汽车应用中国上海，2013年3月8日讯——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码：
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东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以最
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IR 推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET 有助于提升工业应用的系统效率
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，这些工业应用包括11
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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Vishay推出采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺
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Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻日前，Vishay Intertechnology宣布，推
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用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
1 引言 scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括：可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变
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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---
