高频特性得到改善的功率MOSFET放大器

基本电路组成与“3_gn相同，第二差动级是输出用的
功率MOSFET,2SJ77,电流密勒电路使用了2SK214。
虽然工作电流只有6mA,但是，因为电源电压高达±sov,
晶体管会发热，于是安装了小型散热片。
    输出级栗用直接驱动方式，由于不经射极输出器缓冲，
驱动电路的负载就加重了，如果转换速度需要提高，可在
Tri-*的允许损耗范围内尽量加大漏极倡置电流。
    功率MOSFET经常产生高额振荡，要抑制振荡比较困
难，简单的措施是在栅极（位置尽量靠近栅极）串联电阻(★
标志的Ro,但这要牺牲一些高频特性，Ra的阻值随所用元
件而异，通常在50Q~500Q之间。