存储器
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十亿美元俱乐部：谁榜上有名？
关键字： 供应商 十亿美元俱乐部 芯片制造商 根据IC Insights的数据，在2010年预计会有9家公司进入10亿美元资本开销俱乐部。 根据该公司的研究，尽管现在芯片制造商越来越少，也在控制资本开销，但相比之下200
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DRAM跌价袭击模块厂1月营收处变不惊
2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NANDFlash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈
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三星电子一副总跳楼自杀身亡 或与人事调动相
三星电子一位副总经理跳楼自杀身亡。这位高层是三星电子芯片部门的开发专家。据首尔江南警察署1月26日称，当天上午10时30分许，三星电子副总经理李某的尸体在首尔江南区的一处公寓被发现。警方称：“目前推定李
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存储器大厂Micron与澳大利亚公司组成太阳能合资公司
存储器大厂Micron以50：50比例与澳大利亚OriginEnergy公司组成合资的光伏技术公司。 至此关于合资公司的细节未能透露。2009年5月Micron曾准备化500万美元来促进LEDSolar方面的嘗试。 该项目执行总经理AndrewStoc
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用中档FPGA实现高速DDR3存储器控制器
由于系统带宽不断的增加，因此针对更高的速度和性能，设计人员对存储技术进行了优化。下一代双数据速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的优势。这些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的带宽），并有更大的密度。
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视频转码技术与系统要求相匹配
为了满足多房间观看电视和多频道欣赏的要求，可通过DDR2和PCI连接多个DM6467数字媒体处理器，以在不同设备间交换数据，并确保架构的可扩展性。
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DRAM厂祭搭售策略紧急抢救DDR2
全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3
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DRAM厂祭搭售策略 紧急抢救DDR2
全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3
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DDR2乏人问津DRAM厂抢转产能
DDR2和DDR31月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和
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DDR2乏人问津 DRAM厂抢转产能
DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶
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为什么存储器是产业的风向标
存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。纵观DRAM发展的历史，
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金士顿砸1亿美元绑桩海力士产能
2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，
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金士顿砸1亿美元 绑桩海力士产能
2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，
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ISS预期2010年存储器供应偏紧
由于存储器市场需求上升，但是投资显得严重不足，所以今年可能出现供不应求局面。按ICInsight数据，在2007年存储器投资达323亿美元，而在2009年为68亿美元，预计2010年为144亿美元。Bill McClean认为即便存储器投资1
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集成MTP存储器的可编程gamma校准基准系统(Maxim)
Maxim推出集成MTP (多次可编程)存储器的10位gamma校准基准系统MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了数字可变电阻、VCOM放大器、gamma缓冲器、电阻串和高压线性稳压器等多个分立元件，极大地降低了方案成本。Maxim的M
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根据最近的项目总结的FPGA方面的一点体会
哈哈,前一个项目终于完成了,费了那么多天的劲,确实也找到了一些设计上的缺陷和不合理的地方,在代码中也找到了几个BUG.呵呵. 现在将我在FPGA部分设计的一点心得记录下来. 故障情况: 外部EEPROM存储器在设备上电过程
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提升芯片投制设计的进度估算
芯片设计的进度经常估不准，连带影响芯片的开发成本、芯片的上市时间、及上市后的销售。许多芯片投制商（ASIC Supplier）会用总项目管理数据库来估算芯片投制设计的进度。同时绝大多数的进度估算都认为，投制设计完成
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超大容量存储器K9F2G08U0M及其在管道通径仪中的应用
摘 要： 新型超大容量Flash存储器K9F2G08U0M的基本组织结构，给出了存储器与C8051F020单片机外部存储器接口(EMIF)的硬件连接方式以及存储器的主要操作流程和部分C语言代码。关键词： K9F2G08U0M 外部存储器接口 管道
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ICInsight：重塑产业前景迎接2010年IC业的大发展
按ICInsight的观点必须依重组经济的思维来看待全球IC产业的前景。 仅仅12个月IC产业结束了历史上最动荡的季度业绩变化。ICInsight总裁BillMaClean指出，当2008Q4和2009Q1时IC出货量达到创记录的季度最低值时，此后的
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基于闪存的星载大容量存储器的研究和实现
摘要：就闪存应用于星载大容量存储器时的写入速度慢、存在无效块等关键问题探讨了可行性解决方案，并在方案讨论的基础上论述了一个基于闪存的大容量存储器的演示样机的实现。 无效块空间飞行器的数据记录设备是
