东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET

21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以最新的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用，尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品，并计划于2013年4月投入量产。

主要特性

1. 低导通电阻(VGS=10V)

RDS(ON) = 5.5mΩ(标准值)

2. 低漏电电流IDSS=10μA(最大值)(VDS=额定电压)

3. “DPAK+”封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻。